【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种逻辑器件,包括:多个磁输入/通道区,所述多个磁输入/通道区的每个被磁偏置在第一方向上,所述多个磁输入/通道区包括含有FexCoyNizM1q1M2q2的合金,其中x+y+z+q1+q2=1,x至少为0,y至少为0,z至少为0,q1至少为0,q2至少为0,M1为非磁性的,M2为非磁性的;至少一个磁传感器区,被磁偏置在与所述第一方向不同的第二方向上,使得如果所述逻辑器件处于静止状态,至少一个畴壁位于所述多个磁输入/通道区中;和至少一个传感器,与所述至少一个磁传感器区耦接,所述至少一个传感器用于基于所述至少一个磁传感器区的磁状态来输出信号;其中所述多个磁输入/通道区和所述至少一个磁传感器区配置为使得所述至少一个畴壁响应于提供到至少一部分的所述多个磁输入区的逻辑信号而移动到所述至少一个磁传感器区中。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:D阿帕尔科夫,D德鲁伊斯特,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:
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