通道型电子倍增体及离子检测器制造技术

本实施方式的CEM及离子检测器具备用于实现比现有技术高灵敏度的离子检测的构造。该通道型电子倍增体至少具备通道主体、输入侧导电层、输出侧导电层、及电极。通道主体含有，输入侧上设置有锥形开口部的通道，在该通道内壁面上形成电阻层及电子放出层。输入侧导电层被设置于通道主体的输入端面上且其一部分在锥形开口部内延伸。输出侧导电层被设置于锥形开口部的输出端面上。电极具有使带电粒子通过的一个以上的开口，被配置于相对于输入端面的输出端面的相反侧。该电极与输入侧导电层由于排除锥形开口部内的外部电场的影响，被设定为相同电位。电位。电位。

【技术实现步骤摘要】
通道型电子倍增体及离子检测器


[0001]本专利技术关于一种通道型电子倍增体及含有该通道型电子倍增体的离子检测器。

技术介绍

[0002]作为可以用于质量分析设备等的检测装置，例如，日本特开昭52
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26150号公报(专利文件1)及日本特开平3
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53443号公报(专利文件2)中公开的具有通道型电子倍增体(Channel Electron Multiplier，以下，记为“CEM”)、被设置于该CEM的输入端面一侧的输入侧电极(以下，记为“IN电极”)、被设置于该CEM的输出端面一侧的输出侧电极(以下，“OUT电极”)、和捕捉从该CEM的输出端面被放出的电子的阳极的离子检测器被人所知。另外，上述CEM具有在通道内壁面上电阻层、电子放出面被依次层叠的连续型(通道型)的倍增电极构造。特别地，上述专利文件1及专利文件2中，为了获得从外部电极被导向至离子检测器的带电粒子(离子)到达的通道开口的面积，以沿离子的行进方向其截面积缓慢变小的方式被锥形加工的内壁面的开口部(以下，记为“锥形开口部”)被设置于通道的输入侧端部。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种通道型电子倍增体，具备：通道主体，具有带电粒子到达的输入端面、与所述输入端面相对的输出端面、连接所述输入端面与所述输出端面的至少一条通道，且在所述通道的内壁面上形成有第一电阻层及第一电子放出层；输入侧导电层，以连续地覆盖所述输入端面和所述通道的内壁面的一部分的方式被设置；输出侧导电层，以至少一部分位于所述通道的开口端的方式设置于所述输出端面上；和电极，相对于所述输入端面被配置于所述输出端面的相反侧，且具有用于使朝向所述输入端面的所述带电粒子通过的至少一个开口，所述通道包含锥形开口部，所述锥形开口部具有与所述输入端面一致的开口端，且以从所述输入端面朝向所述输出端面截面积减少的方式成形有内壁面，所述输入侧导电层与所述电极被设定为相同电位。2.根据权利要求1所述的通道型电子倍增体，其中，在所述锥形开口部中的、至少包含与所述输入端面一致的开口端的输入侧区域，所述输入侧导电层的一部分被直接设置在所述锥形开口部的内壁上。3.根据权利要求1所述的通道型电子倍增体，其中，在所述锥形开口部中的、至少包含与所述输入端面一致的开口端的输入侧区域，所述第一电阻层被直接设置在所述锥形开口部的内壁上，所述第一电子放出层被直接设置在所述第一电阻层上，所述输入侧导电层的一部分被直接设置在所述第一电子放出层上。4.根据权利要求3所述的通道型电子倍增体，其中，在所述锥形开口部中的、至少包含与所述输入端面一致的开口端的输入侧区域，第二电阻层被直接设置在所述输入侧导电层上，第二电子放出层被直接设置在所述第二电阻层上。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：远藤刚志，小林浩之，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：