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奥林公司专利技术
奥林公司共有53项专利
延长寿命的阳极涂层制造技术
本发明提供了一种阳极,所述阳极包含芯基板,所述芯基板包括多层涂层,所述多层涂层具有包括钯的基底层,所述基底层直接涂覆所述基板。
固体次氯酸钠五水合物的储存和运输系统及方法技术方案
提供了一种用于固体次氯酸钠五水合物(固体漂白剂)的储存和运输系统。该系统包含容器,该容器配置为接收和储存包含至少百分之四十次氯酸钠的结晶固体漂白剂,并且保留储存在容器中的结晶固体漂白剂的分解组分。容器包含至少部分包围内部容纳空间的容纳壁...
用于生产高度浓缩的漂白剂浆料的方法技术
本文公开了用于生产高度浓缩的漂白剂浆料的方法,所述漂白剂浆料含有固体次氯酸钠五水合物晶体在次氯酸钠饱和的液相中的混合物并且含有氢氧化钠或其他碱性稳定剂。还公开了展现出增强的稳定性的漂白剂浆料和组合物。
次氯酸钠组合物制造技术
一种次氯酸钠组合物,包含处于饱和有次氯酸钠的母液中的五水合次氯酸钠晶体的浆料形式的介于约25%和约40%之间的次氯酸钠。所述组合物可以包括氯化钠和碱稳定剂,例如氢氧化钠和碳酸钠。所述浆料优选处于约-15℃和约10℃之间。还提供了运输或储...
具有低断面的结合增强的铜箔制造技术
一种具有低断面的结合增强的铜箔。一种包含一个托片(12)的复合材料(10),该托片(12)包含一个具有基本一致粗糙度的第一面,一个电解沉积铜箔层(14),该铜箔层具有相反的第一和第二面且具有0.1微米至15微米的厚度。整个铜箔层(14)...
二硝基甲苯的制备方法技术
甲苯与浓HNO↓[3]反应制备DNT的方法。这个方法是用甲苯与大量过量的浓HNO↓[3]在选定条件下反应,可以得到副产物含量大大降低的产品。
抗磨损和晶须的涂覆系统和方法技术方案
一种有涂层的导电衬底(26),包括多根密集地间隔开的导线(10),并且锡晶须可形成短路。衬底(26)包括引线框、接线脚和电路迹线。导电衬底(26)具有以距离(14)隔开的多根导线(16),距离(14)能够被锡晶须搭接;覆盖至少一个表面的...
用于烯烃氧化的圈管反应器制造技术
如丙烯之类的烃进行氧化的圈管反应器,该反应器至少有一个浸入传热介质(42)中的反应管(18)。传热介质(42)最好是加水(51)之类的加压液体(51)。由对液体(51)所加压力的变化使液体(51)在氧化反应所需的温度沸腾。
丙烯至氧化丙烯的非催化氧化制造技术
本发明提供了一种气体烃最好是丙烯的非催化氧化的方法。丙烯(22),氧(24)和惰性稀释剂(26)的混合物被引入能维持等温反应的反应容器(10)中,维持温度在200℃至大约350℃范围内,并使丙烯(22)的分压约为0.55MPa至大约2....
一种改进的制备二硝基甲苯的方法技术
甲苯与浓硝酸反应制备二硝基甲苯的一罐连续生产的改进方法。
制造二硝基甲苯的方法技术
芳烃硝化反应,更准确地说,一种使甲苯硝化成二硝基甲苯或使苯硝化成一硝基苯的方法。由于一硝基苯可用于制造MDI且由于二硝基甲苯是制造TDI的有用的中间体,因此聚异氰酸酯制造业非常需要新的能够选择性地制造这些中间体的方法。
采用硝酸盐作析相剂生931093872产二硝基甲苯的方法技术
本发明涉及将甲苯硝化成二基硝甲苯以及使用无机盐作析相剂使产物析相的方法。本发明包括步骤(a),它是使甲苯与酸浓度约为60至75%的硝酸反应以生成一硝基甲苯,步骤(b),它是使一硝基甲苯与浓硝酸反应以生成二硝基甲苯和未反应硝酸的混合物,步...
一种制作多层玻璃陶瓷电路的方法技术
公开了一种形成多层玻璃陶瓷电路90的工艺方法.由粉浆10或熔融玻璃颗粒和陶瓷形成一个或多个玻璃陶瓷基片72、86、100,这是在玻璃颗粒被软化而陶瓷颗粒处于固态的温度下形成的.将导电图形82加在一个玻璃陶瓷结构的至少一个表面上之后,将至...
混合与多层电路制造技术
本发明涉及制作多层或混合电路组件60的方法.该组件包括至少一块带有还原或无氧铜合金箔14的陶瓷衬底12,箔14用粘接玻璃16粘在衬底12上.该铜合金箔可是一个其上可粘接电阻金属合金带的电路.以提供具有精确电阻的通路.并且可把多个箔层粘接...
一种复合材料制造技术
一种复合材料(10)包括结构支撑层(12)和被剥离层(16)分隔的较薄金属箔层(14)。剥离层(16),可以是诸如镍或铬等金属与诸如氧化铬、氧化镍、磷酸铬或磷酸镍等非金属的混合物,其从支撑条(12)剥离金属箔层(14)的力通常在1.79...
耐激光切割铜箔制造技术
一种层覆到绝缘基板(92)上的铜箔(96),涂覆了激光切割阻止层(100),该激光切割阻止层(100)具有小于1.0微米的平均表面粗糙度(Rz)和平均高度小于1.2微米的若干微突起,能向FR-4有效提供至少80.4克/毫米(4.5磅/英...
半导体芯片附着装置制造方法及图纸
提供了一个适合于将半导体芯片12附着到衬底14上的半导体芯片附着装置10.用于消散热应力的金属缓冲部件20置于衬底14和半导体芯片12之间,以消散衬底和芯片在热循环中产生的应力.金属缓冲部件20是用银--锡组分的焊封材料焊封在衬底和芯片...
具有改进玻璃密封性的防相互扩散的铁-**合金制造技术
本发明涉及一种铁_镍合金,它含有大约30_60%镍,大约0.001_0.15%氮、至少一种选自由大约1_10%钼和大约0.001-2%铝组成的元素,剩余部分主要是铁.该合金显示了改进的防金属间化合物形成性,改善了玻璃与金属的密封性,并且...
抗磨损和晶须的涂覆系统和方法技术方案
一种有涂层的导电衬底(26),包括多根密集地间隔开的导线(10),并且锡晶须可形成短路。衬底(26)包括引线框、接线脚和电路迹线。导电衬底(26)具有以距离(14)隔开的多根导线(16),距离(14)能够被锡晶须搭接;覆盖至少一个表面的...
含银的铜合金制造技术
一种具有高强度、超过552MPa的屈服强度、超过80%IACS的高导电率的铜,以重量计,基本上包括:0.15%-0.7%的铬,0.005%-0.3%的银,0.01%-0.15%的钛,0.01%-0.10%的硅,最高达到0.2%的铁,最高...
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