财团法人工业技术研究院专利技术

财团法人工业技术研究院共有7884项专利

  • 本发明公开一种双极化天线结构、天线罩及其设计方法,其中双极化天线罩包含多层介质基板,各该介质基板表面包含以阵列形式排列的多个金属图形,且该多个金属图形以垂直于该介质基板的轴心旋转九十度后的图形不变。
  • 本发明提供一种形成纳米碳纤维的方法,包括提供聚丙烯腈溶液;纺丝聚丙烯腈溶液以形成多条纳米纤维,其中纳米纤维叠合成网状;热氧化该些纳米纤维以形成多条纳米氧纤维;以及碳化纳米氧纤维以形成多条纳米碳纤维,其中纳米碳纤维交叠成网状。上述纳米纤维...
  • 本发明涉及一种形成纳米碳纤维的方法,包括提供聚丙烯腈溶液;纺丝该聚丙烯腈溶液以形成多条纳米纤维,其中该些纳米纤维叠合成网状;热氧化该些纳米纤维以形成多条纳米氧纤维;微波该些纳米氧纤维以形成多条纳米碳纤维。上述的纳米碳纤维具有导电性,适用...
  • 一种体外组织的培养方法及其多孔隙载体,主要是将组织块经酶部分溶解后,置入一具有中空空腔的多孔隙载体的空腔中,使组织以三度空间方式由内向外围的多孔隙载体的孔洞生长,直接以组织的形态增生出新的组织。具有以最少体积的组织量,于最短的时间内在体...
  • 本发明提供一种扬声系统,包括一音频接收接口、一调变电路、一相位控制电路,以及多个扬声单元。其中该音频接收接口用以接收一音频;该调变电路耦接于该音频接收接口,用以调变该音频的一低频成份以产生一调变信号;该相位控制电路耦接该调变电路和该音频...
  • 本发明提供一种无线射频识别标签检测方法与系统,应用于无线射频识别标签的检测。本发明的检测方法是利用调整读取器和无线射频识别标签的距离或调整读取器输出功率,搭配遮蔽方式以对多个无线射频识别标签进行检测与分级。本发明的检测系统包括:料带输送...
  • 本发明是关于一种受力指示器,是于指示器内部装设磁铁,通过磁铁磁力 与指示器摔落时所产生的重力加速度、惯性力及碰撞受力等作用力的交互作用, 观察在交互作用后磁铁固有状态的改变结果,以此来判断运送过程中或使用过 程中的产品是否曾发生摔落或碰...
  • 本发明公开了一种感测晶片结构、晶片级感测构装结构及其制作方法,其 制作方法步骤包含:提供一包含感测芯片的晶片,其感测芯片具有感测区与焊 垫;形成一应力释放层于晶片表面;披覆一光阻层于应力释放层上;图案化光 刻胶层以露出焊垫及部分的应力释...
  • 本发明提供一种用于微位相差膜热处理的多光束激光装置,所述的装置以激光加热方式制作相互交错的两不同位相区域的微位相差膜,其包含一红外线激光光源、一多光束模块和一第一驱动装置。该多光束模块将该红外线激光光源光束分成复数道强度相当的平行光束并...
  • 一种数据分类系统,其包括撷取单元、分类树模块与数据存储库。撷取单元用以接收至少一数据,并撷取出上述数据中的数据信息。分类树模块用以依据数据信息,且以树状结构的方式对上述数据进行分类,并建立一分类树。数据存储库用以存储分类树与上述数据。藉...
  • 一种迦罗瓦计数模式中的平行运算的赫序方法与结构。先将定义于迦罗瓦计数模式中的额外认证数据A与密文C视为输入顺序为M↓[1]M↓[2]…M↓[m-1]的单一笔数据M,使赫序运算的最终输出值X↓[m-1]被安排成M↓[1]M↓[2]…M↓[...
  • 本发明公开了一种微位相差板的制造系统及制造方法。微位相差板的制造系统包括一承载装置、一加热装置及一移动控制装置。承载装置用以承载一高分子薄膜。高分子薄膜具有一高分子排列方向。加热装置用以提供一加热源,加热源中央处的能量小于加热源边缘处的...
  • 一种用以校正讯号处理单元输出讯号中直流偏移部份的电路及方法。此直流偏移校正电路包括1位量化器、控制逻辑单元及数字模拟转换器。其中,1位量化器耦接至讯号处理单元的输出端,用以接收并检测输出讯号中的直流偏移部份,以获得量化信息。控制逻辑单元...
  • 本发明是提供一种挠曲性、低介电损失组合物,包括(a)SrTiO↓[3]及/或Ba(Sr)TiO↓[3]陶瓷粉体或以上两者掺杂其它离子所形成的陶瓷粉体,且该陶瓷粉体占该基板全部重量的20-80%;(b)至少一种的挠曲性高分子树脂,且该树脂...
  • 一种电子发射式发光装置及其封装方法。上述电子发射式发光装置包括第一基板、第二基板、密封胶、气体以及荧光层。第一基板上配置有阴极,且所述阴极具有图案设计。第二基板位于第一基板的对向,且第二基板上配置有阳极。密封胶位于第一基板与第二基板的边...
  • 一种导通微通道存储器(CBRAM)元件及其制造方法,其中的导通微通道存储器元件包括第一电极层、介电层、固态电解质层、第二电极层以及金属层。上述固态电解质层是位于第一电极层上,第二电极层是位于固态电解质层上,至于金属层是位于固态电解质层旁...
  • 一种相变化存储装置,包括基底,相变化层位于基底上方,第一电极电性连接相变化层的第一侧,第二电极电性连接相变化层的第二侧,其中相变化层主要包括Ga、Sb、Te和一些必须的掺杂物,该相变化层的组成范围是:Ga↓[x]Te↓[y]Sb↓[z]...
  • 本发明关于一种相变化存储装置及其制造方法。该相变化存储装置包括:下电极、第一非金属层、第一电性接触层、介电层和第二电性接触层。开口贯穿该第二电性接触层、该介电层、及该第一电性接触层,且该开口的底部以该第一非金属层与该下电极相隔。相变化材...
  • 本发明公开了一种脱队自动警示方法与系统,用于一群体活动的环境,此群体的每一个体相对应一节点,所有节点形成一独立的网络。此方法将此群体的一外围节点清单初始化后,取得此时此网络的各节点间的一个联机信号质量清单。透过一算法,取得此时网络拓扑的...
  • 本发明涉及一种可硬化交联型的墨水组合物及一介电薄膜,本发明的可硬化交联型墨水组合物包含约1至10重量份的可交联硬化环氧树脂系统、约1至30重量份的铁电性陶瓷粉体、约0.1至10重量份的高分子型分散剂、以及约50至96重量份的溶剂。该墨水...