用于具有改进的热稳定性的合成反铁磁体结构的方法和装置制造方法及图纸

合成反铁磁体（ＳＡＦ）结构（１０２）包括底部铁磁层（２１０）、在该底部铁磁层上形成的耦合层（２０６），和在该耦合层上形成的顶部铁磁层（２０２）。顶部铁磁层和底部铁磁层之一包含以（Ｃｏ１００－ａＦｅａ）１００－ｚＢｚ表征的非晶态合金，其中ａ小于约１０原子％，且ｚ大于约２０原子％。大体上，磁性器件包括至少一个包含以（Ｃｏ１００－ａＦｅａ）１００－ｚＢｚ表征的非晶态ＣｏＦｅＢ合金的磁性层，其中ａ小于约１０原子％，且ｚ大于约２０原子％。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及磁致电阻器件结构，更特别涉及具有改进的合成反铁磁体 (SAF)结构的磁致电阻器件。背景由于可获自最近开发出的磁致电阻材料的大信号，磁电子器件，如磁致电阻随机 存取存储器(MRAM)单元、磁性传感器、读出头等近年来变得越来越普及。在这方面，MRAM与 其它非易失性存储器相比具有非易失性存储、耐辐射性、快速读写操作以及高耐久性的优 点。这类器件一般包括磁隧道结(MTJ)结构(或“叠层”)，其包括被一层或多层非磁性层 隔开的多个铁磁层。典型的MTJ叠层可以包括一个或两个合成反铁磁体(SAF)，如单一自由 层和被钉扎的SAF，或自由层SAF和被钉扎的SAF。与开关或交替场(toggle field)相关的SAF的一种性质是这两层之间的反铁磁 耦合强度，其通过SAF材料的饱和场Hsat表征。已知的是，对于Ru分隔层厚度在7A至1 OA 的典型范围内的NiFe SAF，该SAF结构在高于约275°C的温度下开始失效，造成差的开关行 为。由于SAF失效以及其它机制，具有NiFe基SAF自由层的MTJ材料的MR在高于约275°C 的温度下也劣化。因此，希望使用可耐受高于35本文档来自技高网...

【技术保护点】
合成反铁磁体（ＳＡＦ）结构，其包含：底部铁磁层；在该底部铁磁层上形成的耦合层；和在该耦合层上形成的顶部铁磁层；其中顶部铁磁层和底部铁磁层中的至少一个包含以（Ｃｏ↓［１００－ａ］Ｆｅ↓［ａ］）↓［１００－ｚ］Ｂ↓［ｚ］表征的非晶态ＣｏＦｅＢ合金，其中ａ小于约１０原子％，且ｚ大于约２０原子％。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙吉军，R戴夫，J斯劳特，
申请(专利权)人：艾沃思宾技术公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]