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公开了一种半导体结构及其制造方法，其中，半导体结构包括：第一基板，第一基板至少包括第一衬底
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该专利属于湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司授权不得商用。

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