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本申请涉及晶体生长领域，具体公开了一种GaAs单晶生长工艺。包括以下步骤单晶生长：装有GaAs熔体的坩埚逐渐下降，并依次经过高温区、晶体生长区、低温区，单晶生长的过程中，结晶界面始终处于晶体生长区内；所述高温区的温度区间为1260
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该专利属于北京通美晶体技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京通美晶体技术股份有限公司授权不得商用。

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