本发明公开了一种原位消减水体重金属污染的生物浮床，其包括壳体(2)、容纳于壳体(2)中的填料床(3)、生长在填料床(3)上的超富集植物(1)和富集在填料床(3)中的趋磁性细菌。本发明还公开了一种利用上述生物浮床原位消减水体重金属污染的方...

本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)技术领域。该阻变存储器包括一衬底，衬底上设置绝缘层和底电极，在底电极上设有隔离层和第一层阻变薄膜，所述隔离层形成凹槽状器件区域，所述第一层阻变薄膜淀积在隔离...

本发明涉及光通信技术中发光光源技术领域，尤其涉及一种采用铒镱、铒钇或铒镱钇硅酸盐无机化合物纳米线材料制备低阈值硅基纳米激光器的方法。该制备包括：原料制备；放入煅烧炉，并通入气体；煅烧生长纳米线；制备纳米线酒精溶液，并得到硅基纳米激光器。...

本发明是涉及的是一种基于纳米对电极的单分子核酸测序器件，是一种单分子核酸测序器件，通过检测核酸聚合酶的导电特性实现单分子核酸分子的快速测序，该发明属于第三代DNA测序器件。一种基于纳米对电极的单分子核酸测序器件，其特征在于：制备纳米对电...

本发明公开了一种多尺度精度控制下的层次化网格分割方法。本方法为：对每一次分割结果，计算其对应的形状信息；在下一次迭代分割的过程中，使用上一次计算的形状信息进行指导；在分割过程中同时考虑模型的局部几何信息，以补充处理分割的区域比较复杂而不...

本发明公开了一种基于情景感知的向移动用户推荐最优联系方式的方法。本发明通过使用智能手机的传感器数据以及日历数据，能够识别接听方当前所处的情景，进而在特定的情景下为呼叫方准确的推荐合适的联系方式，并能对推荐的联系方式进行排序，从而方便呼叫...

本发明公开了一种瞬态触发静电放电保护电路，包括瞬态触发模块、钳位晶体管开启模块、以及钳位晶体管。本发明提供的一种瞬态触发静电放电保护电路，在不使用电流镜的前提下，大大缩小了瞬态触发静电放电保护电路的面积，同时比之于电流镜的应用，能够在E...

本发明公开了一种高开关比的自对准双栅小带隙半导体晶体管及制备方法。该结构利用将漏端偏压反馈到辅栅，从而在漏端附近形成一个被钳位的方形势垒，使得大偏压下工作时能很好的抑制漏端少子反向隧穿，故能在保持无掺杂小带隙半导体顶栅器件高性能的同时增...

本发明公开了一种带隔离的隧穿场效应晶体管的制备方法，属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。在该方法中，采用相对高阻的p型硅片直接用作TFET器件的沟道区和体区，且相比标准CMOS IC工艺，增加了一块用...

本发明提供一种高码率图像的视频编、解码方法及系统，编码方法的步骤是编码端首先对原始的高码率图像编码得到其重建图像，为基本层的基本图像，然后根据原始的高码率图像和基本图像得到残差层的残差图像，对残差图像编码得到残差图像的重建图像，根据基本...

一种磁性分子印迹纳米颗粒及其制备方法和应用。该纳米颗粒不仅可以在体外对溶液中的目标蛋白进行特异性识别、捕集、分离和活性抑制，更为重要的是，能在磁场作用下快速进入活细胞，对其中的目标蛋白进行原位的结合和活性抑制，并可以在进行荧光标记后，通...

本发明公开了一种电刺激形成人工视觉的设备及方法，该设备包括：图像采集单元，用于采集图像；信号转换单元，用于将获取到的图像转换为电刺激信号；信号传输单元，用于将电刺激信号发送到电刺激阵列上面；电刺激阵列，用于使用电刺激信号对与该电刺激阵列...

一种抑制输出非线性开启的隧穿场效应晶体管，包括隧穿源区，沟道区，漏区，半导体衬底区，位于沟道区上方的栅介质层，以及位于栅介质层之上的控制栅；所述的沟道区位于隧穿源区上方且位置与隧穿源区部分重叠，在沟道区与隧穿源区界面处形成隧穿结；所述漏...

本发明涉及到一种用于毛细管方法的实验装置，其特征在于：包括两旋盖、两滤膜压片、两滤膜、四定位销和中间套管。所述实验装置工作原理为将填充满粘土的毛细管放置在中间套管中，然后将滤膜放置在滤膜压片和中间套管中间，并在定位销作用下使得滤膜压片上...

本发明公开了一种在GaN衬底上同质外延生长的方法，利用环状图形掩膜侧向外延实现氮化镓(GaN)衬底上同质外延生长，该方法能够获得比较完美的GaN外延层，可有效降低位错密度，该外延层位错密度可以达到106/cm2以下；可有效降低GaN基L...

本发明公开了一种在线矢量图建模过程的描述与重现方法。本发明的建模过程的描述是“高保真”的，一方面提取的具有建模语义的操作能够反映出全部或大部分底层事件的内涵，另一方面对于冗余的操作需要进行过滤；建模过程的重现是“自适应”的，一方面由于在...

本发明涉及到一种用于高温条件下核素迁移研究的实验装置，其特征在于：它包括一PTFE材质的扩散内胆、一金属外框，所述扩散内胆安置于所述金属外框开口处，并被所述金属外框的顶板顶紧以固定在外框内；中心扩散岩片两侧分别加O型垫片后放置在两扩散池...

本发明公开了一种新型的高容量储氢薄膜及其制备方法。储氢薄膜为有Pd覆盖层的MgxY100-x合金薄膜（其中10≤x≤90）。其制备方法为：以Mg和Y为靶材，在基体上通过磁控溅射共溅射的方法制备Mg-Y合金薄膜，并进一步在Mg-Y合金薄膜...

一种稳定使用BOE腐蚀SiO2的缸体设计，所述缸体设计中湿法腐蚀区主要包括缸体部分和图形掩膜制备用特制腐蚀支架；其中缸体部分包括：高、低温酸性溶液腐蚀槽；BOE腐蚀槽；去离子水清洗槽；所述BOE腐蚀槽放入现有高温腐蚀设备中，使图形掩膜腐...

本发明涉及集成电路芯片静电放电保护领域，尤其涉及一种直流触发型电源钳位ESD保护电路。该直流触发型电源钳位ESD保护电路包括泄放晶体管Mbig，用于泄放静电电荷；直流电压探测电路，连接于电源线VDD与地线VSS之间，并与所述泄放晶体管M...