本申请涉及高速光检测装置。公开了一种电路，包含：一光检测器，包含一第一读出端子及一第二读出端子，该第二读出端子不同于该第一读出端子；一第一读出电路，耦接于该第一读出端子，并被配置用于输出一第一读出电压；一第二读出电路，耦接于该第二读出端...

一种光探测装置，包括衬底、第一吸收层、第一键合结构、第二吸收层、第二键合结构、第一载流子引导单元及第二载流子引导单元。所述第一吸收层在所述衬底上被构造成吸收具有第一峰值波长的光子；所述第一键合结构位于所述衬底与所述第一吸收层之间；所述第...

本发明提供一种光检测装置，该光检测装置包括半导体衬底。第一锗基光吸收材料由半导体衬底支撑并且被配置成吸收具有大于800nm的第一波长的第一光信号。第一金属线被电耦合到第一锗基光吸收材料的第一区。第二金属线被电耦合到第一锗基光吸收材料的第...

一种光探测装置，包括吸收层，该吸收层被配置为吸收光子并从吸收的光子产生光载流子，其中，该吸收层包括锗。载流子引导单元电耦合到吸收层，其中，载流子引导单元包括具有第一栅极端子的第一开关。

一种光检测装置包括半导体衬底。第一锗基光吸收材料由半导体衬底支撑并且被配置成吸收具有大于800nm的第一波长的第一光信号。第一金属线被电耦合到第一锗基光吸收材料的第一区。第二金属线被电耦合到第一锗基光吸收材料的第二区。第一区是未掺杂的或...

一种光学设备，包含：半导体基板；由所述半导体基板支撑的第一光吸收区，所述第一光吸收区包含锗并被配置成吸收光子并从所吸收的光子生成光载流子；第一层，由所述第一光吸收区和所述半导体基板的至少一部分支撑，所述第一层不同于所述第一光吸收区；由第...

一种电路，包含：一光检测器，包含一第一读出端子及一第二读出端子，第二读出端子不同于第一读出端子；一第一读出电路，耦接至第一读出端子，并被配置用于输出一第一读出电压；一第二读出电路，耦接至第二读出端子并被配置用于输出一第二读出电压；以及一...

一种光学设备包括：半导体衬底，其由第一材料形成，所述半导体衬底包括第一n掺杂区；以及光电二极管，其由所述半导体衬底支撑，所述光电二极管包括被配置为吸收光子并用所吸收的光子生成光载流子的吸收区，所述吸收区由与所述第一材料不同的第二材料形成...