本发明提供一种物联网设备的控制方法、装置和物联网。第一探测器和第二探测器分别探测并获取传感器的名称及检测数据和物联网设备的名称及工作状态，并发送给软件系统的控制模块；控制模块根据传感器的名称及检测数据、物联网设备的名称及工作状态，以传感...

本发明公开了一种折射率传感器及其探测方法。本发明的折射率传感器包括：激发装置和测量装置；激发装置包括单色光源、聚焦器件和传感器芯片；测量装置由漏辐射显微镜系统组成，包括油浸物镜、成像透镜和CCD相机；单色光源经聚焦器件入射到传感器芯片上...

本发明公开了一种粒径为2～4nm的Y型酞菁氧钛纳米粒子及其制备方法与应用。该方法包括如下步骤：将酞菁氧钛浓硫酸溶液与水或稀硫酸，或溶有表面活性剂的水或稀硫酸，或小分子有机化合物的水溶液混合，向所形成的悬浊液或水溶胶中加入氯代烃把酞菁氧钛...

本发明提供一种金属微小结构的加工方法，其步骤包括：在金属基片背面刻蚀双面对准标记和背面盲孔的对准标记；采用微细电火花工艺在基片背面制作盲孔阵列；采用物理气相沉积方法在基片背面制作金属层；根据产品的结构形状，在基片正面对应区域定义掩膜图形...

本发明提供一种使用混合气体刻蚀制备纳米森林结构的方法。将硅片放入等离子体刻蚀设备反应室后，抽取反应室内气体至本底真空，混合通入刻蚀气体与钝化气体，调节工作压强至预设范围；然后启动射频电源，产生稳定等离子体，使等离子体与硅发生反应，进行刻...

本发明公开了一种环境敏感的聚合物空心微球及其制备方法。该制备方法包括如下步骤：将醚类化合物溶于水中得到水溶液；然后用60Co?γ-射线或电子束对所述水溶液进行辐照；将所述辐照后的产物进行离心分离，收集沉淀并洗涤后经干燥即得产品。本发明提...

本发明涉及一种具有多颜色变化性质的力致荧光变色化合物(简称MC-I/II)的制备方法和基于该化合物的力致荧光变色材料的制备和应用。本发明所提供的化合物合成路线简单高效，所制备的力致荧光变色材料具有外力刺激响应性，在不同程度的外力作用下有...

本发明公开了一种分离金属型和半导体型单壁碳纳米管阵列的方法。该方法，包括如下步骤：将氨基功能化胶带或苯基功能化胶带置于位于基底上的金属型和半导体型单壁碳纳米管阵列的表面，加压作用后，即在所述基底上得到金属型或半导体型单壁碳纳米管阵列，完...

本发明公开了一种制备碳化硅微纳米针尖的方法，用标准半导体工艺中的光刻和湿法腐蚀在硅片正面制得倒金字塔结构的凹陷，作为针尖的模版；然后在硅片上生长SiC薄膜，并开窗口定义出SiC针尖和悬臂梁结构；同时用光刻和湿法腐蚀(或干法刻蚀)在玻璃片...

本申请公开了一种对VoIP业务进行混合资源分配的方法，可以包括：当用户处于激活期时，基站为用户分配半持续无线资源；基站在分配完半持续资源之后，判断下行缓存区剩余的数据量和上行缓存区剩余的数据量，若其大于某个阈值，则基站在半持续调度的基础...

本发明公开了一种音视频复用装置，复用的视频ES流和音频PES都从外部存储器获得，视频ES流由视频编码器编码生成，音频PES包通过音频编码器编码封包得到，CPU部分将节目专用信息(PSI)、节目时钟参考(PCR)根据标准中传输流TS的语法...

本发明公开了一种基于AVS的亚像素运动估计的装置，该装置包含两套插值搜索电路。每套插值电路中分别包含1/2插值单元、1/4插值单元、模式选择单元和色度差值单元。在1/2像素差值搜索中记录最优1/2像素点和最差1/2像素点的位置。根据这两...

本发明公开了一种整像素精度运动估计方法及系统，通过将搜索窗数据分为16种类型像素点并按奇偶宏块列分别存入32片RAM里，并使用16个双4x4点运动代价运算单元分别计算各种类型像素点的运动估计代价，然后在分层搜索时，对这些运算单元进行分配...

本发明公开了一种AVS帧内模式决策装置，包括：帧内模式决策调度控制模块，用于帧内预测模块、率失真代价计算及模式决策模块、帧内模式决策输出模块的输入、命令控制、功能调度和数据输出，这样一系列的处理流程的控制；帧内预测模块，用于产生每一个数...

本发明公开了一种高清编码器的运动估计搜索窗数据复用方法，包括如下步骤：编码器装窗初始化步骤，从片外存储读取若干宏块列，之后每更新一列搜索窗数据可供整像素运动估计模块编码1个或2个宏块；编码器装窗稳定步骤，每更新一列搜索窗数据可供整像素运...

本发明提供了一种处理消息及消息状态的方法、装置和数据交换服务器，以解决现有的消息中间件技术对于消息状态的处理效果不佳的问题。该方法包括：消息发送装置在向数据交换服务器发出消息之后，根据消息发送的结果记录所述消息的状态；消息发送装置在接收...

本发明公开了一种基于半监督神经网络模型的入侵检测方法，属于网络信息安全领域。本方法为：1)利用训练集A初始化GHSOM神经网络第0层神经元，并计算QE0；2)从第0层神经元中拓展出一SOM，并将其层次标识Layer置为1；3)初始化第L...

本发明公开了一种氧化物薄膜、薄膜晶体管及其制备方法，涉及薄膜晶体管技术领域。在薄膜晶体管中，氧化物薄膜沟道层的氧化物薄膜的化学通式为Sn-X-Zn-O，X是Si、Ge、La或者Y元素；栅电极设置在基底上方；栅极绝缘层设置在栅电极以及基底...

本发明公开了一种大规模集成电路中FinFET的制备方法。本发明方法是一种后栅工艺，利用STI化学机械抛光平面进行第一次假栅的光刻和刻蚀，然后形成源漏，再淀积中间介质层，再次利用化学机械抛光将中间介质层研磨到第一次假栅的顶部，利用干法刻蚀...

本发明提供了一种二氧化硅表面图形加工的方法，属于集成电路表面加工技术领域。该方法包括：在二氧化硅衬底上形成图形化的石墨烯层，并在石墨烯层上再沉积一层二氧化硅薄膜，随后用氢氟酸溶液刻蚀掉二氧化硅薄膜，即可在二氧化硅衬底上形成形状与石墨烯相...