本技术公开了一种晶棒转运装置，涉及晶棒加工技术领域，包括：底板；挡板，设置有两个，两个挡板分别设置在底板的相对两端，挡板与底板连接，两个挡板的相对侧上分别设置有两个朝向底板的滑轨，且每个挡板上的两个滑轨间隔设置，每个挡板远离底板的一端均...

本技术公开了一种放置晶片入晶片盒的辅助装置，属于晶片取放技术领域。包括底座以及调高机构，所述调高机构一端固定安装于所述底座一端，另一端滑动连接有连接杆，所述连接杆上固定设有移动杆，所述移动杆用于支撑真空吸笔。本技术设有调高机构，可适应不...

本技术公开了一种拆装设备螺母的专用工具，涉及机械工具技术领域。包括：受力段、传力段和发力段，所述受力段的一端具有开口，所述开口用于套设在螺母上，所述受力段的另一端与所述传力段连接，所述发力段与所述传力段远离所述受力段的一端固定连接。本技...

本发明公开了一种半导体晶片正压包装方法，涉及半导体包装技术领域，包括如下步骤：S1：晶片装入内袋；S2：手套箱通气；S3：内袋放入手套箱静置；S4：脉冲加热封口，完成包装。本发明中未对装有晶片的内袋进行负压处理，避免了晶片表面掉颗粒，晶...

本发明公开了一种磷化铟晶体生产装置及其使用方法，属于半导体材料技术领域；其包括：包括炉体和设置于炉体顶部的顶盖，还包括：固定设置于炉体底部的驱动电机；炉体内由上到下依次连接的坩埚、坩埚托、活动部、支撑板，支撑板的另一端与驱动电机驱动连接...

本发明公开了一种清洗液槽更换清洗液装置及方法，属于半导体晶片清洗技术领域，包括：顶部开口的清洗液槽，清洗液槽具有排液口、清洗液循环出口和清洗液循环入口；排液口连接有排液管路，排液管路上设置有第一阀门；热交换器，热交换器的进口通过清洗液循...

本发明涉及一种提拉法生长硅晶棒的装置，包括容纳硅晶棒原料熔体的坩埚；加热机构，用于加热坩埚；硅晶棒原料熔体补加机构，将硅晶棒原料熔体补加至所述坩埚内；处于所述坩埚外围的旋转磁场；籽晶杆，位于坩埚上方，其下端部有用于装填籽晶的容纳区；用于...

本发明涉及掺杂硫的磷化铟单晶片，其中硫原子浓度为2

本实用新型提供一种半导体晶棒生长管装置，包括生长管，为空心圆柱体形状，其中一端为封闭的锥部，另一端敞口；生长管的盖，用于封闭所述生长管的敞口；在所述生长管外周设置的加热、保温构件；在所述加热、保温构件外围设置的撤热夹套；其特征在于，在所...

本实用新型公开了一种晶棒夹具，属于晶棒加工领域，包括：底座，轨道、卡环以及顶丝；轨道与底座垂直固定连接，卡环为若干个，卡环通过若干个顶丝与轨道滑动连接，卡环上设置有若干个紧固螺栓，本实用新型结构简单，方便晶棒的拆卸，晶棒固定牢靠，能够改...

本发明提供一种半导体晶棒生长管设备，包括石英生长管，为空心圆柱体形状，其中一端为封闭的锥部，另一端敞口或者封闭；石英生长管的盖，用于封闭所述石英生长管的敞口；在所述石英生长管外周设置的加热、保温构件；在所述加热、保温构件外围设置的撤热夹...

本实用新型涉及一种带有过滤单元的通气式晶片盒，其特征在于，包括：上盒体，下盒体，以及过滤单元。其中，上盒体和下盒体彼此连接并限定一个中空结构，并且在上盒体和/或下盒体上设置有用于连通中空结构和外部环境的通气开口，在该通气开口处设置有过滤...

本申请涉及晶体生长领域，具体公开了一种GaAs单晶生长工艺。包括以下步骤单晶生长：装有GaAs熔体的坩埚逐渐下降，并依次经过高温区、晶体生长区、低温区，单晶生长的过程中，结晶界面始终处于晶体生长区内；所述高温区的温度区间为1260

本申请涉及GaAs单晶制备的技术领域，具体公开了一种GaAs单晶及其VGF制备方法。以Ga元素的含量为参考，制备所述GaAs单晶的原料包括0.15~1.25mol%的稀散金属元素和0.01~0.25mol%的Bi元素；所述稀散金属元素为...

本申请涉及半导体的技术领域，具体公开了一种GaAs晶片超洁净清洗方法，包括以下步骤：S1、用包含清洗剂A和水的清洗液A清洗，清洗剂A包括聚乙烯亚胺、表面活性剂和增溶剂；S2、用含有双氧水的清洗液B清洗；S3、用包含有清洗剂C和水的清洗液...

本申请涉及半导体技术领域，具体公开了一种用于砷化镓晶体生长用新型密封结构，包括石英管和与石英管螺纹连接的石英帽，所述石英帽内壁设有内螺纹且与石英管螺纹连接；所述石英帽靠近石英管一侧沿其周面开设有容纳槽，容纳槽处于石英帽顶部与内螺纹之间，...

本申请涉及单晶生长工艺的技术领域，具体公开了一种石墨烯掺杂锗单晶及其生长工艺。石墨烯掺杂锗单晶的生长工艺，包括以下步骤：采用水平梯度冷凝法合成锗多晶，并将多晶锗进行切割；对切割后的多晶锗、坩埚、石英管、石英帽进行清洗，然后进行干燥处理；...

本申请涉及晶体生长技术领域，具体公开了一种GaAs单晶生长设备及GaAs单晶生长工艺。一种GaAs单晶生长设备，包括：晶体生长炉，所述晶体生长炉内设置有高温区、梯度区以及低温区；单晶坩埚，所述单晶坩埚位于所述单晶炉的中部，用以容纳砷化镓...

本申请涉及化学机械技术领域，具体公开了一种快速抛光的化学抛光液及其制备方法，按重量％计，主要由下列原料组成：磨料15

本申请涉及晶体生长的技术领域，具体公开了一种GaAs单晶生长方法。该GaAs单晶生长方法包括以下步骤：坩埚预处理、生长准备、晶体生长以及退火处理；其中，所述坩埚预处理步骤中，将钨钼合金喷涂至石墨坩埚内表面，在石墨坩埚内表面形成钨钼涂层，...