【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构及其制造方法
[0001]本公开涉及半导体结构制造领域,尤其涉及一种半导体结构及其制造方法
。
技术介绍
[0002]半导体结构,通常包括衬底以及位于衬底上的晶体管,位于衬底上的晶体管通常呈二维分布
。
然而,随着各类电子设备对集成度和数据存储密度的需求的不断提高,普通的二维半导体结构越来越难以满足需求
。
技术实现思路
[0003]本公开实施例提供一种半导体结构,包括:
[0004]第一基板,所述第一基板至少包括第一衬底
、
形成在所述第一衬底上的第一晶体管以及覆盖所述第一晶体管的第一介质层;
[0005]第二基板,位于所述第一基板上,所述第二基板至少包括第二衬底
、
形成在所述第二衬底上的第二晶体管以及覆盖所述第二晶体管的第二介质层;所述第二基板与所述第一基板通过键合的方式连接;
[0006]分立设置的第一接触插塞和第二接触插塞,所述第一接触插塞从所述第二介质层的上表面延伸至所述第一晶体管并与所述第一晶体管电连接,所述第二接触插塞从所述第二介质层的上表面延伸至所述第二晶体管并与所述第二晶体管电连接,所述第一接触插塞的高度大于所述第二接触插塞的高度
。
[0007]在一些实施例中,所述第二基板还包括位于所述第二衬底下方的第一绝缘层;所述半导体结构还包括:位于所述第一绝缘层下方的第二绝缘层,所述第二绝缘层的下表面与所述第一介质层的上表面对应键合连接;其中,所述第二绝缘层下表面的粗糙度的
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种半导体结构,其特征在于,包括:第一基板,所述第一基板至少包括第一衬底
、
形成在所述第一衬底上的第一晶体管以及覆盖所述第一晶体管的第一介质层;第二基板,位于所述第一基板上,所述第二基板至少包括第二衬底
、
形成在所述第二衬底上的第二晶体管以及覆盖所述第二晶体管的第二介质层;所述第二基板与所述第一基板通过键合的方式连接;分立设置的第一接触插塞和第二接触插塞,所述第一接触插塞从所述第二介质层的上表面延伸至所述第一晶体管并与所述第一晶体管电连接,所述第二接触插塞从所述第二介质层的上表面延伸至所述第二晶体管并与所述第二晶体管电连接,所述第一接触插塞的高度大于所述第二接触插塞的高度
。2.
根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述第二基板还包括位于所述第二衬底下方的第一绝缘层;所述半导体结构还包括:位于所述第一绝缘层下方的第二绝缘层,所述第二绝缘层的下表面与所述第一介质层的上表面对应键合连接;其中,所述第二绝缘层下表面的粗糙度的范围在之间
。3.
根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述第一晶体管和所述第二晶体管在所述第二衬底上的正投影部分重叠
。4.
根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述第二基板还包括:设置于所述第二衬底内的隔离结构,所述隔离结构位于所述第二晶体管的周围;所述第一晶体管包括第一栅极层以及位于所述第一栅极层两侧的第一源漏区和第二源漏区,至少部分所述第一栅极层
、
至少部分所述第一源漏区以及至少部分所述第二源漏区在所述第二衬底上的正投影落入所述隔离结构在所述第二衬底上的正投影内,所述第一接触插塞贯穿所述第二介质层和所述隔离结构分别连接至所述第一晶体管的第一栅极层
、
第一源漏区和第二源漏区
。5.
根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述半导体结构还包括:覆盖所述第二介质层的层间介质层,所述层间介质层内形成有多个金属层以及用于连接相邻的两个金属层的导电通孔,所述金属层和所述导电通孔沿垂直于所述第一衬底的方向交替分布,所述金属层通过所述第一接触插塞和所述第二接触插塞分别与所述第一晶体管和所述第二晶体管电连接
。6.
一种半导体结构的制造方法,其特征在于,包括:提供第一基板,所述第一基板包括第一衬底
、
形成在所述第一衬底上的第一晶体管以及覆盖所述第一晶体管的第一介质层;...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘威,李秋智,潘超,胡杏,田应超,
申请(专利权)人:湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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