【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种垂直腔面发射半导体激光器的电注入结构，属于半导体激光器件
技术介绍
在制作垂直腔面发射半导体激光器的过程中，参见图1，在台面边缘刻蚀环形沟槽1，经过氧化，在布拉格反射镜中的高铝层临近沟槽两侧部分形成氧化物限制区2，而中间部分成为出光孔3，垂直腔面发射半导体激光器的出光孔3同时也是电流的注入区。为了提高功率，一般采用加大出光孔径的方法。由于出光孔3的出光孔径大于10微米时容易出现载流子聚集效应，而为了得到较高的激光器功率，通常把出光孔径开到几百微米，这样便造成了出光孔3内各点电流强度不同，就会造成孔内发光不均匀，并且会造成出光孔3内局部过热而影响激光器的寿命。另外，在很多情况下尤其需要得到瞬时的高功率，因而很多高功率半导体激光器采用短脉冲的驱动方式。由于短脉冲的峰值宽度很窄，上升沿和下降沿处有丰富的高频分量，在高频情况下，电流趋于导体表面，发生趋肤效应(skin effct)。这种效应在大截面导体中尤为突出。对于大出光孔垂直腔面发射半导体激光器来说，脉冲电流的注入区截面积较大，在趋肤效应的作用下，电流趋于出光孔3的外侧，这样又造成在大...
【技术保护点】
一种大出光孔垂直腔面发射半导体激光器的多芯电注入结构，位于布拉格反射镜中的高铝层，并且处在环形沟槽（１）及其两侧的氧化物限制区（２）所包围的区域内，环形沟槽（１）的底在深度方向上透过所述高铝层，其两侧的氧化物限制区（２）处在所述高铝层层面，其特征在于，在所述区域内均匀分布若干个分立电流注入区；这些分立电流注入区由分布于该区域内的多条沟槽及其两侧的氧化物限制区或者多个孔穴及其周围的氧化物限制区所分隔；沟槽、孔穴的底同环形沟槽（１）的底一样，在深度方向上均透过所述高铝层；沟槽两侧、孔穴周围的氧化物限制区同环形沟槽（１）两侧的氧化物限制区（２）一样，均处在所述高铝层层面；孔穴周围...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郝永芹，马建立，钟景昌，赵英杰，王晓华，乔忠良，
申请(专利权)人：长春理工大学，
类型：发明
国别省市：82[中国|长春]
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