【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，并且尤其涉及一种以较高良率和可控制的方法来制造一垂直腔面发射激光器的方法。
技术介绍
参看图1，常规垂直腔面发射激光器10包括一衬底11、一第一反射器12、一活性层13、一第二反射器14、一接触层15、一第一电极层16和一第二电极层17。衬底11具有一第一表面和一第二表面。第一反射器12形成在衬底11的第一表面上。活性层13形成在第一反射器12上。第二反射器14形成在活性层13上。接触层15形成在第二反射器14上。第一电极层16形成在接触层15上。第二电极层17形成在衬底11的第二表面上。第二反射器14包括一形成在第二反射器14内的电流限制层141。电流限制层141具有一孔径。在垂直腔面发射激光器10中，由于作为发射面积的活性层15的面积较小，所以输入电流必须限制在第二反射器14的孔径中，以便获得更高的电流密度。用来形成电流限制层141的常规方法为氢离子注入法和高温湿式氧化法。氢离子注入法是用具有高能量的离子注入器将氢离子注入第二反射器14中，以形成电流限制层141。高温湿式氧化法是对Al材料进行氧化以形成电流限制层。用高温湿式氧化法制成的...
【技术保护点】
一种垂直腔面发射激光器，其包括：一衬底，其具有一第一表面和一第二表面；一第一反射器，其形成在所述衬底的所述第一表面上；一活性层，其形成在所述第一反射器上；一第二反射器，其形成在所述活性层上，所述第二反射器具有 一第一限制层和一第二限制层，所述第一限制层具有一第一孔径，所述第二限制层具有一第二孔径，所述第二孔径小于所述第一孔径；一第一电极层，其形成在所述第二反射器上；和一第二电极层，其形成在所述衬底的所述第二表面上。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：赖利弘，赖利温，
申请(专利权)人：海德威电子工业股份有限公司，禧通科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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