具有低断面的结合增强的铜箔制造技术

一种具有低断面的结合增强的铜箔。一种包含一个托片（１２）的复合材料（１０），该托片（１２）包含一个具有基本一致粗糙度的第一面，一个电解沉积铜箔层（１４），该铜箔层具有相反的第一和第二面且具有０．１微米至１５微米的厚度。整个铜箔层（１４）是从一个含铜的碱性电解液沉积的，在托片（１２）的第一面和铜箔层（１４）的第二面之间安置一个分离层（１６）且与两个面都接触，该分离层可以有效促进铜箔层（１４）和托片（１２）分离。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术设计涉及一种具有中间分离层的复合材料。更具体地，一个铜箔层与一个 托层可分离地结合在一起以便运输和组装。位于托层与铜箔层之间的分离层可促进分离。 该铜箔层可以在印制电路板的制造中叠层至介电衬底。在与分离层相对的铜箔层表面上形 成一个低高度断面的结合增强层。
技术介绍
随着电子设备的发展，出现了对更薄和更小印制电路的需求。这种在尺寸上的减 小导致为获得更细线间距从而增加电路迹线(trace)密度的要求。 大多数印制电路板具有一个与铜箔层叠层的介电衬底，例如环氧树脂或聚酰亚 胺。可以将该铜箔腐蚀成需要的电路图案。随着对更细导线分辨率的需求的增加，需要更薄 的铜箔。这是由于当腐蚀铜箔时，腐蚀在垂直方向和水平方向以大致相同的速率发生。然 而要求垂直腐蚀在相邻电路迹线之间形成间距以产生电绝缘，在迹线侧面的水平腐蚀会损 害电路迹线的完整性。水平腐蚀所限制的最小线-线间距约为两倍的铜箔厚度。使用较厚 铜箔的另一个问题是需要更长的时间来腐蚀金属箔提高了制造成本且由于处理或回收融 解铜增加了环境影响。再一个问题起因于Ni/Au突出(overhang)的存在。当Ni/Au覆层 用作抗腐蚀剂且本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种复合材料（１０），其特征在于：　　　　一个托片（１２），所述托片（１２）包含一个第一面，所述第一面具有基本均匀的粗糙度；　　　　一个具有相反的第一面和第二面且具有０．１微米至１５微米厚度的电解沉积铜箔层（１４），且所述整个铜箔层（１４）的厚度已从一个含铜的碱性电解液中沉积；和　　　　一个可有效促进所述铜箔层（１４）从所述托片（１２）上分离的分离层（１６），该分离层位于所述托片（１２）的所述第一面和所述铜箔层（１４）的所述第二面之间且与所述两个面都接触。

【技术特征摘要】
US 2001-9-6 09/948,166一种复合材料(10)，其特征在于一个托片(12)，所述托片(12)包含一个第一面，所述第一面具有基本均匀的粗糙度；一个具有相反的第一面和第二面且具有0.1微米至15微米厚度的电解沉积铜箔层(14)，且所述整个铜箔层(14)的厚度已从一个含铜的碱性电解液中沉积；和一个可有效促进所述铜箔层(14)从所述托片(12)上分离的分离层(16)，该分离层位于所述托片(12)的所述第一面和所述铜箔层(14)的所述第二面之间且与所述两个面都接触。2. 权利要求1的复合材料(10)，其特征在于所述基本均匀的粗糙度由对所述托片(12) 的所述第一面进行光轧产生。3. 权利要求1的复合材料(10)，其特征在于所述基本均匀的粗糙度由对所述托片(12) 的所述第一面进行微腐蚀产生。4. 权利要求3的复合材料(IO)，其特征在于对所述托片(12)所述第一面的所述微腐 蚀包括使用过硫酸铵。5. 权利要求3的复合材料(IO)，其特征在于对所述托片(12)所述第一面的所述微腐 蚀包括使用硫酸混合物。6. 权利要求1的复合材料(10)，其特征在于所述基本均匀的粗糙度由使用铜对所述托 片(12)的所述第一面的喷镀产生。7. 权利要求1的复合材料(10)，其特征在于所述基本均匀的粗糙度由使用镍对所述托 片(12)的所述第一面的喷镀产生。8. 权利要求1的复合材料(IO)，其特征在于所述托片(12)由无氧铜组成。9. 权利要求l的复合材料(IO)，其特征在于所述托片(12)由铜-镍-硅基合金组成。10. 权利要求l的复合材料(10)，其特征在于所述托片具有至少206.9MPa(30ksi)的 拉伸强度。11. 权利要求1的复合材料(10)，其特征在于所述托片(12)具有至少 689. 5MPa(100ksi)的拉伸强度。12. —种复合材料(IO)，其特征在于一个托片(12)，所述托片(12)包含一个第一面，所述第一面具有基本均匀的粗糙度；一个具有相反的第一面和第二面且具有0....

【专利技术属性】
技术研发人员：SF陈，WL布伦尼曼，A瓦克，N尤克万，
申请(专利权)人：奥林公司，
类型：发明
国别省市：US[]