提供了一种用于对使用破坏性读取，包括例如MRAM中的自旋扭矩比特的自参照读取，和选择性写回的磁存储器修复复位错误的方法。通过以下之一来使存储器单元为写回作准备：利用纠错码识别被确定为发生错误的存储器单元并且对于被确定为发生错误的那些存储...

一种制造基于磁电阻的装置的方法包括金属硬掩模，其对于顶部电极刻蚀化学剂是惰性的，并在磁性堆叠溅射期间具有低的溅射率。通过光致抗蚀剂图案化金属硬掩模，然后剥去该光致抗蚀剂，并通过金属硬掩模图案化顶部电极(在基于磁电阻的装置的磁性材料上面)。

为了改善电源噪声抑制、提高具有抗存储体到存储体噪声耦合能力的感测速度以及减小从激活列中的关断字线选择器件的泄露，电路和方法为自旋扭矩磁电阻随机存取存储器阵列提供多个定时控制和偏置电压。

一种向自旋矩磁电阻随机存取存储器写入的写入驱动器最小化选择的列中未选择(关)的字线选择晶体管的亚阈值泄漏。在位线和/或源极线中的有效金属电阻减少而电源抗噪声能力增加。写入驱动器偏置信号与全局偏置信号隔离，并且使用第一NMOS跟随器电路或...

一种从自旋矩磁电阻存储器阵列中的多个比特读取数据的方法，包括：执行所述比特的一个或多个参考读取操作，以及执行任何未通过所述参考读取操作成功读取的比特的破坏性自参考读取操作，例如，破坏性自参考读取操作。所述参考读取操作可以与所述破坏性自参...

确定复位电流脉冲和第二稳定电流的至少一个的幅度和方向(它分别产生复位场和第二稳定场)，当施加到磁感测元件的阵列时，在磁传感器的运行和外部场的测量期间，使总的所需的稳定场和复位场最小化。所以弱场传感器在固定的外部场运行点周围最佳地运行(具...

一种双隧道势垒磁元件具有位于第一隧道势垒与第二隧道势垒之间的自由磁层、以及在所述第二隧道势垒上方的电极。两步蚀刻处理使得可以在第一蚀刻之后在所述电极和第二隧道势垒的侧壁上形成封装材料，以防止当执行第二蚀刻以移除自由层的一部分时对第一隧道...

一种制造处理和装置从两种差分传感器配置(502、512)提供了高性能的磁场传感器(200)，只需要由蚀刻成高纵横比形状的单个参考层形成的两个不同的钉扎轴，其长轴(506、516)关于不同的朝向延伸，使得所述高纵横比构图提供迫使每个构图形...

提供了一种方法和存储器设备，用于从与多个存储器设备位相关联的多个参考位的ECC字中读取数据并且确定ECC字中是否存在双位错误。ECC字可首先被双态切换两次，然后一检测到双位错误就复位参考位。

本发明提供一种存储器，其通过减小存储器阵列外部的电路可访问的位线和源极线的数量，简化了制造工艺和结构。存储器具有：包括多个存储器元件的第一和第二行组，其中每个存储器元件耦接到多个M根位线中的一根位线；第一和第二本地源极线以及第一和第二字...

一种自旋扭矩磁阻存储元件具有高磁阻和低电流密度。自由磁层位于第一自旋极化器与第二自旋极化器之间。第一隧道势垒位于第一自旋极化器与自由磁层之间，第二隧道势垒位于第二自旋极化器与自由磁层之间。第二隧道势垒的磁阻比率具有比第一隧道势垒的磁阻的...

一种半导体工艺和装置提供具有三个差分传感器配置的高性能磁场传感器，其仅需要两个不同的钉扎轴，其中以具有四个未屏蔽磁隧道结传感器阵列的Wheatstone桥结构来形成每个差分传感器，其每个包括磁场脉冲生成器以用于有选择地施加场脉冲以稳定或...

用于在数字线与磁性设备的一侧之间进行连接的导电通孔位于每个磁性设备下方并与该磁性设备对准。其他接触部可以使用相同的工艺步骤而满足相同的设计规则。在导电通孔上形成的电极被抛光，以避免起源于导电通孔的阶梯物或者接缝经由各种沉积层而向上传播。...

描述了用于使不同等待时间和页面尺寸的易失性和非易失性存储器交错的存储器控制和方法，其中，单个DDR3存储器控制器与许多存储器模块通信，其至少包括与例如动态随机存取存储器（DRAM）的易失性存储器集成在不同序列或通道中的例如自旋扭矩磁随机...

磁传感器包括多个组，每个组包括多个磁隧道结（MTJ）器件，多个导体配置为将一个组内的MTJ器件并联耦合并且将组串联耦合，实现了MTJ的材料电阻面积（RA）的独立优化，并且设置总器件电阻使得总桥电阻不会高得约翰逊噪声成为信号限制因素，又不...

对自旋矩磁电阻存储器阵列编程，所述自旋矩磁电阻存储器阵列包括导电复位线，所述导电复位线设置得接近多个磁电阻比特中的每一个并被配置来将所述多个磁电阻存储器元件设置到具有与该磁电阻比特的膜平面垂直的磁化的已知状态。所述导电复位线被设置为使得...

提供用于形成参考层的传感器和制造工艺，该参考层具有基本上正交的磁化方向，该磁化方向具有小补偿角的零偏移。一个示例性实施例包括基于磁阻薄膜的磁场传感器的传感器层堆叠，该传感器层堆叠包括：钉扎层；被钉扎层包括：在钉扎层之上的非晶材料的层，以...

一种对自旋力矩磁致电阻存储器阵列进行编程的装置和方法，该磁致电阻存储器阵列包括位于多个磁致电阻位中每一个磁致电阻位附近且被配置为通过在电流经其流过时产生磁场来将该多个磁致电阻存储元件设置为已知状态的金属复位线。然后向这些磁致电阻位中所选...

半导体工艺集成三个桥电路在单个芯片上以感测沿三个正交方向的磁场，每个桥电路包括耦接为惠斯通桥的磁致电阻传感器。该工艺包括形成磁致电阻传感器以及在三个桥电路之一上的用于将“Z”轴磁场传输到取向在XY平面内的传感器上的多个通量引导件的各种沉...

在电路板（300、700）或第二集成电路（706）上安装第一集成电路（102、500、704）的方法，该第一集成电路（102、500、704）形成在衬底（104）之上且具有背对衬底（104）的表面（119）以及与表面（119）基本正交的...