一种半导体生产系统及其清刷装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种半导体生产系统及其清刷装置，该清刷装置包括清洗槽和喷头：清洗槽设置有允许清理刷进入槽内的开口；喷头与清洗槽固定连接，用于向位于清洗槽内的清理刷喷洒清洗介质。本实用新型专利技术提供的半导体生产系统及其清刷装置，能够对毛刷或海绵刷等用于清洗半导体器件的清理刷进行清理，不仅有利于延长清理刷的使用寿命，而且能够避免清理刷在进一步的半导体加工过程中导致污染或交叉污染的风险，有利于提高半导体产品良率。有利于提高半导体产品良率。有利于提高半导体产品良率。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体生产系统及其清刷装置


[0001]本技术涉及半导体制造
，特别涉及一种清刷装置，以及一种设置有该清刷装置的半导体生产系统。

技术介绍

[0002]半导体制造过程中，部分工序会制造有机和无机微粒状副产物，这些有机和无机微粒状副产物可能会在进一步的晶圆加工过程中造成污染或交叉污染。因此，清洁这种微粒物质对于提高产品良率及减少与这种微粒状物质相关的缺陷是非常重要的。
[0003]现有技术中，对上述微粒物质的清洁方式各不相同。例如，采用某种液体清洁剂来对半导体器件(例如晶圆)或加工设备上的微粒物质进行清洁；或者，也可以使用机械力清洁方式，例如使用清理刷来对半导体器件或加工设备上的微粒物质进行清洁，该清理刷可以是毛刷或海绵刷。使用清理刷来清理微粒物质的过程中，刷子表面甚至毛刷内部或海绵内部容易吸附微粒物质，从而导致清理刷的使用寿命较低，而且，在进一步的加工过程中容易造成污染或交叉污染，导致产品良率较低。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本技术的目的在于提供一种半导体生产系统及其清刷装置，能够对毛刷或海绵刷等用于清洗半导体器件的清理刷进行清理，不仅有利于延长清理刷的使用寿命，而且能够避免清理刷在进一步的半导体加工过程中导致污染或交叉污染的风险，有利于提高半导体产品良率。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0006]一种清刷装置，包括：
[0007]清洗槽，设置有允许清理刷进入槽内的开口；
[0008]喷头，与所述清洗槽固定连接，用于向位于所述清洗槽内的所述清理刷喷洒清洗介质。
[0009]可选地，在上述清刷装置中，所述清洗介质为液态清洗介质，或气液混合型清洗介质。
[0010]可选地，在上述清刷装置中，所述液态清洗介质包括水；
[0011]或者，所述液态清洗介质包括在水中添加清洁剂获得的混合溶液。
[0012]可选地，在上述清刷装置中，所述气液混合型清洗介质中的液体成分包括水，或在水中添加清洁剂获得的混合溶液；
[0013]所述气液混合型清洗介质中的气体成分包括氮气。
[0014]可选地，在上述清刷装置中，所述清洗槽包括环形侧壁，所述环形侧壁安装有多个所述喷头，其中：
[0015]沿所述环形侧壁的轴向，在不同的深度位置分别设置有一个或多个所述喷头；
[0016]和/或，沿所述环形侧壁的周向，在不同的侧面位置分别设置有一个或多个所述喷
头。
[0017]可选地，在上述清刷装置中，所述清洗槽还包括底板，所述底板设置于所述环形侧壁的底部开口处，与所述环形侧壁构成开口朝上的箱型结构。
[0018]可选地，在上述清刷装置中，所述底板为镂空板，所述镂空板的镂空处形成排污口；
[0019]或者，所述底板开设有用作排污口的通孔；
[0020]或者，所述环形侧壁的底部开设有用作排污口的通孔。
[0021]可选地，在上述清刷装置中，还包括输送系统，所述输送系统与所述喷头连接，能够为所述喷头提供所述清洗介质，且能够为所述喷头提供用于对所述清理刷进行吹干处理的气态介质。
[0022]一种半导体生产系统，包括：
[0023]用于对半导体器件的表面进行清洁的清理刷；
[0024]上文中所述的清刷装置。
[0025]可选地，在上述半导体生产系统中，还包括：
[0026]驱动机构，用于控制所述清理刷由工作位置移动至所述清刷装置的清洗槽内，且用于控制所述清理刷由所述清洗槽内移动至所述工作位置。
[0027]本技术提供的半导体生产系统及其清刷装置中，通过喷头能够向位于清洗槽内的清理刷喷洒清洗介质，从而对清理刷上附着的有机和无机微粒物质进行清理，不仅有利于延长清理刷的使用寿命，而且能够避免清理刷在进一步的半导体加工过程(例如晶圆清洗工序)中导致污染或交叉污染的风险，有利于提高半导体产品良率。
附图说明
[0028]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0029]图1为本技术实施例提供的清刷装置与工作状态下的清理刷的位置关系示意图；
[0030]图2为本技术实施例提供的清理刷移动至清洗槽内进行清洗时的结构示意图；
[0031]图3为图1和图2中的清洗槽的俯视结构示意图。
[0032]其中：
[0033]11
‑
清洗槽，
[0034]12
‑
喷头，
[0035]2‑
清理刷，
[0036]3‑
半导体清理介质输送管道，
[0037]4‑
半导体器件(例如晶圆)。
具体实施方式
[0038]本技术公开了一种半导体生产系统及其清刷装置，能够对毛刷或海绵刷等用于清洗半导体器件的清理刷进行清理，不仅有利于延长清理刷的使用寿命，而且能够避免清理刷在进一步的半导体加工过程中导致污染或交叉污染的风险，有利于提高半导体产品良率。
[0039]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0040]请参阅图1至图3，本技术实施例提供的清刷装置包括清洗槽11和喷头12。其中：清洗槽11设置有允许清理刷2进入槽内的开口；喷头12与清洗槽11固定连接，用于向位于清洗槽11内的清理刷2喷洒清洗介质。
[0041]可见，通过该清刷装置能够对清理刷2上附着的有机和无机微粒物质进行清理，不仅有利于延长清理刷2的使用寿命，而且能够避免清理刷2在进一步的半导体加工过程(例如晶圆清洗工序)中导致污染或交叉污染的风险，有利于提高半导体产品良率。
[0042]具体实施时，该清刷装置中所采用的清洗介质可以是液态清洗介质，或气液混合型清洗介质(二流体)。具体实施时：
[0043]若采用液态清洗介质对清理刷2进行清理，则该液态清洗介质可以是水，或者也可以是在水中添加清洁剂获得的混合溶液；或者，在某些实施例中，还可以对使用过的液态清洗介质进行回收并过滤，获得二次利用的液态清洗介质，重复利用；
[0044]若采用气液混合型清洗介质对清理刷2进行清理，则该气液混合型清洗介质中的液体成分可以是水，或者，也可以是在水中添加清洁剂获得的混合溶液；该气液混合型清洗介质中的气体成分可以是氮气。通过气液混合型清洗介质进行清洗，可以更加高效地对清理刷2进行清理，能够保证较高的清理效果。
[0045]进一步地，在某些实施例中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种清刷装置，其特征在于，包括：清洗槽(11)，设置有允许清理刷(2)进入槽内的开口；喷头(12)，与所述清洗槽(11)固定连接，用于向位于所述清洗槽(11)内的所述清理刷(2)喷洒清洗介质。2.根据权利要求1所述的清刷装置，其特征在于，所述清洗介质为液态清洗介质，或气液混合型清洗介质。3.根据权利要求2所述的清刷装置，其特征在于，所述液态清洗介质包括水；或者，所述液态清洗介质包括在水中添加清洁剂获得的混合溶液。4.根据权利要求2所述的清刷装置，其特征在于，所述气液混合型清洗介质中的液体成分包括水，或在水中添加清洁剂获得的混合溶液；所述气液混合型清洗介质中的气体成分包括氮气。5.根据权利要求1所述的清刷装置，其特征在于，所述清洗槽(11)包括环形侧壁，所述环形侧壁安装有多个所述喷头(12)，其中：沿所述环形侧壁的轴向，在不同的深度位置分别设置有一个或多个所述喷头(12)；和/或，沿所述环形侧壁的周向，在不同的侧面位置分别设置有一个或多个所述喷头(12)。6.根据权利要求5所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋林杰，
申请(专利权)人：湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司，
类型：新型
国别省市：