半导体结构制造技术

本公开实施例提供一种半导体结构

【技术实现步骤摘要】
半导体结构、芯片的形成方法


[0001]本公开涉及半导体
，涉及但不限于一种半导体结构
、
芯片的形成方法
。

技术介绍

[0002]在半导体芯片的制造过程中，首先在晶圆上形成多个芯片，芯片之间由切割道进行隔离，然后通过切割工艺沿切割道将晶圆切割成分离的芯片，再对这些芯片进行封装，最终得到可以使用的半导体器件
。
[0003]由于通常需要在切割道中形成辅助结构，例如光刻的对准标记
、
键合标记
、
晶圆电性测试结构等，以确保晶圆工艺过程不受影响，导致目前位于芯片周围的切割道的宽度比较大，部分芯片尺寸较大的产品甚至需要使用多排切割道
。
这使得切割道占据了晶圆的较大面积，从而减少了晶圆可用于形成芯片的有效面积
。
而且针对小尺寸芯片，宽度较大的切割道对晶圆的尺寸面积占比更大，这在一定程度上制约了产品的良率，增加了芯片的平均成本
。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体结构
、
芯片的形成方法
。
[0005]第一方面，本公开实施例提供一种半导体结构，包括：
[0006]晶圆；
[0007]位于所述晶圆上的多个芯片组以及环绕所述芯片组的第一切割道；
[0008]所述芯片组包括多个芯片以及位于相邻所述芯片之间的第二切割道；
[0009]其中，所述第二切割道不设置功能结构，且所述第二切割道的宽度小于所述第一切割道的宽度
。
[0010]在一些实施例中，所述第一切割道的宽度为
50
～
80
μ
m
；所述第二切割道的宽度为1～
20
μ
m。
[0011]在一些实施例中，所述第二切割道内不设置导电结构
。
[0012]第二方面，本公开实施例提供一种芯片的形成方法，包括：
[0013]提供如第一方面所述的半导体结构；
[0014]沿所述第二切割道对所述芯片组进行切割，形成局部切割结构；所述局部切割结构中每个所述芯片组内的芯片彼此电绝缘，与所述第一切割道相邻的所述芯片相互连接构成网状结构；
[0015]沿所述第一切割道对所述局部切割结构进行切割，以将所述网状结构中的所述芯片彼此分离
。
[0016]在一些实施例中，所述半导体结构还包括形成于所述芯片表面的互连层，沿所述第二切割道对所述芯片组进行切割，包括：
[0017]在所述晶圆的正面形成暴露所述第二切割道的光刻胶层；
[0018]基于所述光刻胶层，图形化所述互连层和所述晶圆，形成沟槽；
[0019]沿所述晶圆的背面对所述晶圆进行减薄处理，以暴露所述沟槽
。
[0020]在一些实施例中，减薄后的所述晶圆的厚度大于
30
μ
m。
[0021]在一些实施例中，所述互连层表面形成有绝缘层和焊盘；所述绝缘层覆盖所述焊盘；沿所述晶圆的背面对所述晶圆进行减薄处理之前，所述方法还包括：
[0022]刻蚀部分所述绝缘层以暴露所述焊盘的表面；
[0023]在所述沟槽和所述绝缘层上方形成遮挡层；
[0024]在所述焊盘上形成导电凸块
。
[0025]在一些实施例中，芯片的形成方法还包括：
[0026]去除所述遮挡层；
[0027]形成覆盖所述绝缘层
、
所述沟槽和所述导电凸块的保护层
。
[0028]在一些实施例中，沿所述第一切割道对所述局部切割结构进行切割之前，所述方法还包括：
[0029]将所述局部切割结构固定于承载组件上
。
[0030]第三方面，本公开实施例提供另一种芯片的形成方法，包括：
[0031]提供如第一方面所述的半导体结构；
[0032]沿所述第一切割道对所述半导体结构进行切割，形成多个所述芯片组；
[0033]沿所述第二切割道对所述芯片组进行切割，形成多个所述芯片
。
[0034]本公开实施例提供一种半导体结构
、
芯片的形成方法，其中，半导体结构包括：晶圆；位于晶圆上的多个芯片组以及环绕芯片组的第一切割道；芯片组包括多个芯片以及位于相邻芯片之间的第二切割道；其中，第二切割道不设置功能结构，且第二切割道的宽度小于第一切割道的宽度
。
由于本公开实施例的半导体结构包括两种尺寸不同的切割道，且尺寸较小的第二切割道中不设置功能结构，如此，可以降低切割道在晶圆上的面积占比，从而能够提升切割后的芯片的良率水平，降低芯片平均成本
。
附图说明
[0035]在附图
(
其不一定是按比例绘制的
)
中，相似的附图标记可在不同的视图中描述相似的部件
。
具有不同字母后缀的相似附图标记可表示相似部件的不同示例
。
附图以示例而非限制的方式大体示出了本文中所讨论的各个实施例
。
[0036]图1为一种晶圆的结构示意图；
[0037]图2和图3为本公开实施例提供的半导体结构的结构示意图，其中图3为沿图2中的
A
‑
A
’
的剖面图；
[0038]图4为本公开实施例提供的一种芯片的形成方法的流程图；
[0039]图5至图
14
为本公开实施例提供的芯片的形成过程中的结构示意图；
[0040]图
15
为本公开实施例提供的另一种芯片的形成方法的流程图；
[0041]图
16
为本公开实施例提供的芯片的形成过程中的结构示意图
。
具体实施方式
[0042]下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施方式
。
虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开，而不应被这里阐述的具
体实施方式所限制
。
相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员
。
[0043]在下文的描述中，给出了大量的细节以便提供对本公开更为彻底的理解
。
然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本公开可以无需一个或多个这些细节而得以实施
。
在其他的例子中，为了避免与本公开发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述；即，这里不描述实际实施例的全部特征，不详细描述公知的功能和结构
。
[0044]在附图中，为了清楚，层
、
区
、
元件的尺寸以及其相对尺寸可能被夸大
。
自始至终相同附图标记表示相同的元件
。
[0045]应当明白，当元本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体结构，其特征在于，包括：晶圆；位于所述晶圆上的多个芯片组以及环绕所述芯片组的第一切割道；所述芯片组包括多个芯片以及位于相邻所述芯片之间的第二切割道；其中，所述第二切割道不设置功能结构，且所述第二切割道的宽度小于所述第一切割道的宽度
。2.
根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一切割道的宽度为
50
～
80
μ
m
；所述第二切割道的宽度为1～
20
μ
m。3.
根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述第二切割道内不设置导电结构
。4.
一种芯片的形成方法，其特征在于，包括：提供如权利要求1至3任一项所述的半导体结构；沿所述第二切割道对所述芯片组进行切割，形成局部切割结构；所述局部切割结构中每个所述芯片组内的芯片彼此电绝缘，与所述第一切割道相邻的所述芯片相互连接构成网状结构；沿所述第一切割道对所述局部切割结构进行切割，以将所述网状结构中的所述芯片彼此分离
。5.
根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述半导体结构还包括形成于所述芯片表面的互连层，沿所述第二切割道对所述芯片组进行切割，包括：在所述晶圆的正面形成暴露所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈闰鹏，程翠，李琳瑜，胡杏，刘威，
申请(专利权)人：湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：