【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种高强度抗接触损伤多孔SiC的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:(1)将木材在600?1100℃进行碳化处理,气氛为惰性气体或氢气,处理时间为1?6小时;(2)将碳化处理后的木材在液态聚碳硅烷中浸渍处理得到碳模板,浸渍环境为真空;(3)浸渍处理后的碳模板进行固化处理,固化温度为180℃?250℃,固化时间为1?5小时;(4)将固化后的碳模板在惰性气体或氢气的保护下进行高温处理,或者在真空环境中进行高温处理,得到多孔SiC陶瓷,其中高温处理温度为1000?1500℃,处理时间为2?8小时。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:周延春,王晓飞,卢新坡,陶孟,胡继东,孙新,冯志海,
申请(专利权)人:航天材料及工艺研究所,中国运载火箭技术研究院,
类型:发明
国别省市:
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