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单电子晶体管与MOS管构成的双阈值逻辑单元制造技术

技术编号:9424621 阅读:101 留言:0更新日期:2013-12-06 06:29
本实用新型专利技术涉及一种单电子晶体管与MOS管构成的双阈值逻辑单元,其特征在于:包括一SET/MOS混合电路、一第一反相器和一第二反相器,所述SET/MOS混合电路包括四个输入端、一个控制端和一个输出端,所述SET/MOS混合电路的输出端连接所述第一反相器的输入端,所述第一反相器的输出端连接所述第二反相器的输入端,所述第二反相器的输出端作为所述双阈值逻辑单元的输出端。本实用新型专利技术可以实现双阈值的逻辑功能,具有可重构的特性,可以实现任意的二变量逻辑函数。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种单电子晶体管与MOS管构成的双阈值逻辑单元,其特征在于:包括一SET/MOS混合电路、一第一反相器和一第二反相器,所述SET/MOS混合电路包括四个输入端、一个控制端和一个输出端,所述SET/MOS混合电路的输出端连接所述第一反相器的输入端,所述第一反相器的输出端连接所述第二反相器的输入端,所述第二反相器的输出端作为所述双阈值逻辑单元的输出端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:魏榕山陈锦锋于志敏何明华
申请(专利权)人:福州大学
类型:实用新型
国别省市:

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