本申请涉及固体激光器领域，具体公开了一种用于固体激光器的增益模块及其制备方法，用于固体激光器的增益模块包括复合晶体、第一热沉和第二热沉，所述第一热沉与复合晶体通过焊料封装，所述第二热沉与第一热沉连接；所述复合晶体包括掺杂晶体和设置于掺杂...

本申请涉及磁光隔离器，涉及光学器件的技术领域，其包括磁光隔离机构

本申请公开了一种晶体键合用加热装置及晶体键合方法，涉及键合技术的领域，其包括筒体，还包括电极支架，所述电极支架间隔设置有两个，所述筒体固定架设于两个电极支架上，且所述筒体在电极支架上沿筒体轴线间隔设置有多个，且每个所述筒体的轴线均共线。...

本申请涉及激光晶体领域，具体公开了一种大尺寸复合激光晶体及其制备方法、以及单晶炉。单晶炉包括炉体以及插入炉体的籽晶杆，炉体内设置有发热体，炉体底部旋转设置有坩埚托，坩埚托上对称设置有至少两个坩埚；所述坩埚之间通过坩埚托的旋转可实现多个功...

本申请涉及非线性光学晶体领域，具体公开了一种非线性光学晶体封装体及其焊接封装方法。该焊接封装方法包括：对非线性光学晶体以及热沉的焊接面分别进行金属化镀膜处理；在非线性光学晶体的焊接面与热沉的焊接面之间设置钎焊料，并使三者紧密接触，形成焊...

本申请公开了一种温控机构、复合激光晶体生长系统及复合激光晶体的制备方法，属于激光晶体领域。该温控机构包括调节件、第一保温件和第二保温件。第一保温件的接触端具有第一过孔，第二保温件的接触端具有第二过孔；调节件分别与第一保温件和第二保温件连...

本申请涉及激光器件领域的一种低晶体应力高传热效率的磁光隔离器，其包括封装外壳，封装外壳内由封装外壳的一端向封装外壳的另一端依次安设有第一偏振器、中空柱状的磁环组件和第二偏振器，磁环组件内沿磁环组件的长度方向安设有一非磁性的管体，管体内靠...

本发明公开了一种复合激光晶体的制备方法，属于激光晶体领域。该方法包括：提供晶种和键合原料，晶种用于形成复合激光晶体的第一层，键合原料用于形成复合激光晶体的第二层，第一层和第二层中的一个作为增益介质层，另一个作为功能支撑层；提供反应釜，反...

本发明涉及一种磁光晶体、磁光器件及制备方法，属于光学晶体领域。该磁光晶体的化学式为KTb

本发明公开了一种板条形激光晶体及其镀膜方法，属于激光晶体领域。该板条形激光晶体包括：板条形激光晶体本体，所述板条形激光晶体本体的输出激光端面上具有端部增透膜，所述板条形激光晶体本体的大面上具有保护膜，所述保护膜同时具有倏逝波抑制和泵浦光...

本发明公开了一种YAG系列晶体的光学加工方法，属于激光晶体加工领域。所述方法包括：获取基准件，包括相垂直的水平板、竖直板；利用热熔胶将尺寸相同的多个晶体层叠于水平板上，且使多个晶体的沿轴向分布的第一侧面与竖直板粘接，并将第一固定件、第二...

本发明公开了一种掺镱氧化镥激光陶瓷的制备方法，属于陶瓷领域。该方法包括：制备氧化镱粉体；制备氧化镥粉体；根据掺镱氧化镥激光陶瓷的掺镱浓度称量氧化镱粉体和氧化镥粉体；对称量后的氧化镱粉体和氧化镥粉体、烧结助剂、有机溶剂的混合体进行球磨处理...

本发明公开了一种激光晶体的生长装置及方法，属于激光晶体领域。所述生长装置包括：炉体、电机、电子秤、提升机构；电机的输出轴与下入炉体内部的籽晶杆顶端连接；提升机构与电子秤的支座连接；电子秤还包括：第一端与支座连接、第二端与电机的外壳连接的...

本发明公开了一种掺杂钇铝石榴石激光晶体、键合晶体及其生长方法和装置，属于激光材料领域。该掺杂钇铝石榴石激光晶体掺杂有钐离子，以及用于使所述掺杂钇铝石榴石激光晶体的吸收峰蓝移的掺杂离子。通过向其中掺杂钐离子和掺杂离子，来使其吸收峰蓝移，即...

本发明公开了一种激光晶体的热键合方法及装置，属于激光晶体制备领域。该热键合方法包括：将待键合激光晶体放置到内部填充有多个支撑球体的制备装置中，以使待键合激光晶体埋没于多个所述支撑球体内；将隔板布设在多个所述支撑球体的表面，并对所述隔板施...

本发明公开了一种铝酸钇复合晶体及其制备方法，属于激光晶体领域。该铝酸钇复合晶体包括：工作介质、以光胶的方式键合在工作介质端部的不掺杂基质，该工作介质为掺杂铝酸钇晶体，不掺杂基质为纯铝酸钇晶体。本发明实施例提供的铝酸钇复合晶体，通过在掺杂...

本发明公开了一种氟化钇锂激光晶体的生长装置、生长炉及制备方法，属于激光晶体领域。该生长装置包括：坩埚、设置在坩埚外部的保温筒、设置在保温筒外部的铜感应加热线圈、以及穿过保温筒的顶部伸入坩埚内部的籽晶杆，该保温筒的顶部中间位置设置有用于穿...

本发明公开了一种掺杂钇铝石榴石晶体的生长装置、晶体生长炉及制备方法，属于激光晶体制备领域。该生长装置包括：坩埚、设置在坩埚外部的保温筒、设置在保温筒外部的铜感应加热线圈、穿过保温筒伸入坩埚内部的籽晶杆；保温筒的底部设有通孔，用于向坩埚底...

本发明公开了一种用于生长硒化镉晶体的坩埚及硒化镉晶体的生长方法。该坩埚包括内层坩埚、套装在所述内层坩埚外部的外层坩埚和用于封堵所述外层坩埚的坩埚盖，所述外层坩埚和所述内层坩埚之间设有间隙；所述内层坩埚包括锥形尖端部分和用于硒化镉晶体生长...

本发明公开了一种氟化钇锂复合晶体及其制备方法，属于激光晶体制备技术领域。该方法通过直接键合技术，将c轴晶向的氟化钇锂晶体预键合在a轴晶向的掺杂氟化钇锂晶体的端部，得到第一中间产物；然后在垂直于第一中间产物键合面的方向上，对其进行施压处理...