北京大学专利技术

北京大学共有15469项专利

  • 本发明涉及到一种用于装填毛细管的装置,其特征在于:包括一基座、一背板、一下固定台面、一毛细管固定装置、一螺旋旋进装置、一上固定台面。螺旋旋进装置包括一活动板、线性轴承、导柱、轴承、旋钮、角度指示器、铜套、丝杆、顶针。线性轴承安装在活动板...
  • 一种用于制备图形衬底的一体化湿法腐蚀设备,该设备包括:控制单元;图形衬底制备单元,图形衬底制备单元主要分为:高、低温酸腐模组,图形掩膜制备模组和清洗模组。本发明引入了进行了特殊设计的BOE腐蚀槽,首先从功能上实现了图形掩膜图形化的制备功...
  • 本实用新型涉及集成光电子技术领域,具体涉及一种光隔离器。本实用新型提出一种小尺寸、低损耗、无附加能耗、易于加工、成本低廉的无源光隔离器,可以与激光器、放大器、调制器等器件或系统组合使用,也可以增大版图设计的自由度。本实用新型一种光隔离器...
  • 一种基于等离子体透镜的激光离子加速系统及其加速方法
    本发明公开了一种基于等离子体透镜的激光离子加速系统及其加速方法。本发明的激光离子加速系统包括:激光脉冲以及靶;其中,激光脉冲包括激光主脉冲和激光预脉冲;靶沿激光脉冲的传播方向包括透镜部分和加速部分。本发明利用激光预脉冲与透镜部分相互作用...
  • 一种去除较高密度碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法
    本发明公开了一种去除较高密度碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法。本发明采用多次蒸胶烧胶的办法,可以使得胶的开口分布在100~200nm,就可以去除密度大于10根/μm的碳纳米管阵列在金属性碳纳米管阵列,从而得到密度较高,大于10根/μm...
  • 本发明公开了一种锗基CMOS的制备方法,属于半导体器件领域。该方法利用离子注入的方法精确控制阱的深度与掺杂浓度,并在注入后通过牺牲氧化的方法改善由于离子注入、淀积掩蔽层与场区氧化物带来的锗基衬底表面的粗糙度的退化。本发明工艺简单,与传统...
  • 基于深N阱工艺隔离隧穿场效应晶体管的制备方法
    本发明公开了一种基于深N阱工艺来隔离隧穿场效应晶体管的制备方法,属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该方法有效利用了标准CMOS IC工艺中现有的工艺,采用深N阱以及STI区注入N阱的设计,在不增加任...
  • 一种光阴极材料光电子发射性能评测装置及其评测方法
    本发明公开了一种光阴极材料光电子发射性能评测装置及其评测方法。本发明的评测装置包括:真空腔室、真空抽气系统、真空度测量系统、光阴极组件、电源系统、光电子成像系统、数据采集系统、激光激发系统以及聚焦面镜。本发明通过在真空腔室内部设置聚焦面...
  • 本发明公开了一种直流触发与瞬态触发结合的电源钳位ESD保护电路,所述电路包括瞬态触发模块、直流触发模块以及泄放器件。所述瞬态触发模块根据电流脉冲上升的时间判断是否为静电放电冲击,若是,则发送第一响应信号,使所述直流触发模块进入可用状态;...
  • 本发明一种用于测序的高通量扩增质粒的方法,属于质粒扩增技术领域。包括:将10×phi29 DNA聚合酶缓冲液、Hexamer引物、待测样品和去离子水混合均匀,在95℃加热3分钟,然后置于冰上冷却,得到反应液(Ⅰ);在反应液(Ⅰ)中加入浓...
  • 一种阻变栅隧穿场效应晶体管,包括一个控制栅层、一个栅介质层、一个半导体衬底、一个隧穿源区、一个低掺杂漏区和一个沟道区;控制栅采用栅叠层结构,依次为:底电极层、挥发性阻变材料层、顶电极层;挥发性阻变材料层为具有挥发性阻变特性的材料层;沟道...
  • 本发明公开了一种治疗和/或预防肿瘤的药物。本发明所提供的治疗和/或预防肿瘤的药物,其活性成分由组分A和组分B组成,所述组分A为抗坏血酸可溶性盐或抗坏血酸,所述组分B为戒酒硫。由抗坏血酸钠和戒酒硫组成的组合药物可有效地抑制体内外癌细胞的生...
  • 本发明涉及的是一种基于纳米孔结构的蛋白质分子电子器件,是一种单酶生物传感器,可以用于检测溶液中浓度极低的底物分子,可用于单分子DNA的测序。该发明属于第三代DNA测序器件。一种基于纳米孔结构的蛋白质分子电子器件,其特征在于:1)具有纳米...
  • 一种高晶体质量AlN外延层的生长方法
    本发明涉及外延层生长技术领域,尤其涉及一种基于大倾角蓝宝石衬底上生长高晶体质量ALN外延层的方法。该生长方法采用大倾角蓝宝石衬底,包括以下步骤:烘烤衬底;低温沉积AlN成核层;升温退火;AlN高温外延生长,利用台阶聚效应导致的宏台阶降低...
  • 5-醛基胞嘧啶特异性化学标记方法及相关应用
    本发明涉及5-醛基胞嘧啶特异性化学标记方法及在测序、检测、成像及诊疗等方面的相关应用。该方法是利用含有侧链活性基团的活泼亚甲基化合物中的活泼亚甲基与5-醛基胞嘧啶或其1号位取代的衍生物中的醛基发生缩合反应,同时使其侧链活性基团与胞嘧啶4...
  • 本发明公开了模拟地下水一维溶质运移过程的方法,属于地下水动力学领域。该方法利用马尔科夫链的基本性质,通过利用粒子的跳动实现对溶质运移的刻画,根据大量的随机游走的粒子的概率分布对溶质的运移过程进行模拟,完全不同于传统的数值解法,利用本发明...
  • 背景建模方法、装置及设备
    本发明公开了一种背景建模方法、装置及设备,其中,背景建模方法将高斯混合模型中原本为浮点计算的权重、均值和方差等参数的更新,等价转化为对应新参数累加权值和、累加均值和以及累加方差和的整数迭代,并利用新参数及整数除法模拟算法完成高斯混合模型...
  • 本发明公开了一种具有3’-5’外切活性的核酸酶检测的硫代探针。该硫代修饰寡聚核苷酸荧光探针具有茎环结构,其环部为单链结构,由4-8个核苷酸残基组成,而茎部则由8-15对核苷酸残基组成,该探针每两个碱基之间的磷酸二酯键全部硫酰化,只有3’...
  • 基于空间激光通信端机的自主导航系统及其自主导航方法
    本发明公开了一种基于空间激光通信端机的自主导航系统及其自主导航方法。本发明在传统的空间激光通信端机的基础上,增加了星体捕获系统,从而能够识别恒星以及行星或其卫星并获得方位信息,通过计算恒星-航天器-行星(或其卫星)之间的夹角,最终获得航...
  • 本发明公开了一种用于大功率RF MEMS开关的高温金属微电极制备方法,共有八个步骤。采用高温难熔金属电极是RF MEMS开关实现大功率处理能力的解决方案。通常高温难熔金属的硬度很高而且内应力特别大,金属铱和金属钌的杨氏模量比金的大6~7...