一种集成电路抗电蚀结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种集成电路抗电蚀结构，包括导电胶，所述导电胶的两侧均插入有导电电极，且导电胶的两侧与导电电极对应的位置均插入有导体，所述导电电极位于导体内部，所述导体包括插入导电胶内部的空心导体以及安装在空心导体一端的外延导体，所述外延导体裸露在导电胶外部，所述外延导体呈放射状的排布在空心导体一端，还包括基板，所述导电胶位于基板的上方。本实用新型专利技术导电电极位于导体的外部，导体能够均匀的将囤积在导电电极与导电胶交接处的带电离子导出，而使带电离子不会产生囤积情形，进而可进一步的防止电蚀的情况发生，避免产生单侧电蚀的情况，外延导体呈放射状的排布在空心导体一端，进一步的起到电荷均匀导出的目的。匀导出的目的。匀导出的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种集成电路抗电蚀结构


[0001]本技术涉及集成电路
，具体是一种集成电路抗电蚀结构。

技术介绍

[0002] 按传统在液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)与控制集成电路晶片(controller IC)的接合方式上，以往是以热压(heat seal)的结合方式将两者接合。但随着现今在线路的间距(pitch)日益缩小的情形下，发展出卷带式封装(Tape Automated Bonding，TAB)及玻璃覆晶(Chip On Glass，COG)的生产制程，通常卷带式封装是IC晶片在晶圆厂完成后，请厂商在IC晶片上长全凸块(Gold Bump)，然后将长好全凸块的晶片接合在软板上，再将IC晶片以异方性导电胶膜(Anisotropic Conductive Film，ACF)为中间介面，接合在LCD的氧化铟锡(Indio Tin Oxide，ITO)端形成集成电路连接。然而此部分的连接方式在使用时，因本身电压差及带电离子累积的问题，造成此连接部分产生电蚀，使得在长期使用下ITO与ACF连接处容易断裂，而此问题是目前业界急于解决的困扰。
[0003]为此公开号为CN2793922Y的专利中提出了一种集成电路抗电蚀结构，其由导电电极14通入电流，由导电胶16将电流输入集成电路10的中，使集成电路10产生作动，而位于导电胶16与导电电极14的接合部分会因电压差而产生带电离子20的囤积，但由结构中的导线18将囤积的带电离子20导出，而使带电离子20不会产生囤积情形，进而防止电蚀的情况发生；但是其电离子20导出不均匀，远离导体的一侧的电离子导出量小于靠近导体一侧的电离子量，导致单侧电蚀的情况。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种集成电路抗电蚀结构，以解决现有技术中电离子导出不均匀，远离导体的一侧的电离子导出量小于靠近导体一侧的电离子量，导致单侧电蚀的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种集成电路抗电蚀结构，包括导电胶，所述导电胶的两侧均插入有导电电极，且导电胶的两侧与导电电极对应的位置均插入有导体，所述导电电极位于导体内部。
[0006]优选的，所述导体包括插入导电胶内部的空心导体以及安装在空心导体一端的外延导体，所述外延导体裸露在导电胶外部。
[0007]优选的，所述外延导体呈放射状的排布在空心导体一端。
[0008]优选的，还包括基板，所述导电胶位于基板的上方。
[0009]优选的，所述导电胶的上表面设有集成电路。
[0010]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0011]1、本技术导电电极位于导体的外部，导体能够均匀的将囤积在导电电极与导电胶交接处的带电离子导出，而使带电离子不会产生囤积情形，进而可进一步的防止电蚀的情况发生，避免产生单侧电蚀的情况；
[0012]2、本技术外延导体呈放射状的排布在空心导体一端，进一步的起到电荷均匀导出的目的。
附图说明
[0013]附图用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本技术，并不构成对本技术的限制。在附图中：
[0014]图1为本技术的整体图；
[0015]图2为本技术导体的安装示意图；
[0016]图3为本技术导体与导电电极的相对位置图；
[0017]图4为本技术导体的结构示意图。
[0018]图中：1、基板；2、导电电极；3、导电胶；4、集成电路；5、导体；51、空心导体；52、外延导体；6、补偿部。
实施方式
[0019]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0020]请参阅图1所示，本技术实施例中，一种集成电路抗电蚀结构，包括基板1，在基板1的上方设有导电胶3，在导电胶3的上方设有集成电路4，且在导电胶3的两侧均插入有导电电极2，通过导电电极2可将本装置与外界电连接，导电电极2将电流输入导电胶3，导电胶3将电流输入集成电路4，集成电路4即可产生动作；
[0021]如图2，在导电胶3的两侧与导电电极2对应的位置均插入有导体5，导电电极2位于导体5内部，而位于导电胶3与导电电极2的接合部分会因电压差而产生带电离子的囤积，导体5能够均匀的将囤积在导电电极2与导电胶3交接处的带电离子20导出，而使带电离子不会产生囤积情形，进而可进一步的防止电蚀的情况发生；
[0022]结合图2、图3和图4所示，优选的，导体5包括插入导电胶3内部的空心导体51以及安装在空心导体51一端的外延导体52，外延导体52裸露在导电胶3外部，空心导体51可将电荷均匀传导出，并且通过的外延导体52导出，在空心导体51与导电电极2之间设有补偿部6，补偿部6的材质也为导电胶；
[0023]这里的外延导体52呈放射状的排布在空心导体51一端，进一步的起到电荷均匀导出的目的。
[0024]本技术的工作原理及使用流程：在使用本装置时，通过导电电极2可将本装置与外界电连接，导电电极2将电流输入导电胶3，导电胶3将电流输入集成电路4，集成电路4即可产生动作，位于导电胶3与导电电极2的接合部分会因电压差而产生带电离子的囤积，导体5能够均匀的将囤积在导电电极2与导电胶3交接处的带电离子20导出，而使带电离子不会产生囤积情形，进而可进一步的防止电蚀的情况发生，空心导体51可将电荷均匀传导出，并且通过的外延导体52导出，在空心导体51与导电电极2之间设有补偿部6，补偿部6的材质也为导电胶，外延导体52呈放射状的排布在空心导体51一端，进一步的起到电荷均匀
导出的目的。
[0025]最后应说明的是：以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路抗电蚀结构，包括导电胶（3），其特征在于：所述导电胶（3）的两侧均插入有导电电极（2），且导电胶（3）的两侧与导电电极（2）对应的位置均插入有导体（5），所述导电电极（2）位于导体（5）内部。2.根据权利要求1所述的一种集成电路抗电蚀结构，其特征在于：所述导体（5）包括插入导电胶（3）内部的空心导体（51）以及安装在空心导体（51）一端的外延导体（52），所述外延导...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨晶晶，
申请(专利权)人：上海春尚电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：