本发明公布了一种基于单幅线条图像的三维立体重建方法。该方法首先将输入的线条图像进行矢量化处理，将其转换为二维矢量线条图，然后应用子图同构的方法将二维矢量线条图与预先设定的三维模型库进行匹配，与之匹配的模型称为候选模型，最后将线条图与候选...

本发明涉及提供具有肿瘤导向性治疗作用的多肽-药物缀合物，多肽-药物缀合物的制备方法及其应用。本发明多肽-药物缀合物可以特异性的将PD0325901类似物输送到整合素αvβ3过量表达的癌细胞内，进而起到对肿瘤导向性治疗的作用。

本发明公开了一种利用数字基高比时间模型的高程定位精度提升方法，包括：首先，利用数字基高比时间模型建立立体测图的交会影像数N与高程定位精度MZ的关联模型；第二，根据交会影像数N与高程定位精度MZ的关联模型构建相机阵列系统；第三，将相机阵列...

本发明涉及集成电路芯片静电放电保护设计的技术领域，具体公开一种低漏电型电源钳位ESD保护电路。本发明公开的低漏电型电源钳位ESD保护电路包括瞬态触发模块、直流电压探测模块以及泄放晶体管。本发明公开的低漏电型电源钳位ESD保护电路在芯片正...

本发明实施例提供一种Web环境下支持触屏的UML建模方法与装置。所述建模工具在Web环境下支持多点触控交互方式，包括表现层、交互处理层和存储层；所述表现层包括建模视图，所述建模视图用于在Web环境下获取用户的建模操作；所述交互处理层用于...

本发明提供了一种视频中滚动字幕的检测和识别方法，属于视频检索领域。该方法包括以下步骤：(1)滚动字幕区域的检测；(2)采用自适应检测窗口的方法，对检测到的垂直滚动字幕区域进行过滤，以降低字幕识别的重复率；(3)将包含水平字幕的多帧图像拼...

一种具有较小版图面积的环栅场效应晶体管，包括：衬底(1)；在衬底上的浅槽隔离区STI(5)；在衬底上且被STI区包围的源区(2)；被源区包围的栅介质(7)；覆盖在栅介质上的栅电极材料(4)；以及被栅包围在中心的漏区(3)；其中，所述的栅...

本发明公布了一种深能级杂质隧穿场效应晶体管及其制备方法，该深能级杂质隧穿场效应晶体管包括隧穿源区、深能级杂质掺杂区、沟道区、漏区和控制栅；控制栅位于沟道区的上方；深能级杂质掺杂区在隧穿源区与沟道区交界面处，该深能级杂质的掺杂类型与隧穿源...

本发明公布了一种反错层型异质结共振隧穿场效应晶体管及其制备方法。该器件包括隧穿源区、沟道区、漏区和位于沟道区上方的控制栅，其中，隧穿源区与沟道区的异质隧穿结的能带结构为反错层型异质结。若为N型器件则在隧穿源区与沟道区的异质隧穿结交界面处...

本发明提供了一种玻璃衬底或者塑料衬底上制备薄膜晶体管的方法，属于半导体行业、平板显示领域。该薄膜晶体管采用氧化锌锡/氧化铟锡/氧化锌锡三层沟道，可有效提高薄膜晶体管的性能，降低了工业制造成本，使制备工艺更加绿色环保。而且本发明器件显示出...

本发明设计了一种分布式空时编码与传统空时编码的MIMO模式切换方案，其主要内容包括：用户UE接收测量当前传输模式发接收端信噪比SNR以及UE与协作中继、UE与基站eNB之间的距离(合称为三维距离)，并将测量的SNR与三维距离反馈给eNB...

本发明涉及OFDM系统中的子载波间干扰抑制领域。通过将所有附加操作集中在发射机预编码模块和接收机逆预编码模块上，本发明既能克服现有子载波间干扰自消除技术中的不兼容下一代通信标准的问题和现有两路发射技术中的高实现成本问题，又结合了该两种技...

本发明涉及集成光电子技术领域，具体涉及一种利用模式耦合的非互易性实现光隔离的方法及光隔离器。应用本发明所述方法制成的光隔离器，还进一步的适用于太赫兹频段，具有非常广泛的用途。本发明提出一种小尺寸、低损耗、无附加能耗、易于加工、成本低廉的...

本发明公布了一种跨骑型异质结共振隧穿场效应晶体管及其制备方法，该器件包括隧穿源区，沟道区，漏区和位于沟道上方的控制栅，其中，隧穿源区与沟道区的异质隧穿结的能带结构为跨骑型异质结。若为N型器件则在隧穿源区与沟道区的异质隧穿结交界面处，隧穿...

公开了存储阵列及其操作方法和制造方法。一示例存储阵列可以包括：成行列设置以形成阵列的多个基于第一纳米线的选择晶体管；以及在选择晶体管阵列上堆叠的多个存储单元层，每一存储单元层包括与选择晶体管阵列相对应的阻变器件的阵列。阻变器件可以包括由...

本发明涉及一种防闩锁型电源钳位ESD保护电路，涉及集成电路芯片静电放电保护设计的技术领域。本发明公开的防闩锁型电源钳位ESD保护电路包括瞬态触发模块、直流电压探测模块以及泄放晶体管。本发明提出的防闩锁型电源钳位ESD保护电路其泄放晶体管...

一种双层石墨烯隧穿场效应晶体管，底栅介质层位于底栅电极的上方，双层石墨烯有源区位于底栅介质层的上方，金属源电极和金属漏电极分别在双层石墨烯有源区的两端，且各覆盖部分双层石墨烯有源区，金属源电极与金属漏电极选取不同材料，对于n型器件，金属...

一种双层源/漏肖特基势垒结构的MOS晶体管，包括半导体衬底、沟道区；下层金属硅化物源区、下层金属硅化物漏区；上层金属硅化物源区、上层金属硅化物漏区；栅介质层和控制栅；其中，沟道区呈长方体状，一侧与上、下两层金属硅化物源区相接，另一侧与上...

本发明公开了一种借助弹性材料泊松比提高碳纳米管平行阵列密度的方法。首先将基片片上生长的碳纳米管平行阵列，转移到弹性材料上，如聚甲基丙烯酸甲酯、硅橡胶或聚酯等其他弹性材料；接着沿着碳纳米管延伸的方向拉伸所述的弹性材料，使其在垂直于碳纳米管...

本发明公开了一种对视频图像编码中的码率控制方法及装置，方法为：获取视频序列中的当前帧，若判断该当前帧不是起始帧并且不是场景变换帧，则将当前帧对应的视频图像块划分为预设数目的视频图像子块，并分别获取每一个视频图像子块对应的像素平均梯度，根...