【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
具有肖特基接触终端的快恢复二极管,其元胞结构包括N+阴极区(60)、位于N+阴极区(60)背面的阴极金属(70)、位于N+阴极区(60)上方的N型漂移区(40)、位于N+阴极区(60)和N型漂移区(40)之间的N型场缓冲层(50);所述N型漂移区(40)表面具有元胞P型区(20),元胞P型区(20)表面具有阳极金属(10);器件终端区的N型漂移区(40)表面距离元胞P型区(20)由近及远地分布有等位环(31)、第一场限环(32)和第二场限环(33);所述等位环(31)表面具有与之接触的肖特基金属(80),肖特基金属(80)与等位环(31)表面接触方式为肖特基接触;所述等位环(31)与元胞P型区(20)等电位连接,形成器件终端过渡区;所述第一场限环(32)和第二场限环(33)用于改善器件反向阻断时等位环(31)的电场曲率效应,以提高器件终端的耐压能力;所述N型场缓冲层(50)用以截止阻断状态时的电场。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:李泽宏,杨文韬,宋洵奕,宋文龙,张金平,任敏,
申请(专利权)人:电子科技大学,
类型:发明
国别省市:
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