本申请提供一种融合预训练语言模型的知识抽取方法及系统，涉及自然语言处理技术领域。通过获取应用预训练语言模型对知识抽取对象进行序列标注和实体类别分类的生成式输出，并应用超参平滑该生成式输出的边界，得到知识浓度矩阵，进一步根据知识浓度矩阵、...

本发明公开了一种纳米或者原子尺度自旋阀的制备方法，该方法首先在衬底表面制备缓冲层和金属电极，然后基于邻近效应光刻法制备磁性金属点接触器件，将器件置于真空探针台，利用电流反馈控制法制备原子尺度点接触结构，并且通过自然氧化制备出磁阻效应高达...

本公开披露了一种在金属衬底上生长单晶氮化硼的方法，所述方法包括如下步骤：(一)将固体硼氮源置于金属衬底下方，形成层叠体；(二)将层叠体升温至预定温度，然后在预定温度保温生长0.1‑100h；其中，所述预定温度范围为1000‑1400℃。

本发明公开了一种功率射频器件的近结嵌入式微气道结构及其制备方法，属于半导体器件技术领域。本发明采用高热导率材料制备器件的上表面均热结构和衬底层，实现了双面均热/散热，有效增加了器件的均热/散热能力，同时将微气道热沉直接引入器件的近结区域...

本发明提供一种用于全电池充放电原位观测的电子显微镜观测系统及方法，涉及全电池观测技术领域，所述系统包括：电子显微镜，设于所述电子显微镜电镜腔体内的全电池保护调节装置，以及设于所述电镜腔体外并与全电池保护调节装置连接的充放电装置；所述全电...

本发明提供了一种铁电存储器的制备方法，属于半导体存储器技术领域。本发明将铁电存储器的制备集成进入传统CMOS后道工序中，通过调整原有的通孔工艺，利用形成通孔的填充层隔离铁电存储器与金属互连线，解决了铁电存储器图形化带来的刻蚀污染问题。

本发明公开一种基于互补阻变忆阻器的物理不可克隆函数的实现方法，属于半导体和CMOS混合集成电路技术领域。由于处于高阻态的互补阻变忆阻器有两种不同的状态，且不同状态下的高阻器件对外界激励的响应不同，一种高阻态只可以施加正向电压操作，另一种...

本发明属于微纳流体和生化传感技术领域，特别涉及一种栅控微纳流控器件及其制备方法，栅控微纳流控器件包括芯片本体，所述芯片本体上设有第一通道、第二通道、纳流通道和栅控电极，所述第一通道与第一进液口连通；所述第二通道与第二进液口连通；所述纳流...

本发明提供一种样品转移保护仓、样品转移保护站、系统及方法，所述样品转移保护仓包括：转移腔体和传输杆，转移腔体的一侧设有第一开合器件，传输杆从转移腔体的另一侧穿入，并在第一开合器件打开时，可从第一开合器件的开口穿出；传输杆上设有样品台，转...

本申请涉及高盐废水零排放及资源化利用技术领域的一种回收废水中盐类化合物的系统以及方法，该回收废水中盐类化合物的系统包括CO<subgt;2</subgt;冷热联供系统、废水增湿去湿浓缩系统和浓缩液冷冻结晶系统。本发明耦合了制...

本发明属于微纳流体及生化传感技术领域，并具体涉及一种微纳流控芯片及采用所述微纳流控芯片进行的生化标志物分子的分离方法，微纳流控芯片包括芯片本体，所述芯片本体上设有第一通道、第二通道和纳流通道，所述第一通道连通于第一注液口连通和下游分析系...

本申请涉及生物检测技术领域，具体公开了一种同步分析生物源样本中多环芳烃和羟基多环芳烃的前处理方法和检测方法。前处理方法包括：S100、用碱水解法处理生物源样本，得到含有PPAHs的上清液和下层溶液；用酸水解法处理下层溶液，得到含有OH‑...

本发明涉及微机电系统和集成电路技术领域，特别是关于一种单芯片集成式三轴力传感器及其制备方法。集成式三轴力传感器由三轴力传感器和电路系统组成，三轴力传感器由应变体、位于应变体中央的受力体、支撑应变体和受力体的框架、以及嵌入于应变体中的力敏...

本发明公开了一种基于暗通道先验的去除荧光图像离焦背景的方法。本发明从原始荧光图像中分别区分出低频部分和高频部分，以低频部分的点拓展函数做外接矩形作为暗通道尺寸，根据暗通道先验，对低频部分的在焦信息进行暗通道处理，得到最终传输比，进一步得...

本技术涉及一种应用于营养状况评价尺的辅助阅读盒，包括盒体以及活动板，活动板上设置有若干列展示格；盒体内部中空，盒体沿长度方向的一端设置有开口，活动板通过开口穿入并活动设置在盒体内部；盒体上开设有观察窗，观察窗位于盒体靠近开口的一侧，活动...

本申请提供一种封装微棒腔、超声波检测与光声成像装置。所述封装微棒腔包括：光学微腔和近场耦合器，所述光学微腔与所述近场耦合器处于目标耦合位置，所述目标耦合位置为使得所述光学微腔与所述近场耦合器处于临界耦合下的耦合位置；封装体，所述封装体由...

本发明属于抗抑郁药物领域，涉及一种R‑卡维地洛在用于制备抗抑郁药物中的应用。该药物具有抗抑郁特性，且起效时间快、治疗效果确切、显著，对于治疗抑郁症具有潜在的应用价值。

本发明公开了一种碳化硅平面栅MOSFET器件及其制备方法。在传统平面栅MOSFET器件的JFET区结构上，首先通过刻蚀形成源极沟槽，利用刻蚀掩模，使用常规离子注入在沟槽下形成P型重掺杂区，再通过自对准工艺和倾斜离子注入形成P型基区和源区...

本发明公布了一种基于组合混合优化的多智能体合作规划方法及系统，通过设计Nash稳定任务分配算法NSCOAL和混合优化算法HGGHS，将多智能体组合混合优化部分解耦成多智能体合作规划任务分配层次和混合优化层次，实现多智能体的合作规划；系统...

本发明提供一种用于视频编码帧间预测的分像素运动估计方法及装置，所述方法包括：确定当前预测单元对应的预测块，并将当前预测单元对应的预测块划分为多个子预测块；针对每个子预测块，确定对应的最优子率失真代价值，以及对应的子率失真代价值集；基于各...