本发明一种半导体存储单元及其阵列结构，该存储单元包括第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第一存储器R1和第二存储器R2；第一NMOS管N1的源极接源线SL1、其栅极接字线WL1、其漏极接第二NMOS管N2一端的源...

本申请实施例提供了一种甲醇‑水重整产氢装置，包括箱体、重整反应器和加热模块，其中，箱体的内部分隔为重整室和供热室，重整室为密闭腔体；重整反应器位于重整室内，包括阵列排布的多个反应列管，反应列管内填充有催化剂；加热模块包括储液罐和导热介质...

本发明一种半导体存储单元及其阵列结构，属于半导体和CMOS混合集成电路技术领域。本发明半导体存储单元包括NMOS管N1、NMOS管N2和存储器件R，其中，N1的漏极连接N2的漏极，形成共用结构，N1的源极和N2的源极都连接源线SL，N1...

本发明公开用于靶蛋白水解的聚合物及其制备方法和用途。本发明的聚合物结合有靶蛋白配体和E3连接酶配体，该聚合物能够解决现有递送系统在水溶性、药动性质和细胞膜渗透性等方面存在的递送问题。同时，本发明制备的聚合物可以组装形成纳米颗粒，在体内具...

本发明公开了一种长波敏化的稀土配合物发光材料及其制备方法与应用。所述长波敏化的稀土配合物是基于二吡啶基三嗪环配体的离子型稀土配合物，结构通式为(TPy2)Ln(L)3，其中：TPy2为二吡啶基三嗪环类中性配体；Ln代表正三价稀土离子，包...

本发明涉及一种支持表达不确定性层次空间信息的轨迹可视化方法，属于可视化领域，基于实际空间信息，从待表达空间数据中提取空间不确定性层次；依据提取的空间不确定性层次，进行抽象地图节点布局，将轨迹中地点按空间不确定性层次组织为嵌套圆形结构，将...

本发明提供了免疫效度ε或临床相对免疫效度ε<supgt;*</supgt;在评价受试者的疫苗应答强度中的应用，属于生物医学技术领域。本发明从免疫学原理出发，综合考虑参与人体免疫反应的核心信号通路、淋巴细胞、细胞因子的体内循环...

本发明提供了一种聚合物、改性聚氨酯弹性体及其制备方法，涉及聚合物技术领域。该聚合物具有含大量四级碳‑四级碳共价键的聚合物主链，使得该聚合物具有较高的对应力与热的响应断裂性质。本发明还提供了一种改性聚氨酯弹性体，主要由二异氰酸酯、二醇、改...

本发明公开了一种基于移动光晶格的小型原子干涉重力仪及其实现方法。本发明采用第一和第二拉曼光在科学腔内与碱金属原子相互作用发生干涉，同时第一和第二布洛赫光形成移动光晶格，移动光晶格向进行干涉的碱金属原子向上转移大量动量，在保证相对较长的干...

本发明公开了一种可控弯曲变刚度穿刺内镜器械及控制方法，柔性管臂的第一圆管件滑动自由地穿设在第二圆管件内，第一圆管件与第二圆管件同心布置、前端之间固定连接，第一圆管件的前端附近可弯曲设置并且阵列设置有多个第一径向切槽，第二圆管件的前端附近...

本申请公开了一种里程计算法的重投影残差块构建方法、装置、设备及介质，本申请实施例中视觉雷达的视觉采集方向至少存在一个自由度，从而使得视觉雷达在所述移动设备移动过程中，可从不同视觉采集方向采集环境图像，视觉雷达可获取到更多的环境信息，从而...

公开了视频处理方法及装置。该视频处理方法包括：从多个跨分量ALF滤波器中确定当前块的色度分量的目标跨分量ALF滤波器；根据当前块的经ALF的色度分量和当前块的未经ALF的亮度分量确定当前块的色度分量的目标跨分量ALF滤波系数；根据目标跨...

本发明公开了一种视觉雷达的标定方法、标定系统、视觉雷达及介质，涉及标定技术领域，在预设闭环控制状态下，获取各预设角度位置下的相对位姿参数，将相对位姿参数输入至视觉雷达标定程序中，能快速且准确的输出能够应用于设备上的视觉雷达的转轴方向，视...

本申请提供一种柔性高密度微针尖电极阵列装置的加工工艺，涉及神经接口技术领域，包括以下步骤：S1、加工刚性模具；S2、制作PDMS模具；S3、制作基底；S4、加工导电引线；S5、沉积绝缘层；S6、绝缘层刻蚀。在本申请示例实施方式所提供的柔...

本发明涉及图像数据处理领域，本发明提供一种纹层状页岩储集空间有效性评价方法、装置、设备及介质，该方法包括：获取纹层状页岩样品的扫描电镜图像；对扫描电镜图像进行识别，确定扫描电镜图像的面积以及各类储集空间的面积；基于扫描电镜图像的面积以及...

本发明公开了一种HVPE外延氮化铝厚膜的生长方法，属于半导体技术领域。该方法采用特定结构的石英舟盛放金属铝，进入石英舟的反应气体可以与金属铝源充分接触，将氯化氢与金属铝的反应比例提高到80％以上。设计多路分隔的喷嘴结构，将金属源和氨气物...

本发明涉及一种LAMTOR1抑制剂在制备抗肿瘤药物中的应用。具体的，本发明首次发现了LAMTOR1是cGAS的结合蛋白，LAMTOR1通过下调cGAS的蛋白水平来抑制cGAS信号通路的激活以及IFN‑β的产生。LAMTOR1的缺失能增强...

本发明公开了一种制备高质量单晶III族氮化物自支撑衬底的方法，属于半导体技术领域。先利用键合技术在陶瓷衬底上转移单晶薄层材料，使二者键合成陶瓷异质集成复合衬底；再在其上外延生长高质量单晶III族氮化物（GaN或AlN）厚膜，最后去除陶瓷...

本发明公开了一种含有双环[1.1.1]戊烷结构的聚合物电介质及其制备方法。通过[1.1.1]螺桨烷与巯基发生加成反应，后续通过简单的官能团转化即可高效制备结构多样的式I单体。式I所示的含有“砜基‑双环[1.1.1]戊烷”结构基元的单体发...

本发明公开了一种分离隧穿场效应晶体管涨落源的方法，属于半导体技术领域。本发明针对带有漏端欠覆盖区的隧穿场效应晶体管(DLund‑TFET)，将对于漏端隧穿结隧穿几率影响最大的两个涨落源的影响——杂质掺杂浓度梯度(DG)涨落和漏端欠覆盖区...