MOS管与单电子晶体管混合结构的可复用逻辑门制造技术

本实用新型专利技术利用新型纳米电子器件单电子晶体管与MOS管混合结构所具有的库仑阻塞振荡效应和多栅输入特性，提出了一种MOS管与单电子晶体管混合结构的可复用逻辑门。通过偏置输入端和控制端，该逻辑单元就能够实现或、或非、与、与非、异或、同或所有的二输入逻辑功能，而不需要改变电路的器件参数，仅消耗3个PMOS管，3个NMOS管和3个SET。该可复用逻辑门结构简单、功耗低、集成度高，具有较高的可重构特性，有望在将来的低功耗、高集成度的超大规模集成电路中得到应用。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种MOS管与单电子晶体管混合结构的可复用逻辑门，其特征在于：包括第一二输入SET/MOS混合电路、第二二输入SET/MOS混合电路以及第三二输入SET/MOS混合电路；所述第三二输入SET/MOS混合电路的输入端分别对应与所述第一二输入SET/MOS混合电路、第二二输入SET/MOS混合电路的输出端连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：魏榕山，陈锦锋，于志敏，何明华，
申请(专利权)人：福州大学，
类型：实用新型
国别省市：