【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体材料，具体涉及一种磷化铟晶体生产装置及其使用方法。
技术介绍
1、磷化铟是一种无机化合物，主要用作半导体材料。有别于纯元素的第一代半导体(如si)和以超宽禁带为特征的第三代半导体(如sic)。磷化铟一般被认为是第二代半导体。近年来，随着通信领域的技术发展，对磷化铟又有了新的需求和技术要求。磷化铟单晶生长的方法有很多种，如液封直拉法(lec)，水平布里奇曼法，垂直布里奇曼法，垂直温度梯度法(vgf)等。
2、采用直拉法生长出的磷化铟晶体中的杂质分布较为均匀、具有较高的机械强度、以及较强的内吸杂能力，使得其在电子器件及集成电路中能够被广泛应用。
3、现有技术中，直拉法中使用的坩埚多为固定结构，坩埚清洗难度大且容易造成清洗不彻底，同时，在拉晶过程中不能在坩埚内填充晶熔物，生产效率低。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种磷化铟晶体生产装置及其使用方法，解决坩埚清洗难度大且在拉晶过程中不能在坩埚内填充晶熔物，生产效率低的问题。
2、为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：
3、一种磷化铟晶体生产装置，包括炉体和设置于所述炉体顶部的顶盖，还包括：
4、固定设置于所述炉体底部的驱动电机；所述炉体底部开设有第一开孔，所述驱动电机的驱动端穿过所述第一开孔，并延伸至所述炉体内；
5、炉体内由上到下依次连接的坩埚、坩埚托、活动部、支撑板，所述支撑板的另一端与所述驱动电机驱动连接，所述驱动电机驱
6、其中，所述坩埚内设置有阻隔网，所述顶盖上设置有第二开口，所述阻隔网与所述第二开口对应设置，用于使物料从所述第二开口进入后垂直落入所述阻隔网与所述坩埚之间的间隙内，并沿间隙运动至所述坩埚的底部；
7、设置在炉体内的加热组件，用于加热熔化晶体；
8、设置于所述坩埚两侧的振动部；
9、控制部，所述控制部设置于所述炉体外侧，所述驱动电机、所述振动部和所述加热组件均与所述控制部控制连接。
10、进一步地，所述活动部为万向节，所述万向节的一端与所述坩埚托连接，所述万向节的另一端与所述支撑板连接。
11、进一步地，所述顶盖上设置有提拉组件，所述提拉组件包括支撑杆、配合设置的液压缸筒和活塞杆、提拉线，所述液压缸筒与所述支撑杆固定连接；所述活塞杆远离所述液压缸筒的一端与所述提拉线连接，所述提拉线的另一端连接有子晶体。
12、进一步地，所述加热组件包括设置于所述炉体内壁的侧边加热器和设置于所述坩埚内底部的中心加热器。
13、进一步地，所述侧边加热器的数量为多个，多个所述侧边加热器沿所述炉体内壁间隔设置。
14、进一步地，所述振动部包括对称设置于所述炉体外侧壁上的两个气缸，所述炉体上设置有第二开孔，所述气缸的运动端连接有固定杆，所述固定杆远离所述气缸的一端连接有弧形环，所述弧形环与所述坩埚之间间隔预定距离。
15、进一步地，所述炉体上设置有观察窗。
16、一种如上所述的一种磷化铟晶体生产装置的使用方法，包括以下步骤：
17、s1，清洗所述坩埚，完成装炉、煅烧、检漏的前序准备工作；
18、s2，保持所述炉体内真空度并通入高纯惰性气体，装入磷化铟晶料，并打开侧边加热器和中心加热器，使晶料熔化；
19、s3，开启所述驱动电机，使所述坩埚旋转，随后依次进入引晶、放肩、等径、收尾、取棒工序。
20、进一步地，步骤s1中的具体实施步骤为：将清洗剂倒入所述坩埚内，通过所述振动部间歇振动坩埚，使坩埚内的清洗剂快速溶解杂质，清洗结束后使用抽液装置将废液抽出。
21、进一步地，实施步骤s3过程中，通过所述第二开口加入磷化铟晶料，以使熔体液面始终在预定范围内，从而实现晶棒的连续生产。
22、本专利技术具有如下有益效果：
23、本专利技术通过设置活动部和振动部，可使坩埚在一定范围内摇晃，使坩埚内的清洗剂快速溶解杂质，提高清洗效率；
24、本专利技术通过设置第二开口和阻隔网，可在将加入晶体物料引入中心加热器的同时，将飞溅的晶溶液阻挡，避免飞溅的晶溶液落至晶棒上，实现了连续生产，提高了生产效率。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种磷化铟晶体生产装置，包括炉体和设置于所述炉体顶部的顶盖，其特征在于，还包括：
2.根据权利要求1所述的一种磷化铟晶体生产装置，其特征在于，所述活动部为万向节，所述万向节的一端与所述坩埚托连接，所述万向节的另一端与所述支撑板连接。
3.根据权利要求1所述的一种磷化铟晶体生产装置，其特征在于，所述顶盖上设置有提拉组件，所述提拉组件包括支撑杆、配合设置的液压缸筒和活塞杆、提拉线，所述液压缸筒与所述支撑杆固定连接；所述活塞杆远离所述液压缸筒的一端与所述提拉线连接，所述提拉线的另一端连接有子晶体。
4.根据权利要求1所述的一种磷化铟晶体生产装置，其特征在于，所述加热组件包括设置于所述炉体内壁的侧边加热器和设置于所述坩埚内底部的中心加热器。
5.根据权利要求4所述的一种磷化铟晶体生产装置，其特征在于，所述侧边加热器的数量为多个，多个所述侧边加热器沿所述炉体内壁间隔设置。
6.根据权利要求1所述的一种磷化铟晶体生产装置，其特征在于，所述振动部包括对称设置于所述炉体外侧壁上的两个气缸，所述炉体上设置有第二开孔，所述气缸的运动端连
7.根据权利要求1所述的一种磷化铟晶体生产装置，其特征在于，所述炉体上设置有观察窗。
8.一种如权利要求1-7任一项所述的一种磷化铟晶体生产装置的使用方法，其特征在于，包括以下步骤：
9.根据权利要求8所述的一种磷化铟晶体生产装置的使用方法，其特征在于，步骤S1中的具体实施步骤为：将清洗剂倒入所述坩埚内，通过所述振动部间歇振动坩埚，使坩埚内的清洗剂快速溶解杂质，清洗结束后使用抽液装置将废液抽出。
10.根据权利要求8所述的一种磷化铟晶体生产装置的使用方法，其特征在于，实施步骤S3过程中，通过所述第二开口加入磷化铟晶料，以使熔体液面始终在预定范围内，从而实现晶棒的连续生产。
...【技术特征摘要】
1.一种磷化铟晶体生产装置，包括炉体和设置于所述炉体顶部的顶盖，其特征在于，还包括：
2.根据权利要求1所述的一种磷化铟晶体生产装置，其特征在于，所述活动部为万向节，所述万向节的一端与所述坩埚托连接，所述万向节的另一端与所述支撑板连接。
3.根据权利要求1所述的一种磷化铟晶体生产装置，其特征在于，所述顶盖上设置有提拉组件，所述提拉组件包括支撑杆、配合设置的液压缸筒和活塞杆、提拉线，所述液压缸筒与所述支撑杆固定连接；所述活塞杆远离所述液压缸筒的一端与所述提拉线连接，所述提拉线的另一端连接有子晶体。
4.根据权利要求1所述的一种磷化铟晶体生产装置，其特征在于，所述加热组件包括设置于所述炉体内壁的侧边加热器和设置于所述坩埚内底部的中心加热器。
5.根据权利要求4所述的一种磷化铟晶体生产装置，其特征在于，所述侧边加热器的数量为多个，多个所述侧边加热器沿所述炉体内壁间隔设置。
6.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：石宁，邢振忠，
申请(专利权)人：北京通美晶体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。