本发明专利技术提供关于310nm~380nm、特别是320nm~350nm可以照射强紫外线的紫外线照射装置。实施方式的紫外线照射装置并列地配置有多个形成有包含LaPO4:Ce作为在310nm~340nm具有峰值波长的荧光体的荧光体层22的第1荧光灯2，并且以位于第1荧光灯2之间的方式并列地配置有多个形成有包含YPO4:Ce作为在340nm~360nm具有峰值波长的荧光体的荧光体层的第2荧光灯3。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施方式涉及液晶面板的制造工序等中使用的紫外线照射装置。
技术介绍
在液晶面板的制造工序中，一般为了控制取向，进行称为PSA(Polymer SustainedAlignment，聚合物持续取向)工序的光取向工序。该工序是对具备液晶和作为光反应物质的单体的液晶面板照射紫外线、使单体聚合而控制液晶的取向的工序。在紫外 线的照射中，如专利文献I那样主要使用紫外线灯。在此，单体具有吸收光谱在250nm左右最高，随着朝向长波长而变低的倾向。为了使单体聚合，有效的是照射吸收光谱高的250nm左右的紫外线，但是若照射300nm以下的紫外线，则会对液晶面板产生影响，有可能使液晶面板的可靠性下降。此外，比380nm长的波长的光有可能会对液晶面板产生热影响。因而，为了抑制对液晶面板的损伤并且使单体聚合，需要照射310nnT380nm、特别是320nnT350nm的紫外线。专利文献专利文献I特开2011-146363号公报
技术实现思路
本专利技术所要解决的课题在于提供关于310nnT380nm、特别是320nnT350nm可以照射强紫外线的紫外线照射装置。为了解决上述课题，实施方式的紫外线照射装置对包含光反应性物质的液晶面板进行照射，具备 第I光源，其形成有包含在310nnT340nm具有峰值波长的LaPO4荧光体的荧光体层；以及第2光源，其形成有包含在340nnT360nm具有峰值波长的YPO4荧光体的荧光体层。附图说明图1是用于说明涉及紫外线照射装置的实施方式的图。图2是用于说明图1的荧光灯的图。图3是用于说明在图1的第I荧光灯和第2荧光灯中形成的荧光体的放射光谱及单体的吸收光谱的图。图4是用于说明由图1的紫外线照射装置获得的放射光谱及单体的吸收光谱的图。图5是用于说明图1的实施例和比较例I飞的放射光谱的图。图6是用于说明紫外线照射型的荧光体(LaPO4 = Ce)和可见光照射型的荧光体(Sr2P2O7IEu)的照度维持率的图。图7是用于说明使具备包含LaPO4 = Ce的荧光体层的荧光灯的荧光体膜厚变化时的照度维持率的图。图8是用于说明使具备包含YPO4 = Ce的荧光体层的荧光灯的荧光体膜厚变化时的照度维持率的图。图9是用于说明具备包含LaPO4 = Ce的荧光体层的荧光灯和具备包含YPO4 = Ce的荧光体层的荧光灯的荧光体膜厚与照度维持率的关系的图。符号说明I外壳,2第I光源,3第2光源,4液晶面板。具体实施例方式以下，说明用于实施专利技术的实施方式。参照附图说明实施方式的紫外线照射装置。图1是用于说明涉及紫外线照射装置的实施方式的图。图1是液晶面板的光取向工序中使用的紫外线照射装置的概略图。紫外线照射装置具备外壳I。该外壳I由紫外线的反射性优异的金属等构成，在其内部形成有空间。在该空间中，配置有第I光源和第2光源。第I光源是管状的第I荧光灯2，以管轴大致平行的方式并列地配置有多个。第2光源是管状的第2荧光灯3，以位于第I荧光灯2之间并且管轴相互大致平行的方式并列地配置有多个。关于第I荧光灯2的结构，参照图2进行说明。第I荧光灯2如从图2可以看出，是热阴极型的荧光灯(化学灯)，具备玻璃管21作为主要部分。玻璃管21例如是由紫外线透射性的石英构成的玻璃，在其内部封入有水银和氩、氙、氖等单独物质或混合而成的稀有气体。此外，在内壁面形成有荧光体层22。在玻璃管21的两端，密封固定有例如包含科瓦铁镍钴合金(Kovar)的一对导线23，在导线23位于灯内的前端部保持有灯丝24。灯丝24例如是包含钨的螺旋状的线圈，在其螺旋处的部分例如涂敷以(Ba，Ca, Sr) O为主成分的热电子放射物质(emitter)。第2荧光灯3也是同样的构造，但是荧光体层在各个荧光灯中不同。在第I荧光灯2中，作为荧光体层22，使用LaPO4 = Ce (铈活化磷酸镧);在第2荧光灯3中，作为荧光体层，使用YPO4:Ce(铈活化磷酸钇)。LaPO4ICe和YPO4 = Ce是具有图3所示的放射光谱的荧光体。如从该图可以看出，LaPO4 = Ce在310nnT340nm、具体地337nm附近具有峰值波长，YPO4 = Ce在340nnT360nm、具体地355nm附近具有峰值波长。此外，在外壳I的内部空间，以与多个第I荧光灯2、第2荧光灯3相对的方式，配置有液晶面板4。从而，可以将由第I荧光灯2、第2荧光灯3产生的直接紫外线及由外壳I的内面反射的间接紫外线大致均匀地照射于液晶面板4的板面。该液晶面板4是在内部包含液晶及作为光反应性物质的单体的面板。该单体例如具有图3的虚线所示的吸收光谱。即，吸收光谱在260nm处最高，随着成为长波长侧而逐渐减小，在350nm处大致为O。在此，制作以灯间距50mm的等间距交替地配置有各10支(共计20支)管径为15. 5_、全长约为1150_的第I荧光灯2及第2荧光灯3的紫外线照射装置(实施例)，对各灯接入165A、28W电源而使其点亮，并对由该紫外线照射装置形成的液晶面板4中的放射光谱进行测定。其结果示于图4。另外，测定中所使用的设备为OPTO RESEACH公司制的MSR-7000。从图4可以看出，由该实施例的紫外线照射装置形成的放射光谱，紫外线的强度在310nnT380nm强，在与310nm相比短波长侧和与380nm相比长波长侧弱。特别是，在320nnT350nm处强度强。因而，该紫外线照射装置，能够抑制对液晶面板4的损伤，并且使单体有效地发生反应。接着，关于上述的紫外线照射装置(实施例)、仅搭载有形成了 LaPO4 = Ce的荧光体层的荧光灯的同样的紫外线照射装置(比较例I)、仅搭载有形成了 YPO4 = Ce的荧光体层的荧光灯的同样的紫外线照射装置(比较例2)、仅搭载有形成了 LaPO4 = Ce与YP04:Ce混合而成的荧光体层的荧光灯的同样的紫外线照射装置，进行了比较放射光谱的试验。其结果示于图 5。比较例 3 中 LaP04:Ce 为 90%, YPO4: Ce 为 10% ;比较例 4 中 LaPO4: Ce 为 80%, YPO4: Ce为 20% ;比较例 5 中 LaP04:Ce 为 70%, YPO4: Ce 为 30%。从图5可以看出，实施例在310nnT380nm整个区域相对强度都高，但是比较例I其340nnT380nm的强度低，比较例2其310nnT330nm的强度低。比较例3飞虽然强化了比较例I的弱点即340nnT380nm,但是310nnT330nm的强度大幅下降。S卩，可以认为，实施例与比较例I 5相比较，310nnT380nm处的强度格外高。 在此，在使用LaPO4: Ce及YPO4: Ce等紫外线照射型的荧光体的情况下，期望考虑其寿命特性。这是因为，如图6所示，紫外线照射型的荧光体，若与可见光照射型的荧光体比较，则照度维持率明显低。图6中所使用的可见光照射型的荧光体为在荧光灯中作为蓝色系的荧光体一般使用的Sr2P2O7 = Eu (铕活化磷酸锶)。作为照度维持率下降的原因，认为是由水银向荧光体的附着和/或管内离子的冲撞引起的紫外线激励功能的消失。为了缓和这些原因，进行了使第I荧光灯2和第2荧光灯3的荧光体层的膜厚变化的试验。其结果示于图疒图9。图7是用于说明在本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种紫外线照射装置，其对包含光反应性物质的液晶面板进行照射，具备：第1光源，其形成有包含在310nm~340nm具有峰值波长的LaPO4荧光体的荧光体层；以及第2光源，其形成有包含在340nm~360nm具有峰值波长的YPO4荧光体的荧光体层。
【技术特征摘要】
2011.09.22 JP 206806/2011;2012.04.19 JP 095762/201.一种紫外线照射装置，其对包含光反应性物质的液晶面板进行照射，具备 第I光源，其形成有包含在310nnT340nm具有峰值波长的LaPO4荧光体的荧光体层；以及 第2光源，其形成有包含在340nnT360nm具有峰值波长的YPO4荧光体的荧光体层。2.根据权利要求1所述的紫外线照射装置，其中 包含含有LaPO4的荧光体的荧光体层的厚度为7. 6 μ πΓ 2. ...
【专利技术属性】
技术研发人员：日野弘喜，藤冈纯，田内亮彦，
申请(专利权)人：哈利盛东芝照明株式会社，
类型：发明
国别省市：
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