【技术实现步骤摘要】
一种封装结构及其制造方法
[0001]本公开涉及半导体制造领域,尤其涉及一种封装结构及其制造方法
。
技术介绍
[0002]在封装结构的制造过程中,在将多个芯片或芯片堆叠体通过键合工艺
(
例如芯片
‑
晶圆键合
(D2W)
工艺
)
固定在基板上之后,需要采用模塑工艺形成封装材料以填充多个芯片或芯片堆叠体之间的间隙
。
[0003]然而,通过模塑工艺形成的封装材料通常为有机材质,导热性较差,且与基板的热匹配差,会引起基板翘曲
、
形变,降低封装结构的性能
。
技术实现思路
[0004]本公开提供一种封装结构,包括:
[0005]基板,所述基板上具有多个分立设置的半导体结构,所述半导体结构包括至少一个芯片;
[0006]散热载片,包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面,所述第一表面上设置有多个分立的第一沟槽;其中,所述散热载片的所述第一表面与所述基板设置有所述半导体结构的一侧对应键合连接,多个所述第一沟槽一一对应容纳多个所述半导体结构
。
[0007]在一些实施例中,所述散热载片的材料包括硅
。
[0008]在一些实施例中,所述封装结构还包括:散热胶,所述散热胶至少覆盖所述半导体结构的顶部,并至少填充所述半导体结构的顶部和所述第一沟槽内壁的顶部之间的空隙
。
[0009]在一些实施例中,所述半导体结构的侧壁或者所述半导体结构 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种封装结构,其特征在于,包括:基板,所述基板上具有多个分立设置的半导体结构,所述半导体结构包括至少一个芯片;散热载片,包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面,所述第一表面上设置有多个分立的第一沟槽;其中,所述散热载片的所述第一表面与所述基板设置有所述半导体结构的一侧对应键合连接,多个所述第一沟槽一一对应容纳多个所述半导体结构
。2.
根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述散热载片的材料包括硅
。3.
根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述封装结构还包括:散热胶,所述散热胶至少覆盖所述半导体结构的顶部,并至少填充所述半导体结构的顶部和所述第一沟槽内壁的顶部之间的空隙
。4.
根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述半导体结构的侧壁或者所述半导体结构的侧壁和顶部与所述第一沟槽的内壁之间形成有具有预定尺寸的间隙;所述散热载片还包括:位于所述散热载片的第一表面的至少一个第二沟槽,所述第二沟槽连通相邻的两个所述第一沟槽,所述间隙和所述第二沟槽相互连通构成微流通道
。5.
根据权利要求4所述的封装结构,其特征在于,所述半导体结构的侧壁与所述第一沟槽的侧壁之间的距离的范围在
0.1
μ
m
至
1000
μ
m
之间;当所述微流通道还包括位于所述半导体结构的顶部和所述第一沟槽内壁的顶部之间的间隙时,所述半导体结构的顶部与所述第一沟槽内壁的顶部之间的距离的范围在
0.5
μ
m
至
1000
μ
m
之间
。6.
根据权利要求5所述的封装结构,其特征在于,所述散热载片还包括至少一个第一开口,所述第一开口从所述散热载片的第二表面和
/
或所述散热载片的侧壁延伸至所述微流...
【专利技术属性】
技术研发人员:田应超,胡杏,张越,刘威,刘天建,
申请(专利权)人:湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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