本发明公开了一个新颖的处理硅烷废气的设备及方法，适用于大规模半导体器件生产过程。该处理系统包含一个高温不锈钢管，里面装满碎石或大的卵石。硅烷废气从薄膜加工设备中排出后被导入该高温钢管，在其中，硅烷被热分解，分解物沉积在碎石上。碎石需定期...

不具有非晶态潜伏层的纳米晶硅薄膜的形成由两个等离子体增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）阶段组成：动态平衡氢离子蚀刻准备阶段和其后真正的生长阶段。第一蚀刻阶段在一个基于硅薄膜的表面形成了一个由细小籽晶（晶核）构成的模板，为在生长阶段初始时期不...

本发明公开了一个适用于太阳能电池的纳米晶硅的制作方法。在等离子体增强化学气相沉积过程中，一个或多个等离子体参数被周期性的调制，使得所形成的纳米晶硅的晶化程度不随薄膜厚度的增长而增加，且一直维持在非常接近于生长成非晶硅的状态。如此形成的非...

本发明公开了一种改善大面积镀膜均匀性的办法。在电容耦合式平行电极的等离子体增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）系统中，将大面积的激发电极进行虚拟的延伸或改变，以减少被引入的射频功率在边界反射和干涉而造成的激发电场的不均匀分布。这种方法简单易行...

本发明公开了一种完全新颖的薄膜沉积的方法，特别是一个方法采用具有三个平行电极的ＲＦ－ＰＥＣＶＤ系统的镀膜方法。此方法将基板放置于通常盛有基板的等离子体区域之外。在两个平行的用于产生等离子体的电极板上事先镀有硅材料，该材料在具有蚀刻性的等...

本发明公开了一种完全新颖的薄膜沉积的方法，特别是介绍一种使用三个电极的蚀刻所导致的薄膜沉积的技术手段。本发明是对蚀刻导致的薄膜沉积方法进行的一个改造。我们使用三个平行的电极，其中所加入的中间电极是带孔或网状的电极。这个做法的优点除了可以...

本发明公开了一种优质氧化锡的形成方法。在使用大气压化学气相沉积法（ＡＰＣＶＤ）制作适用于薄膜太阳能电池的有纹理的低电阻，且高度透明的氧化锡薄膜时，首先在玻璃基板上沉积一个有纹理，但电阻率偏高的第一层氧化锡，然后在其上形成一个本身较平滑的...

本发明公开了一个减弱薄膜光伏器件光反射的方法。将以玻璃为基板的光伏器件浸入含有玻璃珠粒的液体之中，使具有稀疏结构的玻璃物质沉积在基板外表，形成一个光折射系数介于空气和玻璃之间的膜层。这个简单易行的防辐射层制作方法特别适用于大面积，以玻璃...

本发明公开了一个新颖的使用燃煤炉处理硅烷的设备及方法，适用于半导体生产过程。在燃煤炉中穿孔的煤块被有规律地替换添加。被镀膜设备排出的废气进入煤的燃烧区域，含硅的材料这时候被热沉积在燃烧的煤的表面，或者和氧气反应生成二氧化硅而集聚在煤的表...