【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种相变化存储装置，特别是涉及一种相变化存储装置的相 变化记忆材料。
技术介绍
相变化存储器具有速度、功率、容量、可靠度、工艺整合度和成本等具 竟争力的特性，适合用来作为较高密度的独立式或嵌入式的存储器应用。由 于相变化存储器技术的独特优势，使其被认为非常有可能取代目前商业化极具竟争性的静态存储器SRAM与动态随机存储器DRAM等易失性存储器， 和闪存Flash的非易失性存储器技术，并可望成为未来极具潜力的新世代半 导体存储器。硫属化合物(chalcogenide)广泛的使用于相变化存储装置，第六族的化学 元素(例如硫、硒或碲)是硫属化合物的主要材料，且其和第四族或第五族的 元素结合，且掺杂一些杂质，以应用于相变化存储装置。Ge2Sb2Tes是相变 化存储装置最常用的材料，理由是其可通过非晶态(具有相对高的电阻)和结 晶态(具有相对低的电阻)间快速且可重复的相变化，提供二元状态的开关。 然而，Ge2Sb2Te5仍然具有以下缺点例如低结晶温度、在高熔点温度时结 晶态的低电阻、成分主要包括硒，而硒具有高挥发性和毒性，容易对工艺室 和环境造成污染。因此，...
【技术保护点】
一种相变化存储装置，包括： 基底； 相变化层，位于该基底上方； 第一电极，电性连接该相变化层的第一侧； 第二电极，电性连接该相变化层的第二侧； 其中该相变化层主要包括Ｇａ、Ｓｂ、Ｔｅ和一些必须的掺杂物，该相变化 层的组成范围是： Ｇａ↓［ｘ］Ｔｅ↓［ｙ］Ｓｂ↓［ｚ］ ５＜ｘ＜４０；８＜ｙ＜４８；４２＜ｚ＜８０。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：金重勋，高金福，蔡铭进，李乾铭，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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