本发明公开了ＰＥＣＶＤ过程中氢氩高稀释方法生产氢化硅薄膜的技术手段。用ＰＥＣＶＤ（等离子体增强化学气相沉积方法）生产感光度灵敏的氢化硅薄膜时，如在沉积过程中把大量的惰性气体（如氩气）与氢气一起导入含有硅烷的源气体混合物中，可使制成的薄膜...

本发明公开了一种结构更简单，生产成本更低的多结光伏器件。一个多结光伏器件包括首结、第二结和第三结基于硅薄膜的光伏电池，这些电池处于一种叠式的结构。第三结电池的本征ｉ层包含至少一个非晶锗薄膜，该薄膜的带隙不大于１．１ｅＶ。第三结光伏电池的...

本发明公开了一种部分透明的光伏窗，该光伏窗包含置于玻璃衬底上的薄膜硅光伏模板。该光伏模板与另外一个玻璃衬底之间被一个真空空间隔开，这两块玻璃板形成一个密封的、高度热绝缘的节能结构，该结构还有太阳能电池的功能。这种产品非常适合光伏建筑一体...

本发明公开了一个制作薄膜硅光电转换器件的设备和方法。所使用的等离子体增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）系统，由单一真空室和其中置放的承载多个基板的等离子箱构成。一种制造基于氢化硅薄膜的ｐ－ｉ－ｎ型光电转换器件的方法包括以下步骤：在同一真空室...

本发明公开了一种新型薄膜硅太阳能电池的背接触层。尽管以银作为背接触层的小型太阳能电池可具有很高的效能，但银很难被可靠地用于生产基于薄膜硅的光伏器件，因为它的稳定性很差，并且会强化分流。为大幅度提高成品率和稳定性，在制作高性能的大面积、低...

本发明公开一种多结薄膜光伏器件的制作方法。在基于硅薄膜的由多个ｐ－ｉ－ｎ单元依序叠加形成的多结光伏器件中，一个复合层在至少一对相邻单元的ｎ层和ｐ层之间形成，从而消除ｎ－ｐ分界面的导电屏障并改善多结光伏器件的性能。复合层由含有带隙缩窄元素...

本发明公开了一个制造大面积薄膜硅光伏器件的等离子体增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）设备和方法。采用能承载多个电极和大量基板的可移式等离子箱并使用单一真空室，制造基于薄膜硅ｐ－ｉ－ｎ型光伏器件的方法包括以下步骤：将基板放入等离子箱，然后让等...

本发明公开了一种薄膜太阳能电池的超白反射层。薄膜太阳能电池的反光背电极由一个足够厚的透明导电氧化物（ＴＣＯ）薄膜和一个施加在其后的具有高度光反射性的超白反射层构成，使得弱吸收的长波光在ＴＣＯ与超白反射层的界面被反射回太阳能电池的半导体吸...

本发明公开了一种在活跃光吸收层有导电通路的光伏器件。一个太阳能光伏模块包含一排内部串联的隔开的光伏电池，他们在同一个衬底上。每个电池包含：一个第一电极，置于所述衬底上；一个活跃光伏薄膜，置于所述第一电极上；一个第二电极。其中，至少一个所...

本发明公开了一种改进薄膜硅ｐ－ｉ－ｎ型太阳能电池对长波辐射感应的方法。其特征是对一个较厚的ｎ层进行蚀刻处理，导致该层具有微米尺寸的非平坦结构，而在其后置放高度反射的背电极使未被吸收的长波光以较大的角度再次进入光伏转换层的ｉ层中。从而达到...

本发明公开了一种新型的薄膜硅光伏器件的背电极。为了同时获得银和铝薄膜背电极的优点，并抑制它们的缺点，本发明采取将银和铝叠加在一起的复合型背电极，并在它们之间加入一个很薄的氧化铝膜，以防止银和铝的相互扩散。这种背电极反射率高，稳定性强，且...

本发明公开了一种使用具有纹理化表面基板的薄膜光伏器件。在ｐ－ｉ－ｎ型氢化硅光伏器件的玻璃基板的外表面，使用机械或化学的方法使得玻璃基板的外表面具有纹理状态，可以有效的散射太阳光，从而增加光电流，进而提高光电转换效率。

本发明公开了一种新颖的非晶硅薄膜的形成方法。这个依赖于等离子体增强化学气相沉积过程的方法由两步组成，第一步是将硅材料沉积在平行双电极的负电极表面上；第二步是将基板放置在正电极上，利用直流辉光放电的氢等离子体蚀刻的非对称性将负极表面的硅材...

本发明公开了一个使包括氢化非晶硅和氢化纳米晶硅的氢化硅薄膜具有真正本征性的方法。在等离子体增强化学气相沉积过程中，将迹量的含硼气体加入到氢气和硅烷混合物中，使硼与不可避免的ｎ型杂质的掺杂效应相抵消。如此得到的氢化硅ｉ型薄膜，可以提高ｐ－...

本发明公开了一种改进非晶硅太阳能电池稳定性的方法。在使用等离子体增强化学气相沉积法生成氢化非晶硅的过程中，基板的温度被保持在１１０℃之下，并采用高浓度的原子氢减少薄膜生长过程中形成的原子结构和电子缺陷密度。使用这种更接近室温下形成的非晶...

本发明公开了ｐ型聚合物薄膜在氢化非晶硅光伏器件中的应用。真空镀膜产生的１０－３０纳米厚的透明ｐ型聚合物，可被用做ｐ－ｉ－ｎ型非晶硅太阳能电池的ｐ层，减少光吸收损失，从而提高其输出功率。

本发明公开了氢化非晶硼碳（ａ－ＣＢ）薄膜的制作和应用。非晶硼碳合金可由等离子体增强化学气相沉积法在低温下形成。这个ｐ型半导体薄膜，可被用于基于硅薄膜的单结和多结光伏器件，并改善其性能。

本发明公开了将核能转换成电能的原子电池的一种新颖设计。基于非晶硅或其合金的Ｄ伏（ｂｅｔａ－ｖｏｌｔａｉｃ）核电池，具有ｐ－ｉ－ｎ型半导体薄膜的器件结构，含氚的β放射性元素放置在氚化非晶硅或其合金所构成的ｐ层和ｎ层之中，而ｉ层由不含氚的，...

本发明公开了将核能转换成电能的原子电池的一种设计方案。本发明通过由多结非晶硅ｐ－ｉ－ｎ型电池重叠而成的多结核电池，使得基于非晶硅的β伏（ｂｅｔａ－ｖｏｌｔａｉｃ）电池的电压和输出功率大大增强。在此类非晶硅多结β伏核电池中，β辐射也可由放...

本发明公开了将核能转换成电能的原子电池的一种设计方案。本发明由于把含氚的β放射性元素放置在ｐ－ｉ－ｎ型器件的ｉ层之外，使得基于氚化非晶硅的β伏（ｂｅｔａ－ｖｏｌｔａｉｃ）核电池的性能被极大地提高。由氚化非晶硅或其合金所组成的ｐ层和ｎ层是...