本发明实施例公开了一种光盘制作方法及装置，涉及多媒体应用技术领域，所述方法包括：根据用户需求，对原有的光盘模板进行编辑；将内容数据和模板结合，生成浏览数据和浏览导航页面。本发明适用于制作光盘。

本发明公开了一种基于剖分编码的影像结构化表达的实现方法，能够避免使用矢量数据表达地理对象带来的各种弊端。该方法包括：步骤1，采用指定层的GeoSOT网格对影像数据进行剖分处理，并采用GeoSOT编码方案对剖分获得的每个剖分面片进行编码，...

本发明公开了一种确定地物之间方向角度的方法，该方法利用计算机在矢量图像上对地物目标之间的方向角度进行定量计算，并以参考线来描述、显示相互之间的角度。通过本发明能够有效计算目标之间的方向角度，从而为方向关系的定性描述提供参考数据，避免了人...

本发明提供了新的抑癌基因UNC5D基因及其编码蛋白的新应用，具体涉及：UNC5D基因和/或其编码的蛋白在制备治疗癌症的药物中的应用；检测UNC5D基因或其编码的蛋白的试剂在制备用于癌症的辅助诊断和/或预后判断的组合物中的应用；UNC5D...

本实用新型公开了一种树木径向生长监测器。所述监测器包括一个刚性条带；所述刚性条带上设有通孔a和通孔b，所述通孔a和通孔b之间设有间距；靠近所述通孔a的所述刚性条带的端部设有一缺口；所述监测器还包括一弹簧，所述弹簧的两端可分别连接于所述通...

本发明实施例提供了一种视频位流解码方法和装置，用于解码包含至少一帧背景图像的视频位流。其中，所述视频位流解码方法包括：接收被解码的视频帧，其中所述视频帧中包含了至少一个语法标志，解析所述视频帧中是否包含第一标志（标志当前帧是否为背景帧）...

本发明公布了一种基于原模图的准循环LDPC码构造方法及装置。构造方法中对原模图进行两次扩展，第一次扩展次数L1较小，采用修正PEG算法去除原模图中的重边、增大扩展后码的围长。第二次扩展次数为L2，即给第一次扩展中建立的连接挑选一个循环移...

一种垂直非均匀掺杂沟道的短栅隧穿场效应晶体管及制备方法。所述短栅隧穿场效应晶体管具有垂直沟道并且沟道区掺杂为缓变非均匀掺杂，沟道掺杂浓度沿垂直方向呈高斯分布并且靠近漏端处沟道掺杂浓度较高，靠近源端处沟道掺杂浓度较低；另外，在垂直沟道两侧...

本发明公布了一种制备源漏准SOI多栅结构器件的方法，包括：形成Fin条形状的有源区；形成STI氧化隔离层；形成多晶硅假栅结构；形成源漏延伸区结构；形成源漏准SOI结构；形成高k金属栅结构。本发明所述方案可以通过与传统体硅CMOS兼容的工...

本发明公布了一种锗基肖特基结的制备方法，包括：对N型锗基衬底进行表面清洗，然后在其表面淀积一层CeO2，再淀积一层金属。稀土气化物CeO2与锗衬底接触，可在界面处形成稳定的Ce-O-Ge键，有利于降低界面态密度低，提高界面质量，并减小M...

本发明涉及一种基于本体结构的个性化推荐方法，步骤包括：1）根据本体结构组成一概念词典；2）将待推荐物品按照概念词典进行分词，将分词结果中的每一个词条在所述本体结构的对应节点位置标记为该物品；3）在设定的时间内将用户浏览过的物品集合表示为...

本发明公开了一种关系-XML混合数据关键字查询方法。本发明为：1)根据数据库的模式信息从数据库中读取数据，生成元组数据图；数据库为对关系数据和XML数据是逻辑上共同存储，物理上分开存储；2)对关系数据与XML数据进行倒排索引；3)查找输...

本发明公开了一种用于影像数据提取的剖分预处理方法及数据提取方法，属于地球空间信息组织、影像数据处理技术领域。剖分方法为：使用设定层级的GeoSOT面片对待处理影像进行剖分，得到覆盖待处理影像的剖分面片集合；使用GeoSOT编码方案对得到...

本发明公开了一种提高原油采收率的方法。在原油采收之前，针对油田0～800m深度的浅部储层岩心，注入具有硅酸盐矿物分解能力的好氧微生物；针对油田800m以上深度的深部储层岩心，注入具有铁还原能力的厌氧微生物；待注入的微生物与储层粘土矿物作...

本发明涉及一种综合性能优异的石墨烯纸及其制备方法，为解决现有制备技术中石墨烯纸力学性能与导电性能难以同时提高的问题。本发明提供一种制备高性能石墨烯纸的简易方法，首先用两步化学还原法制备得到高导电率的石墨烯粉末，然后将制得的高导电率石墨烯...

本发明公开了一种基于GeoSOT剖分编码的网络地址设计方法和数据资源调度方法，属于地理空间信息组织、地理信息系统和计算机网络领域。网络地址的设计方法为：获得包含用户主机管理数据资源的地理范围的最小GeoSOT剖分面片的二进制一维GeoS...

本发明公开了一种16QAM调制信号的相位噪声补偿方法。本方法为：1)对光16QAM信号进行接收，采样后得到信号实部和虚部以及相应的16QAM信号星座图；2)基于16QAM信号星座图，按照信号点的幅值信息对信号进行分区，划分成三类。3)计...

本发明公开了一种脊型GaN基激光二极管的制备方法，该方法通过在干法蚀刻脊型和沉积绝缘层之前在脊型的顶部掩埋一层不透明挡光层，阻止紫外光对脊型顶部光刻胶的曝光，然后通过背向曝光技术实现第二次光刻，继而可以采用湿法腐蚀绝缘层窗口，接着借助对...

本发明提供一种基于标准CMOS工艺的集成定向耦合器。该集成定向耦合器包括：第一层线圈，两端分别为输入端和直通端，其间设有可调电容阵列，用于频率调谐；第二层线圈，两端分别为耦合端和隔离端，其间设有可调电容阵列，用于隔离度调谐。两层线圈均为...

本申请公开了一种存储器件、存储器阵列及其制造方法，其中，该存储器件包括：由n型半导体材料组成的下电极层；位于下电极层上的阻变材料层；以及位于阻变材料层上的由金属材料组成的上电极层。该存储器件是自整流的可变电阻，可应用于交差阵列存储电路结...