一种在电路（101）中包括至少一个磁致电阻感测元件（100）的感测磁场的方法，该方法包括：提供（702）第一多个电流到与磁致电阻感测元件（100）相邻地设置的稳定线（116）；施加（704）第二多个电流至与磁隧道结（100）相邻设置的自...

一种制造处理和装置从两种差分传感器配置(502、512)提供了高性能的磁场传感器(200)，只需要由蚀刻成高纵横比形状的单个参考层形成的两个不同的钉扎轴，其长轴(506、516)关于不同的朝向延伸，使得所述高纵横比构图提供迫使每个构图形...

一种磁隧道结结构，包括铁的层，其设置在隧道阻挡物和自由磁性元件之间，具有在１０至的范围内的厚度，导致高的磁电阻、低的阻尼、和改善的关键切换电压对隧道阻挡物击穿电压的比Ｖｃ／Ｖｂｄ，以改善自旋矩产率和可靠性，同时要求仅低温度退火。该改善的...

一种随机存取存储器架构包括具有第一电阻的第一对串联存储元件（２０２，２０６，３０２，３０６，４０２，４０４）和与第一对串联存储元件并联耦合的具有第二电阻的第二对串联存储元件（２０４，２０８，３０４，３０８，４０６，４０８），其中电流沿着...

三个电桥电路（１０１、１１１、１２１）每一均包括耦合成惠斯通电桥（１００）的磁电阻传感器，以在三个正交方向（１１０、１２０、１３０）上感测磁场（１６０），它们是通过单个钉扎材料淀积和体晶片设定工序来设定的。三个电桥电路中的一个（１２１）...

一种用于确定磁场强度的磁场感测器件，包括被配置成电桥（２００）的四个磁隧道结元件或者元件阵列（１００）。电流源耦合到设置在四个磁隧道结元件（１００）中的每个附近的电流线路（１１６），用于选择性地提供在时间上间隔开的第一和第二电流。耦合到...

反熔丝电路（１０）以每位方式提供指示ＭＴＪ（磁隧道结）反熔丝（１８）是否响应于编程电压已被预先编程为低阻抗状态的信号。读出放大器（１２）提供阻抗状态信号。多个基准磁隧道结（１６）被并行连接并且被连接到读出放大器（１２），每个（５０、５２...

本发明涉及具有减小的电流密度的磁性元件。一种存储装置，包括固定磁性层、在固定磁性层上方的隧道势垒层、及形成在隧道势垒层上方的自由磁性结构，其中，自由磁性结构具有弱铁磁性地耦合的子层的层。因而，低编程电压可用来避免隧道势垒击穿，并且小导通...

一种存储器电路包括灵敏放大器（１０），其中将单个参考信号（ＯＵＴＲＥＦ）与来自两个存储器单元的两个数据信号（ＯＵＴ１和ＯＵＴ２）比较。该参考信号（ＯＵＴＲＥＦ）生成自处于相反逻辑状态的存储器单元的组合。此外，数据信号电容与参考信号电容匹...

合成反铁磁体（ＳＡＦ）结构（１０２）包括底部铁磁层（２１０）、在该底部铁磁层上形成的耦合层（２０６），和在该耦合层上形成的顶部铁磁层（２０２）。顶部铁磁层和底部铁磁层之一包含以（Ｃｏ１００－ａＦｅａ）１００－ｚＢｚ表征的非晶态合金，其中...

一种制造工艺和装置通过两个差分传感器配置（２０１、２１１）提供了高性能磁场传感器（２００），其仅需要通过单个参考层（６０）形成的两个不同的钉扎轴（２０６、２１６），该单个参考层被刻蚀为高纵横比的形状（６２、６３），其长轴是按不同的取向绘...

一种半导体工艺和装置通过只需要两个不同的钉扎轴（２０６、２１６）的两个差动传感器配置（２０１、２１１）中提供了高性能的磁场传感器，其中每个差动传感器（例如，２０１）由具有四个未屏蔽ＭＴＪ传感器（２０２－２０５）的惠斯通电桥结构所形成，这...

一种屏蔽的电子集成电路设备（７），包括具有在其上形成的电子集成电路（１４）的衬底（１０）和设置在衬底和电子集成电路上的电介质区（１２），其中电介质区和衬底基本被使用电化学淀积进行淀积的磁性材料区（２６，３０，３２，３４）包围，以及其中对...

本发明公开一种与半导体元件的上面电极电连接的结构以及制造这种结构的方法。与上面电极电连接的结构（１０）包括具有横向尺寸的第一电极（５０）、在第一电极上面的半导体元件（１４）、以及在半导体元件上面的第二电极（３０）。第二电极（３０）具有比...

一种磁电子存储器件，包括：一个近似平衡的合成的反铁磁即ＳＡＦ结构，包括两个铁磁层，及一个分隔这两个铁磁层并且其中具有弱耦合区域即ＷＣＲ的反平行耦合层；以及一个在该近似平衡ＳＡＦ中感应出施加的磁场的构件。

写入驱动器（３６）使用由电压返回驱动电路（１１４）的参考电流（１０２）。按照提供电压的器件（１０４）调整驱动电路（１１４）的尺寸，使得通过驱动器（１１４）的电流为参考电流（１０２）的预定倍数。所述电压通过开关（１１０）耦合到驱动电路（１...

一种磁隧道结随机访问存储器体系结构，其中存储器单元阵列（１８）按行和列（１５）排列，各个存储器单元包含并联的磁隧道结（２０、２２、２４、２６）和控制晶体管（２１、２３、２５、２７）。控制线（ＷＬ）被连接到控制晶体管行中各个控制晶体管的栅...

内容可寻址磁性随机访问存储器单元包含ＭＴＪ的差动连接对和连接到ＭＴＪ的比较和匹配检测电路，并且包含差动标签位线、差动标签编程位线、使能线、字线、数元线和匹配线。匹配线提供有关差动标签位线上放置的输入数据和单元中的存储数据之间的匹配的指示。

一种切换可伸缩磁电阻存储器单元（１０）的方法，包括提供夹在字线（２０）与数字线（３０）之间的磁电阻存储器件（３），以使在各个时刻能够将电流波形提供给字线和数字线，使磁场能量将该器件的有效磁距矢量旋转大约１８０°。该磁电阻存储器件包括Ｎ个...

存储器（１０）提供了一种在数据到读放大器（２４）所取的理由与基准或各基准到该读放大器所取的理由之间维持阻抗平衡的读出解决方案。该存储器的每个子阵列（１４，１８）具有相邻的列解码器（２０，２２），该相邻列解码器使数据耦合到也与子阵列相邻而...