北大方正集团有限公司专利技术

北大方正集团有限公司共有3991项专利

  • 智能储物柜
    本发明实施例提供一种智能储物柜,该储物柜包括:柜体,所述柜体包括柜头和储物区域;隔板,所述隔板固定设置在所述储物区域内;RFID天线,所述RFID天线设置在所述隔板上;控制器,所述控制器固定设置在所述柜头内,与所述RFID天线连接。本发...
  • 场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管
    本发明提供了一种场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管,其中,制备方法包括:在衬底上依次形成氧化层和图形化的氮化硅层;对衬底进行热氧化处理;依次对图形化的氮化硅层和场氧化层进行刻蚀至暴露出衬底的指定区域为止;在指定区域上形成栅氧化层;形成...
  • 场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管
    本发明提供了一种场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管,其中,制备方法包括:在衬底上依次形成栅氧化层、多晶硅层和第一氧化层;依次对第一氧化层和多晶硅层进行图形化刻蚀至栅氧化层为止;在注入窗口对应的衬底依次形成体区和源区;在形成源区的衬底上...
  • 射频三极管的制备方法和射频三极管
    本发明提供了一种射频三极管的制备方法和射频三极管,其中,制备方法包括:形成外延层、氧化层和图形化的氮化硅层;以图形化的氮化硅层为掩蔽形成场氧化层;去除氮化硅层和指定厚度的场氧化层;形成第一多晶硅层,对第一多晶硅层进行第一次P型离子注入;...
  • 射频三极管的制备方法和射频三极管
    本发明提供了一种射频三极管的制备方法和射频三极管,其中,制备方法包括:在衬底上依次形成外延层、氧化层和图形化的氮化硅层;通过热氧化工艺处理外延层以形成场氧化层;去除氮化硅层;在指定区域上形成图形化的氧化硅掩膜;对第一多晶硅层进行第一次P...
  • 一种新媒体静态发布方法及装置
    本发明涉及一种新媒体静态发布方法及装置,其中方法包括:在接收到待发布的文章对应的单个或多个素材后,将所述单个或多个素材进行编辑和组合,生成待发布文章的静态文件;将所述待发布文章的静态文件发送至静态数据库中存储;根据发布任务,从所述静态数...
  • 一种数据下载的方法和系统
    本发明公开了一种数据文件下载的方法和系统,该方法包括:S1:获取下载失败的数据文件的下载失败次数的信息;S2:按照所述下载失败次数由小至大的顺序依次下载所述数据文件。该方法根据对要下载的数据文件的下载失败的次数统计结果,优先对下载失败次...
  • 一种晶元在线监测方法及装置
    本发明提供的晶元在线监测方法,首先获取多个晶元的多个测试数据,然后根据每个晶元的测试数据的最大值和最小值之差值判断单个晶元是否出现问题,从而对单个晶元进行报警;此外,还根据每个晶元的测试均值是否超出阈值进行报警,用于监测不同晶元之间的异...
  • 一种实体链接方法及装置
    本发明公开了一种实体链接方法及装置,所述方法包括:获取数字资源的待链接实体集合,对所述实体集合中的每个实体在给定知识库中生成所述每个实体对应的候选实体集合;根据候选实体集合中每个候选实体的精确属性、模糊属性和相关实体,计算每个实体与该实...
  • 用于支撑码座的支撑架、摇摆装置及电镀设备
    本实用新型提供一种用于支撑码座的支撑架、摇摆装置及电镀设备,涉及电镀技术。其中,支撑架用于设置在摇摆方通上,包括:支撑底板以及设置在支撑底板两侧的支撑侧板,以卡在所述摇摆方通上;两个所述支撑侧板上均设有第一安装孔,以通过所述第一连接件穿...
  • 半导体结构及其制备方法
    本发明提供了一种半导体结构及其制备方法,所述半导体结构包括自上至下依次设置的外延层、氧化层和衬底;其中,所述外延层中远离氧化层的预设区域形成有第二扩散区,所述第二扩散区的厚度小于所述外延层的厚度,所述第二扩散区的宽度小于所述外延层的宽度...
  • 一种场效应晶体管及制作方法
    本发明提供了一种场效应晶体管,包括第一结构,所述第一结构包括衬底,在所述衬底上形成有间隔分布的多个场区氧化层,所述多个场区氧化层的间隔区域形成有栅极氧化层,所述栅极氧化层靠近衬底方向形成有源漏区,所述场区氧化层的部分区域覆盖有多晶硅层,...
  • MOS管的制作方法
    本发明涉及一种MOS管的制作方法,该方法包括:在硅衬底上制作第一结构;在P阱区和N阱区的交界处形成第二氧化层;在P阱区内形成P型场区注入区和防穿通注入区,P型场区注入区位于第二氧化层的下表面;去掉第一氧化层和氮化硅层。由于本发明首先形成...
  • 三极管基区的制作方法
    本发明涉及一种三极管基区的制作方法,包括:刻蚀预设P-基区上方的部分第一多晶硅层以及所述部分第一多晶硅层上方的全部第二氮化硅层;对刻蚀后保留的部分所述第一多晶硅层进行氧化形成第二氧化层;通过湿法腐蚀去除所述第二氧化层。本发明所提供的一种...
  • 信息播放方法和信息播放装置
    本发明提出了一种信息播放方法和信息播放装置,其中,所述信息播放方法包括:获取文字的矢量笔画信息;对所述矢量笔画信息进行解析,根据解析结果确定所述文字的多个笔画的矢量轮廓和笔画顺序;根据所述矢量轮廓和所述笔画顺序,播放所述多个笔画。通过本...
  • 信息处理装置和信息处理方法
    本发明提出了一种信息处理装置和信息处理方法,其中,所述信息处理装置包括:提取单元,用于对用户指定类型的学习资源信息进行处理,根据处理结果提取所述学习资源信息中的知识点信息;获取单元,用于获取与所述知识点信息对应的目标试题;所述生成单元,...
  • 图片像素化方法和图片像素化系统
    本发明提供了一种图片像素化方法和图片像素化系统,其中,图片像素化方法,包括:在获取对本地存储的待像素化的图像进行像素化的指令后,确定待像素化的图像中的像素点信息;对待像素化的图像中的每个像素点执行像素化步骤,像素化步骤包括:根据像素点信...
  • 基于多字段关键词的索引建立方法、检索方法及索引系统
    本发明涉及一种基于多字段关键字的索引建立方法、检索方法及索引系统,该索引建立方法包括:对接收的文本进行多字段关键词抽取,并对抽取的关键词进行打分;将带分数的关键词形成索引项,并加入到索引库中;其中,所述进行多字段关键词抽取,包括对所述文...
  • 消息同步方法和消息同步系统
    本发明提供了一种消息同步方法和消息同步系统,其中,消息同步方法,包括:在获取终端的用户请求查看消息的请求时,确定本地消息的生成时刻,以本地消息的生成时刻中最大的时刻作为第一时间阈值;确定本地消息的读取时刻,以读取时刻中最大的时刻作为第二...
  • 一种半导体静态电流的测试器件及测试方法
    本发明提供了一种半导体静态电流的测试器件及测试方法,测试方法包括:设置开关为打开状态时,向源极电压输入端、衬底电压输入端、栅极电压输入端和漏极电压输入端输入的输入电压,使第二MOS结构呈导通状态;根据输入电压,采集开关为打开状态时,第三...