一种单晶硅片切割制备方法技术

本发明专利技术公开了一种单晶硅片切割制备方法，涉及单晶硅片制备技术领域，针对现有的单晶硅片切割制备方法，操作复杂，费时费力，增加了工作人员的工作量，且在单晶硅片制备的过程中易损坏原料，造成不必要的经济损失，产品的品质无法得到保障，使用效果差的问题，现提出如下方案，包括以下步骤：S1：选料：选用制好的单晶硅棒作为原材料，通过切割机对单晶硅棒的端部进行切削，使单晶硅棒满足生产需求；S2：磨削：通过数控车床对所述S1中的单晶硅棒的表面进行磨削。本发明专利技术设计合理，制备方法简单，降低了工作人员的工作量，且在单晶硅片制备的过程中不会损坏原料，产品的品质可以得到保障，使用效果好，值得推广使用。值得推广使用。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶硅片切割制备方法


[0001]本专利技术涉及单晶硅片制备
，尤其涉及一种单晶硅片切割制备方法。

技术介绍

[0002]单晶硅片是硅的单晶体，是一种具有基本完整的点阵结构的晶体，不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料，用于制造半导体器件、太阳能电池等。单晶硅是用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成，在单晶硅制备完成后需要对其进行切割已达到使用标准，为提高单晶硅片的切割效率，所以亟需一种单晶硅片切割制备方法。
[0003]但是，现有的单晶硅片切割制备方法，操作复杂，费时费力，增加了工作人员的工作量，且在单晶硅片制备的过程中易损坏原料，造成不必要的经济损失，产品的品质无法得到保障，使用效果差。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是为了解决现有的单晶硅片切割制备方法，操作复杂，费时费力，增加了工作人员的工作量，且在单晶硅片制备的过程中易损坏原料，造成不必要的经济损失，产品的品质无法得到保障，使用效果差的缺点，而提出的一种单晶硅片切割制备方法。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶硅片切割制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：选料：选用制好的单晶硅棒作为原材料，通过切割机对单晶硅棒的端部进行切削，使单晶硅棒满足生产需求；S2：磨削：通过数控车床对所述S1中的单晶硅棒的表面进行磨削，使单晶棒的表面平整；S3：切片：通过线切割机对所述S2中的单晶硅棒进行切割；S4：研磨：通过研磨机对所述S3中的单晶硅片进行研磨，对单晶硅片表面的锯痕进行清理；S5：净化：通过酸性溶液对所述S4中的单晶硅片进行酸洗净化，净化掉单晶硅片表面因切割产生的损伤层；S6：抛光：通过抛光机对所述S5中的单晶硅片进行抛光；S7：清洗：对所述S6中的单晶硅片进行最终清洗，清洗掉单晶硅表面的污染物；S8：质检：对所述S7中的单晶硅片进行质量检查；S9：打包入库：对所述S8中的单晶硅片进行打包存入库房。2.根据权利要求1所述的一种单晶硅片切割制备方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐礼健，蒋军，
申请(专利权)人：江苏和阳新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：