本发明涉及一种真空系统用光电阴极，其中，所述光电阴极被构成为接收具有入射波长的电磁辐射并且响应于此而发射电子。所述光电阴极包括具有几何形状的导电结构，所述几何形状包括尖端部分。当用电磁辐射照射导电结构时，尖端部分适合于提供场增强β，其中...

本发明的半导体器件检查方法具备：检测来自半导体器件(D)中的多个位置的光，取得分别与该多个位置相对应的波形的步骤；自分别与多个位置相对应的波形提取与特定的时序相对应的波形，基于提取的波形生成与特定的时序相对应的图像的步骤；以及基于与特定...

本发明提供一种激光加工装置，在沿着多条线中的每一条线在对象物中形成改性区域的情况下，能够缩短加工时间。激光加工装置包括控制部。控制部控制空间光调制器，以使激光分束为第一加工光和第二加工光，且第一加工光的第一会聚点位于第一线上、第二加工光...

激光加工装置构成为执行：第1处理，基于规定的计算式生成第1分支图案，使所生成的第1分支图案显示于反射型空间光调制器；第2处理，控制光源单元以出射激光；第3处理，以检测利用第1分支图案的分支后的各激光的反射光的方式控制检测部；第4处理，导...

本发明提供一种激光加工装置，其包括支承部、照射部、移动机构、输入接收部、能够基于由输入接收部接收的输入来显示设定画面的显示部、控制部。控制部使来自照射部的激光分支成多个加工光，并且使多个加工光的多个聚光点分别在对象物的内部位于与激光的照...

激光加工装置包括光源单元、反射型空间光调制器、聚光部、检测部和控制部，控制部执行：第1处理，使将激光分支为多个的第1分支图案显示于反射型空间光调制器；第2处理，以在第1分支图案显示于反射型空间光调制器的状态下出射激光的方式控制光源单元；...

本发明提供一种激光加工装置，其能够缩短调整激光的输出所需的时间。在激光加工装置(1)中，控制部(50)执行：第1调整处理，通过以从空间光调制器(7)出射并入射到聚光透镜(33)的激光(L)的入射量变化的方式使调制图案显示于空间光调制器(...

检查装置具备：光源，其向晶圆照射激光；作为测定部的AF单元，其测定作为晶圆上的激光L的入射面的背面(测定对象面)的位移；控制部，其构成为实行如下操作：以通过向晶圆照射激光而在晶圆的内部形成一个或多个改性区域的方式控制光源；以测定作为照射...

本发明提供可抑制可进行追踪加工的范围变窄的激光加工装置及激光加工方法。激光加工装置(1)具备控制部(6)。控制部(6)执行下述处理：获取处理，获取表示关于Z方向的对象物(11)的第一面(11a)的位移的位移信息；关联处理，基于位移信息，...

激光加工装置对具有基板和功能元件层的对象物照射加工用激光，该基板包含第1主面和第2主面，该功能元件层设置于基板的第1主面侧且包含金属层，在功能元件层的内部沿着假想面形成改质区域。激光加工装置包括：从第2主面侧对对象物照射加工用激光的加工...

试样支撑体是用于将试样电离的试样支撑体。试样支撑体具备：膜部，其具有第一表面及第一背面，形成有在第一表面及第一背面开口的多个贯通孔；支撑部，其针对膜部划定用于将试样电离的测定区域，且支撑膜部。支撑部包含：内侧部分，其具有第二表面及第二背...

半导体装置的制造方法包含：第1工序，其在半导体基板(2)的第1表面(2a)设置第1配线(3)；第2工序，其在第1表面(2a)安装光透过基板(5)；第3工序，其以半导体基板(2)的厚度小于光透过基板(5)的厚度的方式将半导体基板(2)薄型...

电子管(1)包括：壳体(10)，其包括具有电磁波透射性的窗(11a)；电子释放板(21)，其配置于壳体(10)的内部，根据电磁波的入射而释放电子；和保持部件(22)，其配置于壳体(10)的内部，保持电子释放板(21)并且对电子释放板(2...

一种光电阴极，包括：基板；光电转换层，其设置在所述基板上，与光的入射相应地产生光电子；和基底层，其设置在所述基板与所述光电转换层之间，且包含铍，所述基底层具有包含铍的氮化物的第1基底层。氮化物的第1基底层。氮化物的第1基底层。

本实施方式的CEM及离子检测器具备用于实现比现有技术高灵敏度的离子检测的构造。该通道型电子倍增体至少具备通道主体、输入侧导电层、输出侧导电层、及电极。通道主体含有，输入侧上设置有锥形开口部的通道，在该通道内壁面上形成电阻层及电子放出层。...

本发明的观察系统(1)具备：检测器(3)、二维相机(5)，它们检测来自半导体器件(S)的光并输出检测信号；光学装置(13)，其将光导引至检测器(3)及二维相机(5)；图像处理部(29)，其基于检测信号，生成半导体器件(S)的第一光学图像...

本发明的观察系统(1)的半导体检查方法具备：取得显示半导体器件(S)的图案的第一图案图像的步骤；取得显示半导体器件(S)的图案且分辨率与第一图案图像不同的第二图案图像的步骤；将第一图案图像用作教学数据，通过机器学习来学习第二图案图像的重...

在本发明的发光装置的制造方法中，准备装载有光源部(10)的多个窗部(20)，准备多个封装部(30)阵列状地连结的集合体(AG1)，将集合体(AG1)的各封装部(30)装载于窗部(20)，将彼此对应的第一焊盘(25)与第二焊盘(36)电连...

本发明的半导体器件检查方法具备以下步骤：根据来自包含有半导体器件中的多个驱动元件的第1光射束点的光，取得基于来自多个驱动元件的信号的第1干扰波形；根据来自区域与第1点的一部分重复并包含有多个驱动元件的第2光射束点的光，取得基于来自多个驱...

本发明的半导体器件检查方法具备以下步骤：根据来自包含有半导体器件中的多个驱动元件的第1光射束点的光，取得基于来自多个驱动元件的信号的第1干扰波形；根据来自区域与第1点的一部分重复并包含有多个驱动元件的第2光射束点的光，取得基于来自多个驱...