【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光敏电阻
,具体涉及一种。
技术介绍
光敏电阻的传统制造方法是以陶瓷为基板,将CdS和CdSe混合液喷涂在陶瓷基板上,存在的缺陷是在喷涂的过程中,不仅在基板的表面喷上CdS和CdSe,基板的四周也被喷上了大量的CdS和CdSe,且正面被喷上的CdS和CdSe大部分也是无用的,真正有用的不到正面的20%,其余80%以上全部是无用的,这不但浪费原材料,增加产品成本,更重要的是大大的增加了Cd在产品中的含量。随着全世界环保的加强,欧盟从2006年7月1日起,严格限制产品中Cd的含量。传统的制造方法制造的光敏电阻产品已根本无法达到此标准,产品中Cd的含量远大于欧盟的RoHs标准要求,面临着限制进入和被淘汰的危胁,只有改变传统的制备方法制备新型光敏电阻才能降低Cd在产品中含量,满足欧盟的RoHs标准要求。
技术实现思路
专利技术人在生产实践中经过大量的试验和摸索,专利技术了新的制备方法,克服了传统制造方法的缺点,只对有用部分进行CdS和CdSe的涂附,而其它基体免受Cd污染,从而使Cd在产品中的含量大幅降低。本专利技术采取的技术方案其特征是具有Al2O3陶瓷基座和Al2O3陶瓷基片,在Al2O3陶瓷基片上喷涂有CdS和CdSe,形成光敏膜层,制成光敏电阻芯片;在Al2O3陶瓷基座上设有空槽,光敏电阻芯片镶嵌在Al2O3陶瓷基座上的空槽内,在整体的正面用真空镀膜的方法蒸镀Sn形成电极,用导电银浆对芯片和基座及引线进行连接,制成一个光敏电阻整体。为了能够制备出上述产品,本专利技术采取的方法如下1、用纯度95%以上的Al2O3制做一个长方体或其它形状的 ...
【技术保护点】
新型光敏电阻,其特征在于具有Al↓[2]O↓[3]陶瓷基座和Al↓[2]O↓[3]陶瓷基片,在Al↓[2]O↓[3]陶瓷基片上涂附有CdS和CdSe混合物,高温烧结形成光敏膜层,制成光敏电阻芯片;在Al↓[2]O↓[3]陶瓷基座上设有空槽,光敏电阻芯片镶嵌在Al↓[2]O↓[3]陶瓷基座上的空槽内,真空镀膜Sn形成电极,用导电银浆对芯片和基座及引线进行连接。
【技术特征摘要】
1.新型光敏电阻,其特征在于具有Al2O3陶瓷基座和Al2O3陶瓷基片,在Al2O3陶瓷基片上涂附有CdS和CdSe混合物,高温烧结形成光敏膜层,制成光敏电阻芯片;在Al2O3陶瓷基座上设有空槽,光敏电阻芯片镶嵌在Al2O3陶瓷基座上的空槽内,真空镀膜Sn形成电极,用导电银浆对芯片和基座及引线进行连接。2.根据权利要求1所述的新型光敏电阻的制备方法,该制备方法如下a、用纯度95%以上的Al2O3制做一个长方体或其它形状的陶瓷基片,用Al2O3制做一个比陶瓷基片大的陶瓷基座,陶瓷基座的上面留一个和陶瓷基片形状相同,尺寸稍大的空...
【专利技术属性】
技术研发人员:丁镇赓,邢志平,
申请(专利权)人:南阳利达光电有限公司电子公司,
类型:发明
国别省市:41[中国|河南]
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