一种单晶硅片全自动清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种单晶硅片全自动清洗方法，涉及单晶硅片清洗技术领域，针对现有的单晶硅片清洗方法，由于人工参与清洗无法在不同环节保证清洗时间的准确性与及时性，清洗效果无法得到保障，增加了工作人员的工作量，并且生产成本高，使用效果不够理想的问题，现提出如下方案，包括以下步骤：S1：单晶硅片检查；S2：第一次漂洗；S3：第一次喷淋冲洗；S4：第一次酸洗；S5：第二次漂洗；S6：第二次酸洗；S7：第三次漂洗；S8：第二次喷淋冲洗；S9：干燥；S10：检测。本发明专利技术设计合理，在对单晶硅片清洗过程中降低了人工参与的比重，清洗效果有保障，降低了工作人员的工作量，同时降低了清洗成本，使用效果好，值得推广使用。值得推广使用。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶硅片全自动清洗方法


[0001]本专利技术涉及单晶硅片清洗
，尤其涉及一种单晶硅片全自动清洗方法。

技术介绍

[0002]单晶硅片是硅的单晶体，是一种具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。单晶硅片用于制造半导体器件、太阳能电池等，用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。在芯片制造过程中的蚀刻环，需要消耗大量蚀刻单晶硅片耗材，在硅晶圆的前道工艺和后道工艺中，硅晶圆需要经过多次的清洗步骤，为便于对单晶硅片进行清洗，所以亟需一种单晶硅片全自动清洗方法。
[0003]但是，现有的单晶硅片清洗方法，在使用过程中需要人工参与的比重较高，由于人工参与清洗无法在不同环节保证清洗时间的准确性与及时性，清洗效果无法得到保障，增加了工作人员的工作量，并且生产成本高，使用效果不够理想。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是为了解决现有的单晶硅片清洗方法，在使用过程中需要人工参与的比重较高，由于人工参与清洗无法在不同环节保证清洗时间的准确性与及时性，清洗效果无法得到保障，增加了工作人员的工作量，并且生产成本高，使用效果不够理想的缺点，而提出的一种单晶硅片全自动清洗方法。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：
[0006]一种单晶硅片全自动清洗方法，包括以下步骤：
[0007]S1：单晶硅片检查：对制绒后的单晶硅片进行检查，检查表面是否存在裂纹等明显损坏；
[0008]S2：第一次漂洗：使用漂洗液对单晶硅片表面进行漂洗，洗掉单晶硅片表面的脂肪与污物；
[0009]S3：第一次喷淋冲洗：使用清水对单晶硅片表面进行第一次喷淋冲洗，使单晶硅片表面洁净；
[0010]S4：第一次酸洗：将单晶硅片投入酸性溶液内进行第一次酸洗；
[0011]S5：第二次漂洗：对单晶硅片进行第二次漂洗；
[0012]S6：第二次酸洗：将单晶硅片投入酸性溶液内进行第二次酸洗；
[0013]S7：第三次漂洗：对单晶硅片进行第三次漂洗；
[0014]S8：第二次喷淋冲洗：使用清水对单晶硅表面进行第二次喷淋冲洗；
[0015]S9：干燥：将单晶硅片投入干燥箱内进行干燥，去除单晶硅片表面的水分；
[0016]S10：检测：对单晶硅片进行质量检测，防止残次品进入下一步工艺。
[0017]在一个优选的实施方式中，所述S2中漂洗液包括过氧化氢4
‑
6份与适量清水，双氧水与清水的比例为1：3，漂洗时间为2
‑
4分钟。
[0018]在一个优选的实施方式中，所述S3中第一次喷淋冲洗的水温为30
‑
36摄氏度，时间
为2
‑
3分钟。
[0019]在一个优选的实施方式中，所述S4中酸性溶液包括氢氟酸0.8
‑
2.2份与适量清水，稀释后氢氟酸的浓度为6
‑
10％。
[0020]在一个优选的实施方式中，所述S5中第二次漂洗液包括过氧化氢2
‑
4份与适量清水，双氧水与清水的比例为1：3.5，漂洗时间为2
‑
4分钟。
[0021]在一个优选的实施方式中，所述S6中酸性溶液包括氯化氢、
[0022]在一个优选的实施方式中，所述S7中漂洗液包括过氧化氢3
‑
5份与适量清水，双氧水与清水的比例为1：3，漂洗时间为3
‑
5分钟。
[0023]在一个优选的实施方式中，所述S8中第二次喷淋冲洗的水温为30
‑
36摄氏度，时间为2
‑
3分钟。
[0024]在一个优选的实施方式中，所述S9中干燥箱的温度设置为60
‑
75摄氏度，时间为6
‑
10分钟。
[0025]在一个优选的实施方式中，所述步骤S2、所述步骤S3、所述步骤S4、所述步骤S5、所述步骤S6、所述步骤S7、所述步骤S8与所述步骤S9之间的转运均由机械臂完成。
[0026]本专利技术中，所述的一种单晶硅片全自动清洗方法，使用机械臂对不同步骤中的单晶硅片进行转运，可以保证转运的效率，降低了转运过程中单晶硅片损坏的风险；
[0027]本专利技术设计合理，在对单晶硅片清洗过程中降低了人工参与的比重，保证了不同环节清洗时间的准确性与及时性，清洗效果有保障，降低了工作人员的工作量，同时降低了清洗成本，使用效果好，值得推广使用。
具体实施方式
[0028]下面结合具体实施例对本专利技术作进一步解说。
[0029]实施例一
[0030]本专利技术提出一种单晶硅片全自动清洗方法，包括以下步骤：
[0031]S1：单晶硅片检查：对制绒后的单晶硅片进行检查，检查表面是否存在裂纹等明显损坏；
[0032]S2：第一次漂洗：使用漂洗液对单晶硅片表面进行漂洗，洗掉单晶硅片表面的脂肪与污物；
[0033]S3：第一次喷淋冲洗：使用清水对单晶硅片表面进行第一次喷淋冲洗，使单晶硅片表面洁净；
[0034]S4：第一次酸洗：将单晶硅片投入酸性溶液内进行第一次酸洗；
[0035]S5：第二次漂洗：对单晶硅片进行第二次漂洗；
[0036]S6：第二次酸洗：将单晶硅片投入酸性溶液内进行第二次酸洗；
[0037]S7：第三次漂洗：对单晶硅片进行第三次漂洗；
[0038]S8：第二次喷淋冲洗：使用清水对单晶硅表面进行第二次喷淋冲洗；
[0039]S9：干燥：将单晶硅片投入干燥箱内进行干燥，去除单晶硅片表面的水分；
[0040]S10：检测：对单晶硅片进行质量检测，防止残次品进入下一步工艺。
[0041]本实施例中，S2中漂洗液包括过氧化氢4份与适量清水，双氧水与清水的比例为1：3，漂洗时间为4分钟；S3中第一次喷淋冲洗的水温为35摄氏度，时间为3分钟；S4中酸性溶液
包括氢氟酸0.8份与适量清水，稀释后氢氟酸的浓度为6％；S5中第二次漂洗液包括过氧化氢2份与适量清水，双氧水与清水的比例为1：3.5，漂洗时间为2分钟；S6中酸性溶液包括氯化氢；S7中漂洗液包括过氧化氢3份与适量清水，双氧水与清水的比例为1：3，漂洗时间为3分钟；S8中第二次喷淋冲洗的水温为30摄氏度，时间为2分钟；S9中干燥箱的温度设置为60摄氏度，时间为6分钟；步骤S2、步骤S3、步骤S4、步骤S5、步骤S6、步骤S7、步骤S8与步骤S9之间的转运均由机械臂完成，与现有的技术相比不仅保证了清洗效率，还降低了生产成本。
[0042]实施例二
[0043]本专利技术提出一种单晶硅片全自动清洗方法，包括以下步骤：
[0044]S1：单晶硅片检查：对制绒后的单晶硅片进行检查，检查表面是否存在裂纹等明显损坏；
[0045]S2：第一次漂洗：使用漂洗液对单晶硅片表面进行漂洗，洗掉单晶硅片表面的脂肪与污物；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶硅片全自动清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：单晶硅片检查：对制绒后的单晶硅片进行检查，检查表面是否存在裂纹等明显损坏；S2：第一次漂洗：使用漂洗液对单晶硅片表面进行漂洗，洗掉单晶硅片表面的脂肪与污物；S3：第一次喷淋冲洗：使用清水对单晶硅片表面进行第一次喷淋冲洗，使单晶硅片表面洁净；S4：第一次酸洗：将单晶硅片投入酸性溶液内进行第一次酸洗；S5：第二次漂洗：对单晶硅片进行第二次漂洗；S6：第二次酸洗：将单晶硅片投入酸性溶液内进行第二次酸洗；S7：第三次漂洗：对单晶硅片进行第三次漂洗；S8：第二次喷淋冲洗：使用清水对单晶硅表面进行第二次喷淋冲洗；S9：干燥：将单晶硅片投入干燥箱内进行干燥，去除单晶硅片表面的水分；S10：检测：对单晶硅片进行质量检测，防止残次品进入下一步工艺。2.根据权利要求1所述的一种单晶硅片全自动清洗方法，其特征在于：所述S2中漂洗液包括过氧化氢4
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6份与适量清水，双氧水与清水的比例为1：3，漂洗时间为2
‑
4分钟。3.根据权利要求1所述的一种单晶硅片全自动清洗方法，其特征在于：所述S3中第一次喷淋冲洗的水温为30
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36摄氏度，时间为2
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3分钟。4.根据权利要求1所述的一种单晶硅片全自动清洗方法，其特征在于：所述S4中酸性溶液包括氢氟酸0.8
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【专利技术属性】
技术研发人员：徐礼健，蒋军，
申请(专利权)人：江苏和阳新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：