北京大学专利技术

北京大学共有15388项专利

  • 本发明公开了一种基于条件具身自监督学习的机器人手臂多解学习方法,该方法包括:获取机器人手臂末端的预测位置p<supgt;(t)</supgt;,并从高斯分布中采样一个隐变量z<supgt;(t)</supgt;;...
  • 本发明公开了一种过渡金属硫化物单晶晶圆的生长方法,包括以下步骤:1)将单晶蓝宝石退火;2)将退火后的蓝宝石晶圆作为基底,将过渡金属箔材平行于基底放置,在箔材与基底之间平行放置多孔阻隔层;3)在基底的气流上游放置硫单质;4)向低压化学气相...
  • 本申请提供了一种适用于电子封装的连接结构的制备方法及连接结构,该方法包括:在被接基材的表面沉积种子层;在表面改性后的被接基材上旋涂光刻材料;通过光刻技术将光刻材料图形化,形成具有多个目标区域的凸点模板;在每个目标区域内交替沉积空穴模型层...
  • 本发明提供了一种人工微生物群落从头设计方法、装置、设备及存储介质,涉及微生物群落设计技术领域。该方法包括:构建得到大规模微生物对应的基因组规模代谢网络模型(GEM)候选池,基于设计目标确定底物和产物,以广度优先搜索的方式从该GEM候选池...
  • 本发明涉及换电站的充放电与换电优化方法及存储介质和终端设备,首先构建换电站净收益与各项参数的决策模型,并基于模型确定各参数的约数条件和目标函数,确定最优化问题,进而根据当前既定参数求解确定放电量、充电量和换电量等控制量的最优解。以确定当...
  • 本发明涉及细胞组学技术领域,公开了一种基于多组学数据的细胞识别方法、装置、设备及存储介质,该方法包括:获取若干个单细胞样本对应的样本多组学数据;在样本多组学数据中存在目标细胞状态注释时,基于目标细胞状态注释,通过预设单细胞镶嵌集成模型确...
  • 本发明公开了一种连续爆轰发动机预爆轰管点火控制系统及其控制方法,属于连续爆轰发动机技术领域,预爆轰管提供气态氧化剂的气态氧化剂供给管路以及用于向预爆轰管提供燃料的燃料供给管路均具备安全泄压、压力监测、管路吹除、防止反流的功能,相比传统的...
  • 本发明公开了一种生长AlGaN薄膜的精细调控方法。本发明通过停止Al源供应,以生长腔内残余的Al源的扩散迁移作为生长的驱动力,显著降低生长速率,为Al源提供充足迁移时间,有助于Al源的均匀并入;以残余Al源的扩散迁移作为生长的驱动力,本...
  • 本发明公开贝曲沙班或其药学上可接受的盐在用于制备抗肿瘤或激活干扰素药物中的用途。本发明通过筛选能够激活天然免疫的小分子靶向药物并研究其激活免疫、抗肿瘤的功能,发现小分子药物贝曲沙班或其药学上可接受的盐、溶剂化物、水合物、络合物、前药、异...
  • 本发明公开了一种基于锂硫电池的砜基电解液及其制备方法和应用,涉及锂硫电池技术领域。本发明的砜基电解液由双三氟甲磺酰亚胺锂、环丁砜和氟代醚组成,所述氟代醚与环丁砜之间的体积比为2:1‑5:1,所述双三氟甲磺酰亚胺锂与环丁砜之间的摩尔比为1...
  • 本发明涉及细胞组学技术领域,公开一种多模态细胞数据的批次效应处理方法、设备及存储介质,该方法包括:获取单个细胞的组学数据;将组学数据输入至预设单细胞数据整合模型,获得对应组学数据的模态特征生成结果,预设单细胞数据整合模型包括:自缩放注意...
  • 本申请提供一种半导体结构的源漏互连方法、半导体结构、器件及设备,该方法包括:在半导体衬底上形成有源结构;基于第一有源结构,形成第一半导体结构;基于第二有源结构,形成第二半导体结构;对第一半导体结构的第一栅极结构和第二半导体结构的第二栅极...
  • 本发明公开了一种基于具身自监督学习的机器人手臂反模型学习方法,该方法包括:获取机器人手臂末端的预测位置p<supgt;(t)</supgt;;基于反模型推理出机器人手臂末端到达该预测位置p<supgt;(t)</...
  • 本发明涉及计算机技术领域,公开了任务队列管理方法、装置、计算机设备及存储介质,本发明将任务按照任务状态进行划分,获得排队状态任务队列、运行状态任务队列和结束状态任务队列;对各任务队列采用多级存储;在内存中查询排队或正在运行的任务信息;对...
  • 本公开涉及一种端到端的视频编码码率调整系统、方法、介质及设备,所述系统包括:嵌在视频编码模型内的单模型多码率模块,用于采集图像帧数据并根据采集得到的所述图像帧数据进行编码处理和解码处理;其中,所述编码处理为对图像帧数据的特征值进行量化和...
  • 本发明公开了一种基于强化学习的数据定价方法、装置、计算设备和存储介质。根据本发明提供的技术方案,获取多个数据提供方的原始数据生成数据集合;构建样本价值函数及特征价值函数,对其进行初始化;确定参与预测模型训练的训练数据并进行训练,得到预测...
  • 本发明提供多值晶体管及多值逻辑电路,涉及多值晶体管领域,所述多值晶体管包括:通道层以及设置于通道层的栅极、源极和漏极;电子过滤结构,电子过滤结构具有至少一个过滤能带隙,电子过滤结构与源极连接以过滤在过滤能带隙的范围内流向源极的电子,或者...
  • 本申请公开了一种跨介质航行器及其控制方法,跨介质航行器包括壳体和减阻机构,壳体具有收容腔;减阻机构包括支架和球鼻附体,支架和壳体可移动连接,球鼻附体与支架连接;减阻机构具有第一状态和第二状态,在减阻机构处于第一状态的情况下,球鼻附体收容...
  • 本发明公开了一种由酮戊二酸和乙醛酸制备甲烷三乙酸的方法。所述方法包括如下步骤:S1、酮戊二酸与乙醛酸经羟醛缩合得到3‑羧甲基‑2‑羟基‑4‑氧代戊二酸;S2、所述3‑羧甲基‑2‑羟基‑4‑氧代戊二酸经加氢脱氧得到甲烷三乙酸;所述加氢脱氧...
  • 本申请提供一种自对准晶体管的源漏互连方法、自对准晶体管及器件,上述方法包括:在半导体衬底上形成有源结构,有源结构包括第一有源结构和第二有源结构;基于第一有源结构,依次形成第一源漏结构、第一层间介质层和第一源漏金属,第一层间介质层包裹第一...