本发明专利技术提供一种发光装置，其特征在于，具备：第1板极，具有第1主面和所述第1主面相反侧的第2主面；第2板极，具有第3主面和所述第3主面相反侧的第4主面；发光元件，配置在所述第1主面与所述第3主面之间，具有：半导体积层体，具有面对所述第1主面且比所述第1主面小的第5主面和面对所述第3主面且比所述第3主面小的第6主面，且含有发光层；第1电极，设置在所述第5主面上；及第2电极，设置在所述第6主面上，从所述发光层发射的光束的光轴与所述第5主面和所述第6主面之间的所述半导体积层体的侧面垂直；及绝缘体，被设置为与所述第1板极和所述第2板极接触，具有形成于所述光轴上的窗口部，所述光束可以通过所述窗口部向外部发射。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种发光装置。
技术介绍
电极被 设置在上面及下面的表面发光型的发光元件的发射光的一部分被上面或者下面的电极遮住。而且，由于通过热传导的散热也只限于下面，因此散热性不良，在增大电流密度上存在极限。因此，为了达到高亮度就需要制作大面积的芯片。而且，表面发光型的发光元件具有Lambertian (朗伯)辐射模式，其半峰全宽例如可以扩展到120度。因此，发射光很难得到聚集。与此相对,端面福射型的半导体激光(Semiconductor Laser :半导体激光、DiodeLaser :二极管激光、Laser Diode LD (激光二极管))可以从微小的侧面的点(波导路端)发射强指向性的光束。有效地利用该特性而应用于⑶/DVD/蓝光(Blue — Ray)等光盘装置、高速工作的光纤通信设备等。此时，由于是将光束向单横向模式的微小光点进行光学聚光，进行微小光点的读取、光纤结合，因此基本使用于昂贵的光学系统。具有这种强指向性的光束的LD可以应用于线状光源。在线状光源中，例如，来自LD的光束从导光体一侧的端面侧入射，在下面被反射的同时朝上面方向射出。吸收了该射出光束的发光体可以发射可见光。这样的线状光源可以使用于汽车用雾灯、显示装置的背光光源等。而且，LD也可以作为扫描型光源进行应用。例如，可以将光束使用于进行扫描的投影型显示装置。在线状光源、扫描型光源的情况下，LD也可以是进行多横向模式动作。因此，其光学系统不需要制作得相当微小。在这种线状光源、投影型显示装置的用途中，需要小型、散热性及安装性优异且使用量产性优良的封装的发光装置。在专利文献I中，公开有发光特性不退化、生产率良好的LED。在该例子中，LED(Light Emitting Diode :发光二极管)芯片被I对引线部夹着。而且,玻璃材料被设置为不接触LED芯片而包围其周围。专利文献I :日本国特开2005 — 333014号公报
技术实现思路
本专利技术提供一种散热性得到改善且容易向照明装置等上安装的发光装置。根据本专利技术的一个形态，提供一种发光装置，其特征在于，具备第I板极，具有第I主面和所述第I主面相反侧的第2主面；第2板极，具有第3主面和所述第3主面相反侧的第4主面；发光元件，配置在所述第I主面与所述第3主面之间，具有半导体积层体，具有面对所述第I主面且比所述第I主面小的第5主面与面对所述第3主面且比所述第3主面小的第6主面，且含有发光层；第I电极，设置在所述第5主面上；及第2电极，设置在所述第6主面上，从所述发光层发射的光束的光轴与所述第5主面和所述第6主面之间的所述半导体积层体的侧面垂直；及绝缘体，被设置为与所述第I板极和所述第2板极接触，具有形成于所述光轴上的窗口部，所述光束可以通过所述窗口部向外部发射。本专利技术提供一种散热性得到改善且容易向照明装置等上安装的发光装置。附图说明图I (a)是本专利技术第I实施方式涉及的发光装置的模式立体图，图I (b)是发光元件的模式立体图。 图2 (a) (d)是说明发光装置的组装工序的模式图。图3 (a)及(b)是表示板极与绝缘体的紧贴结构的模式剖视图。图4 (a)及(b)是表不光束射出方向的模式剖视图。图5 (a) (C)是第2实施方式涉及的发光装置及其变形例的模式剖视图。图6 (a)是第3实施方式涉及的发光装置的模式立体图，图6 (b)是模式剖视图。图7 Ca)是第4实施方式涉及的发光装置的模式立体图，图7 (b)是沿着A — A线的模式剖视图。图8 Ca)及图8 (b)是第5实施方式涉及的发光装置的模式立体图。图9 (a) (e)是第6实施方式涉及的发光装置的模式图。图10 Ca) (f)是第7实施方式涉及的发光装置的模式立体图。图11是使用本实施方式涉及的发光装置的线状光源的模式剖视图。图12 Ca)是第8实施方式涉及的发光装置的模式立体图，图12 (b)是沿着B —B线的模式剖视图，图12 (C)是第I变形例的模式剖视图，图12 (d)是第2变形例的模式首1J视图。图13 Ca)是第9实施方式涉及的发光装置的模式立体图，图13 (b)是其变形例的模式立体图。图14 (a)是第10实施方式涉及的发光装置的模式立体图，图14 (b)是沿着B —B线的模式剖视图，图14 (c)是沿着C 一 C线的模式剖视图，图14 (d)是第I变形例的模式剖视图，图14 (e)是沿着C 一 C线的第I变形例的模式剖视图，图14 (f)是第2变形例的模式剖视图，图14 (g)是沿着C 一 C线的第2变形例的模式剖视图。图15 Ca)是使用第10实施方式的发光装置的线状发光照明装置的模式剖视图，图15 (b)是第I变形例的模式剖视图，图15 (c)是第2变形例的模式剖视图。图16 (a)是第11实施方式涉及的发光装置的模式立体图，图16 (b)是线状发光照明装置的模式立体图。符号说明5 —发光装置；10、80 —第I板极；20、84 —第2板极；30 —发光兀件；31 —半导体积层体；32 —第I电极；34 —第2电极；36 —发光层；37 —光轴；39 —光束；40、44 —绝缘体；42、43 —窗口部；50 —金属凸起；70 —荧光体。具体实施例方式以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。图I (a)是本专利技术第I实施方式涉及的发光装置的模式立体图，图I (b)是使用于该发光装置的发光元件的模式立体图。发光装置5具有第I板极10 ;第2板极20 ;发光元件30，被第I板极10与第2板极20夹着,及绝缘体40，分别接触第I板极10以及第2板极20。由金属制成的第I板极10具有第I主面IOa和第I主面IOa相反侧的第2主面10b。而且，由金属制成的第2板极20具有第3主面20a和第3主面20a相反侧的第4主面 20b ο发光兀件30具有半导体积层体31,具有发光层36 ;第I电极32 ;及第2电极34。第I电极32被设置在面对第I板极10的第I主面IOa且比第I主面IOa小的半导体积层体31的第5主面31a上。而且，第2电极34被设置在面对第2板极20的第3主面20a且比第3主面20a小的半导体积层体31的第6主面31b上。S卩，发光元件30被夹在第I板极10的第I主面IOa与第2板极20的第3主面20a之间，可以通过在第I板极10的第2主面IOb与第2板极20的第4主面20b之间施加正向电压进行发光。 而且，发光元件30在第5主面31a与第6主面31b之间具有4个侧面。发光层36的端部36a构成半导体积层体31的侧面中的I个侧面31c的一部分。而且，发光层36在与侧面31c垂直的方向上具有光轴37。当发光元件30为端面发光型的LD、LED时，其发射光(光束)的强度虽然在光轴37上为最大，但是在离开光轴37的半导体积层体31的第5主面31a及第6主面31b侧是非常低的。另外，端面发光型的LD或者LED面对的2个端面构成光学共振器。此时，例如，当将作为光射出面的前面的光反射率定为20%以下、将作为光反射面的后面的光反射率定为90%以上时，在光射出面侧则可以得到更高的光输出。绝缘体40被设置为接触第I板极10与第2板极20。具体为，绝缘体40被设置为接触第I主面IOa及第2主面IOb或者第I板极10的外缘IOc及本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：木下顺一，武田雄士，和田直树，高木将实，新井敏之，中村浩积，丰田直树，川崎要二，上野岬，
申请(专利权)人：哈利盛东芝照明株式会社，
类型：发明
国别省市：
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