具有多单元阵列的半导体发光器件制造技术

本发明专利技术提供了一种半导体发光器件，包括：衬底；多单元阵列，其包括布置在所述衬底的上表面上的多个发光单元；多个第一电极和多个第二电极，其形成在每个发光单元中并且具有相反极性；多个互连单元，其将形成在一个发光单元中的多个第一电极串联连接到形成在相邻发光单元中的多个第二电极；以及绝缘层，其形成在各发光单元的表面上以便防止所述多个互连单元与各发光单元的不期望区域进行连接。

【技术实现步骤摘要】
具有多单元阵列的半导体发光器件相关申请的交叉引用本申请要求分别于2012年3月6日和2012年5月21日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2012-0022890号和第10-2012-0053550号的优先权，其公开内容通过引用并入本文。
本专利技术涉及半导体发光器件，更具体地，涉及具有其中排列有多个发光单元的结构的半导体发光器件。
技术介绍
通常，在光输出、发光效率和可靠性专利技术，半导体发光二极管（LED）是有用的光源。因此，已经积极展开了对不仅在显示装置的背光单元而且在各种照明设备中用作高输出高效率光源的LED的开发的研究。当对半导体LED施加电流时由于在p型半导体与n型半导体之间的p-n结处产生电子-空穴复合而引起半导体LED发光。与传统光源相比，这些LED能够在低压和低电流下持续发光，因此，其甚至可以以低功耗实现高效率。作为这种LED的示例，GaN基LED是已知技术。在GaN基LED中，由GaN基半导体形成的n型半导体层、有源层（或发光层）、p型半导体层按顺序形成在由蓝宝石、硅树脂等形成的衬底上。通常，有源半导体层和p型半导体层的一部分通过刻蚀工艺被去除，使得n型半导体层的一部分向外暴露。透明电极层形成在p型半导体层的上表面上，并且电极焊盘形成在该透明电极层上。而且，另一个电极焊盘形成在n型半导体层的暴露部分上。当电流施加到电极焊盘时，电流从一个电极焊盘通过p型半导体层、有源半导体层、和n型半导体层，流向形成在n型半导体层上的另一个电极焊盘。这里，在透明电极层与其下面形成的半导体层之间可能存在晶体结构缺陷，并且这些缺陷会使在LED的各个层中的电流扩散恶化。此外，由于在p型和n型电极之间的多个电流通路当中存在导电电阻率值方面的差异，因此很难实现均匀电流扩散。
技术实现思路
本专利技术的一个方面提供了一种具有改进的电流扩散效果的半导体发光器件。根据本专利技术的一个方面，提供了一种半导体发光器件，包括：衬底；多单元阵列，其包括布置在所述衬底的上表面上的多个发光单元，每个发光单元具有形成在所述衬底的上表面上的第一导电类型半导体层、有源层、和第二导电类型半导体层；多个第一电极和多个第二电极，其形成在每个发光单元中并且具有相反极性；多个互连单元，其将形成在一个发光单元中的多个第一电极串联连接到形成在相邻发光单元中的多个第二电极；以及绝缘层，其形成在各发光单元的表面上以便防止所述多个互连单元与各发光单元的不期望区域进行连接。该半导体发光器件还可以包括：第一连接单元，其连接到位于包括串联连接的多个发光单元的所述多单元阵列的一端处的发光单元的各第一电极；以及第二连接单元，其连接到位于包括串联连接的多个发光单元的所述多单元阵列的另一端处的发光单元的各第二电极。所述多个发光单元可以排列成多个列，每列具有两个或更多的发光单元，并且所述互连单元可以包括第三连接单元，所述第三连接单元将位于各个列的一端处的各互连单元在行方向上彼此连接。所述多个第一电极和所述多个第二电极可以彼此面对地排列。所述发光单元中形成的第一电极的数量可以等于相邻发光单元中形成的第二电极的数量。所述发光单元中形成的所述多个第一电极可以按规则间隔排列。所述发光单元中形成的所述多个第二电极可以按规则间隔排列。根据本专利技术的另一个方面，提供了一种半导体发光器件，包括：衬底；多单元阵列，其包括布置在所述衬底的上表面上的多个发光单元，每个发光单元具有形成在所述衬底的上表面上的第一导电类型半导体层、有源层、和第二导电类型半导体层；多个第一电极和多个第二电极，其形成在每个发光单元中并且具有相反极性；多个第一连接单元，每个第一连接单元分别连接在每个发光单元中形成的所述多个第一电极；多个第二连接单元，每个第二连接单元分别连接在每个发光单元中形成的所述多个第二电极；多个互连单元，其串联连接所述第一连接单元和所述第二连接单元；以及绝缘层，其形成在各发光单元的表面上以便防止所述多个互连单元与各发光单元的不期望区域进行连接。所述多个发光单元可以排列成多个列，每列具有两个或更多的发光单元，并且所述互连单元可以包括连接线，所述连接线将位于各个列的一端处的各互连单元在行方向上彼此连接。所述多个第一电极和所述多个第二电极可以彼此面对地排列。该半导体发光器件还可以包括：至少一个第一接合焊盘，其连接到一个第一连接单元，该第一连接单元连接位于包括串联连接的多个发光单元的所述多单元阵列的一端处的发光单元的各第一电极；以及至少一个第二接合焊盘，其连接到一个第二连接单元，所述一个第二连接单元连接位于包括串联连接的多个发光单元的所述多单元阵列的另一端处的发光单元的各第二电极。所述发光单元中形成的第一电极的数量可以等于相邻发光单元中形成的第二电极的数量。所述发光单元中形成的所述多个第一电极可以按规则间隔排列。所述发光单元中形成的所述多个第二电极可以按规则间隔排列。所述多个发光单元可以按单行或单列排列。附图说明通过以下与附图结合进行的详细描述可以更清楚地理解本专利技术的上述和其他方面、特征和其他优点，附图中：图1是示出根据本专利技术的一个实施例的具有多单元阵列的半导体发光器件的平面图；图2是在图1的半导体发光器件中实现的多单元阵列的等效电路图；图3是示出在图1的半导体发光器件中的各单元之间的连接的沿A-A'线截取的剖面图；图4是示出根据本专利技术的另一个实施例的具有多单元阵列的半导体发光器件的平面图；图5是示出在图4的半导体发光器件中的各单元之间的连接的沿B-B'线截取的剖面图；图6是示出根据本专利技术的又一个实施例的具有多单元阵列的半导体发光器件的平面图；图7是在图6的半导体发光器件中实现的多单元阵列的等效电路图；以及图8是示出在图7的半导体发光器件中的各单元之间的连接的沿D-D'线截取的剖面图。具体实施方式将参照附图来详细描述本专利技术的实施例。然而，本专利技术可以以许多不同形式实现，而不应理解为限于本文中阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开是彻底和全面的，并且向本领域技术人员充分传达本专利技术的范围。在附图中，为了清楚起见各元件的形状和尺寸可能被夸大，并且相同的附图标记自始至终用于指定相同或相似的元件。图1是示出根据本专利技术的一个实施例的具有多单元阵列的半导体发光器件的平面图，图2是在图1的半导体发光器件中实现的多单元阵列的等效电路图。图3是示出在图1的半导体发光器件中的各单元之间的连接的沿A-A'线截取的剖面图。如图1所示，根据本专利技术的该实施例的半导体发光器件10可以包括衬底11和在衬底11的上表面上以3×2阵列排列的多个发光单元C1至C6。术语“发光单元”指的是包括区别于不同单元的有源层在内的多层半导体薄膜。如图3所示，可以通过对多层半导体薄膜12进行分割来获得多个发光单元C1至C6，每个发光单元具有按顺序形成在衬底11的上表面上的第一导电类型半导体层12a、有源层12c、和第二导电类型半导体层12b。本实施例中的单元分割工艺被示例为完全分割工艺（隔离工艺），其中将多层半导体薄膜12的各部分完全去除从而暴露衬底11的表面的。此外，第一导电类型半导体层12a可以具有通过部分分割工艺（台面刻蚀工艺）暴露的部分。即，如图1和图3所示，每个发光单元C可以具有其中第一导电类型半导体层12a通过台面刻蚀工艺被部分地暴露的暴露本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光器件，包括：衬底；多单元阵列，其包括布置在所述衬底的上表面上的多个发光单元，每个发光单元具有形成在所述衬底的上表面上的第一导电类型半导体层、有源层、和第二导电类型半导体层；多个第一电极和多个第二电极，其形成在每个发光单元中并且具有相反极性；多个互连单元，其将形成在一个发光单元中的多个第一电极串联连接到形成在相邻发光单元中的多个第二电极；以及绝缘层，其形成在各发光单元的表面上以便防止所述多个互连单元与各发光单元的不期望区域进行连接。

【技术特征摘要】
2012.03.06 KR 10-2012-0022890;2012.05.21 KR 10-201.一种半导体发光器件，包括：衬底；多单元阵列，其包括布置在所述衬底的上表面上的多个发光单元，每个发光单元具有形成在所述衬底的上表面上的第一导电类型半导体层、有源层、和第二导电类型半导体层；形成在每个发光单元中并且具有相反极性的多个第一电极和多个第二电极；多个互连单元，其将形成在一个发光单元中的多个第一电极串联连接到形成在相邻发光单元中的多个第二电极；以及绝缘层，其形成在各发光单元的表面上以便防止所述多个互连单元与各发光单元的不期望区域进行连接。2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括：第一连接单元，其连接到位于包括串联连接的多个发光单元的所述多单元阵列的一端处的发光单元的各第一电极；以及第二连接单元，其连接到位于包括串联连接的多个发光单元的所述多单元阵列的另一端处的发光单元的各第二电极。3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述多个发光单元排列成多个列，每列具有两个或更多的发光单元，并且所述互连单元包括第三连接单元，所述第三连接单元将位于各个列的一端处的各互连单元在行方向上彼此连接。4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述多个第一电极和所述多个第二电极彼此面对地排列。5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述发光单元中形成的第一电极的数量等于相邻发光单元中形成的第二电极的数量。6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述发光单元中形成的所述多个第一电极按规则间隔排列。7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述发光单元中形成的所述多个第二电极按规则间隔排列。8.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述多个发光单元按单...

【专利技术属性】
技术研发人员：林璨默，李锺昊，金真焕，申永澈，赵秀玄，李镇贤，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：