电路板、制造电路板的方法、显示器和电子单元技术

本发明专利技术涉及电路板、电路板的制造方法、显示器以及电子单元。该电路板包括：第一配线层，设置在基板上；绝缘层，包含开口，该绝缘层设置在第一配线层上；表面能控制层，设置在第一配线层上的与绝缘层的开口相对的区域，表面能控制层控制第一配线层的表面能；半导体层，设置在绝缘层上的选择性区域；以及绝缘层上的第二配线层，该第二配线层电连接至半导体层，并且通过开口电连接至第一配线层。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种电路板，优选用作包括例如薄膜晶体管(TFT)的底板(backplane)。
技术介绍
薄膜晶体管(以下称为TFT)—般具有三个电极(端子)，即，栅(G)电极、源(S)电极和漏(D)电极。源电极和漏电极设置在相同的层，而栅电极设置在与之不同的层。在集成大量TFT以实现电路功能的情况下，设置在与源电极或漏电极的相同层的配线层与设置在与栅极的相同层的配线层需要相互电连接。具体地，需要电连接不同层的配线(需层间配线连接)。例如，与栅电极在相同层的配线层在TFT外侧部分连接通向源电极或漏电极的配线层。之前已提出了用于包含TFT的电路的各种层间配线连接技术(例如， 见日本未审查申请No. 2011-14724和2008-147614)。
技术实现思路
为建立上述的层间配线连接，由于两层配线层之间存在绝缘层，在绝缘层的一部分设置开口(接触孔)以通过该开口建立配线之间的连接。然而，特别是在TFT的半导体层是通过涂布形成的情况下，在开口部分出现沉积不良，导致半导体层的图案精确度下降。期望能提供能一种允许半导体层精确形成图案的电路板、制造该电路板的方法以及包含所述电路板的显示器。根据本公开的实施方式的电路板包括第一配线层，其设置在基板上；绝缘层，其包含开口，该绝缘层设置于第一配线层上；表面能控制层，设置在第一配线层上的与绝缘层的开口相对的区域，该表面能控制层控制第一配线层的表面能；半导体层，设置在绝缘层上的选择性区域；以及绝缘层上的第二配线层，该第二配线层电连接至半导体层，并且通过开口电连接至第一配线层。制造根据本公开实施方式的电路板的方法，包括在基板上形成第一配线层；在第一配线层上形成具有开口的绝缘层；在第一配线层上的绝缘层开口相对的区域形成表面能控制层，该表面能控制层控制第一配线层的表面能；在形成表面能控制层后，在绝缘层上的选择性区域形成半导体层；以及在绝缘层上形成第二配线层，该第二配线层电连接至半导体层，并且通过开口电连接至第一配线层。在根据本公开实施方式的电路板以及制造电路板的方法中，第二配线层设置在第一配线层上，并且两层之间的绝缘层具有开口，从而第一和第二配线层可通过绝缘层的开口相互电连接。此处，表面能控制层设置在第一配线层上的与开口相对的区域，从而在开口区域控制第一配线层的表面能。因此，当通过在绝缘层上涂布形成半导体层时，不太可能出现诸如半导体层厚度不均匀的沉积不良。根据本公开的实施方式的显示器包括包含多个像素的显示部；驱动显示部的电路板。该电路板包括设置在基板上的第一配线层；包含开口的绝缘层，该绝缘层设置在第一配线层上；表面能控制层，设置在第一配线层上的与绝缘层的开口相对的区域，该表面能控制层控制第一配线层的表面能；半导体层，设置在绝缘层上的选择性区域；以及绝缘层上的第二配线层，该第二配线层电连接至半导体层，并且通过开口电连接至第一配线层。电子单元包括显示器，其包括具有多个像素的显示部，以及驱动该显示部的电路板。该电路板包括设置在基板上的第一配线层；包含开口的绝缘层，该绝缘层设置在第一配线层上；表面能控制层，设置在第一配线层上的与绝缘层的开口相对的区域，该表面能控制层控制第一配线层的表面能；半导体层，设置在绝缘层上的选择性区域；以及绝缘层上的第二配线层，该第二配线层电连接至半导体层，并且通过开口电连接至第一配线层。根据本公开实施方式的电路板和制造电路 板的方法，第二配线层设置在第一配线层上，并且两层之间的绝缘层具有开口，从而第一和第二配线层通过绝缘层开口相互电连接。此外，表面能控制层设置在第一配线层上的与开口相对的区域，从而允许控制第一配线层的表面能，可抑制半导体层的沉积不良。这使得半导体层可被精确地图案化。应当理解，以上的概括描述和以下的详细描述均是示例性的，并且旨在对要求保护的本技术提供进一步的说明。附图说明包含附图以用于进一步理解本公开，并且包含在本说明书中且构成本说明书的一部分。附图示出实施方式，并且与说明书一起用于说明本技术的原理。图I示出根据本公开实施方式的电路板的示意性配置的截面图。图2以放大的方式示出图I中示出的电路板的配线连接区附近部分的示意性截面图。图3A至图3C按步骤顺序示出制造图I中所示电路板的方法的截面图。图4A和图4B示出图3C之后的步骤的截面图。图5A和图5B示出图4B之后的步骤的截面图。图6A至图6C示出图5B之后的步骤的截面图。图7示出图6C之后的步骤的截面图。图8示出制造根据比较例的电路板的方法的示意性截面图。图9A和图9B示出制造根据比较例的电路板的方法的示意性截面图。图IOA和图IOB示出制造根据第一变形例的电路板的方法的示意性截面图。图IlA和图IlB示出制造根据第二变形例的电路板的方法的示意性截面图。图12示出根据各个实施方式等的电路板的应用例的显示器的驱动电路配置的示意图。图13示出根据各个实施方式等的电路板的应用例I的外观的透视图。图14A示出从前侧看的应用例2的外观的透视图，并且图14B示出从后侧看的应用例2的外观的透视图。图15示出应用例3的外观的透视图。图16示出应用例4的外观的透视图。图17A示出应用例5在打开状态的前视图，图17B示出其侧视图，图17C示出其闭合状态的前视图，图17D示出其左侧视图，图17E示出其右侧视图，图17F示出其顶视图，以及图17G示出其底视图。图18A和18B图示出应用例6的外观的透视图。具体实施例方式现将参考附图详细说明本公开的实施方式。应当注意，按以下顺序进行说明。 I.实施方式(具有有机TFT的电路板的实例)2.第一变形例(制造工艺的另一实例)3.第二变形例(制造工艺的又一实例)4.应用例(包含电路板的显示器和电子单元的实例)图I示出根据本公开实施方式的电路板(电路板I)的示意性配置的透视图。该电路板I优选用作例如所谓底板。该电路板I包括，例如，集成的一个或多个驱动器半导体器件(例如有源器件，如薄膜晶体管)。这样的电路板I具有例如层结构，其中设置在不同层的配线在各个半导体器件的外侧部分相互连接(建立了层间配线连接)。作为这样的底板的示意性层结构，本实施方式描述这样的结构在包含有机半导体的薄膜晶体管(晶体管部10A)外侧部分建立层间配线连接。晶体管部IOA包括例如有机TFT,具有所谓的底栅结构和顶接触结构。晶体管部IOA具有基板10上选择性区域中的栅电极11A，并且具有栅电极IlA上的半导体层13，它们之间有栅极绝缘层12。在栅极绝缘层12上与栅电极IlA相对的选择性区域中图案化而设置半导体层13。一对源/漏电极14a设置在半导体层13上，并且连接于半导体层13。配线连接部IOB是设置在不同层的第一配线层IlB和第二配线层14之间的连接区域，开口 Hl (通过栅极绝缘层12的接触孔)设置在第一配线层IlB和第二配线层14之间的另一个层(此处是栅极绝缘层12)中。在配线连接部IOB中，第一配线层IlB通过开口Hl电连接至第二配线层14。具体地，以下说明的表面能控制层15设置在第一配线层IlB上的与开口 Hl相对的部分。应当注意，开口 Hl不限于在栅极绝缘层12的表面或背面形成一个闭合曲线的孔形开口。具体地，开口 Hl是一个广义的概念,包括切口(notch)、凹槽(groove)等。因而，只要去除了本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电路板，包括：第一配线层，设置在基板上；绝缘层，包含开口，所述绝缘层设置在所述第一配线层上；表面能控制层，设置在所述第一配线层上的与所述绝缘层的开口相对的区域，所述表面能控制层控制所述第一配线层的表面能；半导体层，设置在所述绝缘层上的选择性区域，以及所述绝缘层上的第二配线层，所述第二配线层电连接至所述半导体层，并且通过所述开口电连接至所述第一配线层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：八木岩，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：