本发明提供了一种制备氧化锌薄膜晶体管的方法，属于半导体技术平板显示领域。该方法核心在于制备氧化锌沟道层后进行退火，退火工艺具体为：放入真空腔中，对真空腔进行抽真空，真空度在3×10-3Pa至4×10-3Pa之间开始退火，退火温度为250...

本发明提供了一种隧穿场效应晶体管及其制备方法，属于CMOS超大集成电路（ULSI）中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。本发明的核心是：对于N型晶体管，掺杂源区在N-掺杂的基础上，在靠近控制栅边缘的一侧又注入P+，使得该注入部分原有的N-...

本发明提供了一种利用标准CMOS?IC工艺制备互补隧穿场效应晶体管的方法，属于CMOS超大集成电路（ULSI）中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该方法利用标准CMOS?IC工艺中的互补P阱和N阱掩膜版，用于注入形成阱、沟道掺杂和阈值调...

本发明提供了一种适于锗基器件的界面处理方法，属于超大规模集成电路（ULSI）工艺制造技术领域。该方法采用15%～36%浓盐酸溶液去除锗基衬底表面的自然氧化层，然后用5%～10%稀盐酸溶液对表面悬挂键进行钝化，在表面形成一层稳定的钝化层，...

本发明公开了一种自路由单元电路及其控制方法。本发明的电路适用于大规模互联的神经网络系统中，前神经元与两个以上后神经元的突触连接采用自路由单元电路，具有两条以上并联的支路，每条并联支路由一个或者多个双极阻变忆阻器构成，每条支路具有不同的结...

本发明公布了一种基于全变差和欧拉弹性杆的有监督模式识别方法，首先在所述最小二乘正则化框架下构造出基于全变差和欧拉弹性杆的能量泛函；然后利用变分法将该能量泛函最小化问题转换为求解对应的欧拉-拉格朗日偏微分方程；对所述偏微分方程求解，进而得...

本发明公开了一种基于模糊处理的抗硬件木马(Hardware?Trojan)电路设计方法，该方法主要包括两个部分：第一部分是一个有限状态机FSM；第二部分是修改了D触发器结构的原始电路——利用D触发器的Q和非Q端，把它们连接入一个多路选择...

本发明公布了一种公式查询条件的输入方法和装置。所述方法包括：用户通过截取屏幕区域的方式，选定当前文档的数字内容中需要检索的公式区域；如果当前文档为版式文档，则进行版式文档符号识别；否则，进行图像文档符号识别；根据公式符号对公式的布局结构...

本发明涉及一种气溶胶湿度控制方法及装置，其包括以下步骤：1）在进入颗粒物分析仪器的气流路径中，依次设置一低温恒温装置和一加热恒温装置；2）在所述低温恒温装置中，将进样气流的温度调节至设定温度Ti，并在该温度下进行加湿或除湿的处理，以满足...

涉及一种分离转炉煤气中CO2及富集CO的方法，属于冶金资源综合利用领域，提供一种转炉煤气处理回收利用的节能技术。将高温转炉煤气由高温陶瓷过滤除尘，高温余热可以得到利用，并用化学吸收法进行CO2的捕集同时CO得到富集，提高了转炉煤气的利用...

本发明公开了D，L-鸟嘌呤核苷类似物单磷酸酯及其制备方法和应用，其结构式分别为通式I或II所示，其中R1为氨基、脂肪氨基、环烷氨基或吡咯烷基，R2为脂肪氨基或烷氧基。本发明D，L-鸟嘌呤核苷类似物单磷酸酯显示了很好的化学稳定性和药代动力...

本发明涉及一种强化镁沉淀去除饮用水中氟离子的方法，本发明包括高硬度浅层水与高氟水综合净化和强化共沉淀净化两种方法，详细方法见说明书。本发明优点是：（1）传统中和软化除氟需要pH调至11左右，生成大量镁沉淀才能对氟有较好的去除效果，本发明...

本发明公开了一种改性斜发沸石复合材料及其制备方法和应用。本发明的改性斜发沸石复合材料包括斜发沸石、斜发沸石粉、表面改性剂、还原铁粉以及蒸馏水按比例混合。本发明的表面改性斜发沸石复合材料用于渗透反应墙大大增强了对于受六价铬污染地下水的修复...

本发明公开了一种载GDNF微泡及制备方法。该载GDNF微泡由内部包裹生物惰性气体的脂质双分子层和连接于所述脂质双分子层外侧的生物素化的GDNF组成。采用MRI实时引导低频聚焦超声联合载有GDNF微泡开放BBB辐照大鼠颅脑顶叶皮层区(最佳...

本发明涉及一种实时识别踝关节运动的肌电信号采集设备及识别方法，它包括一肌电信号采集电路和一上位机，所述肌电信号采集电路采集肌电信号采集设备模拟信号输出端的肌电信号，处理后传输至所述上位机内，由所述上位机处理后实时识别踝关节状态；所述肌电...

本实用新型提供了一种平板型太阳能空气集热器，包括盖板(2)、底板(6)和设置在盖板(2)和底板(6)之间的吸热板(4)，所述吸热板(4)下铺设有蓄热材料，和/或，所述吸热板(4)上铺设有蓄热材料。本实用新型可以有效降低集热器的热损失，提...

本发明公开了一种用于卫星CDMA系统的功率控制方法，属于通信技术领域。本发明的方法为：1)中心站确定使所有移动站的信干噪比均达到预期值时，各移动站信号接收功率的下界PThr；2)在第k次循环中，中心站对来自各移动站的接收信号进行解扩、信...

本发明公开了一种阻变存储器的制备方法及阻变存储器，所述方法包括以下步骤：A：通过丝网印刷机将配置好的金属浆料氯铂酸印刷到衬底上，再经热处理得到金属字线；B：采用溶胶凝胶法制备金属氧化物浆料；C：采用丝网印刷机将配置好的金属氧化物浆料印刷...

本发明公开了一种实现锗基MOS器件有源区之间隔离的方法，在锗基衬底表面上覆盖一薄层多晶硅或多晶锗硅，然后在有源区被保护的情况下，通过两步氧化形成表面覆盖二氧化硅层或氧化锗硅层的二氧化锗隔离结构，这种以多晶硅多晶锗硅作为牺牲层的两步氧化工...

本发明涉及一种3D芯片TSV(硅穿孔)互连的内建自测试及内建自修复技术。具体是指在芯片设计阶段，插入相应的内建自测试及内建自修复电路，并设计冗余TSV通道。3D芯片上电复位后(Power-on?Reset)，内建自测试电路即开始工作，对...