一种GaAs单晶生长工艺制造技术

本申请涉及晶体生长领域，具体公开了一种GaAs单晶生长工艺。包括以下步骤单晶生长：装有GaAs熔体的坩埚逐渐下降，并依次经过高温区、晶体生长区、低温区，单晶生长的过程中，结晶界面始终处于晶体生长区内；所述高温区的温度区间为1260

A growth process of GaAs single crystal

【技术实现步骤摘要】
一种GaAs单晶生长工艺


[0001]本申请涉及单晶生长领域，更具体地说，涉及一种GaAs单晶生长工艺。

技术介绍

[0002]砷化镓是一种重要的化合物半导体材料，由于它的直接带隙能带结构,使其具有较高的发光效率，因而砷化镓在光电子和微电子领域具有广阔的应用空间。
[0003]目前常见的砷化镓单晶生长工艺包括水平布里奇曼法(HB)、液封切克劳斯基法(LEC)、蒸汽压控制切克劳斯基法(VCZ)、垂直布里奇曼法(VB)及垂直梯度凝固法(VGF)等，其中垂直布里奇曼法(VB)由于其在成本控制和产品质量控制方面具有明显的优势，而成为主要的砷化镓单晶生长工艺。
[0004]但是由于砷化镓材料的导热系数较低(0.55W/cm
·
K)、砷化镓的热膨胀系数较高(2.6
×
106/K)等原因，导致砷化镓单晶生长时容易产生孪晶、溶质偏聚，位错密度升高，电学性能降低等问题，因此亟需对砷化镓单晶生长工艺做进一步的改进。

技术实现思路

[0005]为了提高砷化镓单晶的生长品质，本申请提供一种GaAs单晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种GaAs单晶生长工艺，其特征在于，包括步骤单晶生长：装有GaAs熔体的坩埚逐渐下降，并依次经过高温区、晶体生长区、低温区，单晶生长的过程中，结晶界面始终处于晶体生长区内；所述高温区的温度区间为1260
‑
1250℃，所述晶体生长区的温度区间为1250
‑
1200℃，所述低温区的温度区间为1200
‑
780℃；所述晶体生长区的温度随高度的降低逐渐降低。2.根据权利要求1所述的一种GaAs单晶生长工艺，其特征在于：所述晶体生长区的温度区间为1248
‑
1225℃。3.根据权利要求1所述的一种GaAs单晶生长工艺，其特征在于：所述晶体生长区的温度降低梯度为1
‑
2℃/cm。4.根据权利要求1所述的一种GaAs单晶生长工艺，其特征在于：步骤单晶生长过程中，坩埚的下降速度包括，当结晶界面位于坩埚的颈段时，坩埚的下降速度在0.8
‑
1.6mm/h的范围内随下降深度的增大而递增；当结晶界面位于坩埚的肩段时，坩埚的下降速度在0.8
‑
1.6mm/h的范围内随下降深度的增大而递减。5.根据权利要求1所述的一种GaAs单晶生长工艺，其特征在于：当结晶界面位于坩埚主体部分时，坩埚的下降速度包括第一控速区：当晶体结晶部分长度小于晶体总长度的50
‑
60%时，坩埚的下降速率从0.8
‑
1.2mm/h递增至1.8
‑
2.2mm/h；第二控速区...

【专利技术属性】
技术研发人员：周雯婉，
申请(专利权)人：北京通美晶体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：