【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光检测装置及其光检测方法相关申请的交叉引用本专利申请要求以下各项的权益：2018年2月23日提交的美国临时专利申请号62/634,741、2018年4月8日提交的美国临时专利申请号62/654,454、2018年4月20日提交的美国临时专利申请号62/660,252、2018年7月15日提交的美国临时专利申请号62/698,263、2018年6月8日提交的美国临时专利申请号62/682,254、2018年6月19日提交的美国临时专利申请号62/686,697、2018年7月8日提交的美国临时专利申请号62/695,060、2018年7月8日提交的美国临时专利申请号62/695,058、2018年10月29日提交的美国临时专利申请号62/752,285、2018年8月13日提交的美国临时专利申请号62/717,908、2018年11月5日提交的美国临时专利申请号62/755,581、2018年11月21日提交的美国临时专利申请号62/770,196和2018年12月7日提交的美国临时专利申请号62/776,995，其通过引用并入本文中。
技术介绍
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【技术保护点】
1.一种光检测装置，包括：/n半导体衬底；/n第一锗基光吸收材料，所述第一锗基光吸收材料由所述半导体衬底支撑并且被配置成吸收具有大于800nm的第一波长的第一光信号；/n第一金属线，所述第一金属线被电耦合到所述第一锗基光吸收材料的第一区；以及/n第二金属线，所述第二金属线被电耦合到所述第一锗基光吸收材料的第二区，/n其中，所述第一区是未掺杂的或被掺杂有第一类型的掺杂剂，所述第二区被掺杂有第二类型的掺杂剂，并且所述第一金属线被配置成控制在所述第一锗基光吸收材料内部产生以由所述第二区收集的第一类型的光生载流子的量。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180223 US 62/634,741;20180408 US 62/654,454;20181.一种光检测装置，包括：
半导体衬底；
第一锗基光吸收材料，所述第一锗基光吸收材料由所述半导体衬底支撑并且被配置成吸收具有大于800nm的第一波长的第一光信号；
第一金属线，所述第一金属线被电耦合到所述第一锗基光吸收材料的第一区；以及
第二金属线，所述第二金属线被电耦合到所述第一锗基光吸收材料的第二区，
其中，所述第一区是未掺杂的或被掺杂有第一类型的掺杂剂，所述第二区被掺杂有第二类型的掺杂剂，并且所述第一金属线被配置成控制在所述第一锗基光吸收材料内部产生以由所述第二区收集的第一类型的光生载流子的量。
2.根据权利要求1所述的光检测装置，包括：
第三金属线，所述第三金属线被耦合到所述第一锗基光吸收材料的第三区；以及
第四金属线，所述第四金属线被耦合到所述第一锗基光吸收材料的第四区，
其中，所述第三区是未掺杂的或被掺杂有所述第一类型的掺杂剂，并且所述第四区被掺杂有所述第二类型的掺杂剂，以及其中，所述第三金属线被配置成控制在所述第一锗基光吸收材料内部产生以由所述第四区收集的第一类型的光生载流子的量。
3.根据权利要求2所述的光检测装置，其中，从所述第一锗基光吸收材料的第一表面延伸的所述第一区的深度小于从所述第一锗基光吸收材料的所述第一表面延伸的所述第二区的深度。
4.根据权利要求2所述的光检测装置，包括：形成在与其中形成所述第一区、所述第二区、所述第三区和所述第四区的所述第一锗基光吸收材料的第一表面相对的第二表面上的第五区，其中所述第五区被掺杂有所述第二类型的掺杂剂。
5.根据权利要求2所述的光检测装置，其中，所述第一锗基光吸收材料被掺杂有所述第二类型的掺杂剂。
6.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，掺杂有所述第一类型的掺杂剂的所述第一区是轻掺杂的。
7.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，所述第一类型的掺杂剂的掺杂浓度低于所述第二类型的掺杂剂的掺杂浓度。
8.根据权利要求1所述的光检测装置，包括：具有所述第一类型的掺杂剂的U形掺杂区，所述U形掺杂区被布置在所述半导体衬底中并且挨着所述第一锗基光吸收材料。
9.根据权利要求1所述的光检测装置，进一步包括：电介质层，所述电介质层被嵌入在所述第一锗基光吸收材料与所述半导体衬底之间。
10.根据权利要求1所述的光检测装置，进一步包括：具有所述第二类型的掺杂剂的阱区，具有所述第二类型的掺杂剂的所述阱区部分地或...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈书履，陈建宇，郑斯璘，那允中，杨闵杰，刘汉鼎，梁哲夫，
申请(专利权)人：奥特逻科公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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