用以形成可变电阻存储阵列中的自对准热绝缘单元的方法技术

一种非易失性器件，其具有自对准电阻随机存取存储器件。此器件包括下电极元件，其大致平坦，具有内接触表面。在该元件之上为上电极元件，其与下电极元件隔开。包覆结构延伸至上电极元件与下电极元件之间，且此元件包括侧壁隔离元件，其具有定义大致漏斗状中央凹洞的内表面，其终止于终端边缘以定义中央孔；以及位于侧壁隔离元件与下电极之间的拱腹元件，其具有定义热绝缘单元的内表面，此拱腹内壁呈辐射状地向外与侧壁隔离绝缘终端隔开，使得侧壁隔离终端边缘从拱腹元件内表面辐射地向内突出。电阻随机存取存储元件延伸至下电极元件与上电极元件之间，占据了侧壁隔离元件中央凹洞的至少一部分，并从侧壁隔离终端边缘朝向下电极突出并接触至下电极。在此方室中，此拱腹元件内表面与随机存取存储元件间隔开，以定义邻接于电阻随机存取存储元件的热绝缘单元。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种存储器件，包括：下电极元件，其具有内接触表面；上电极元件，其与该下电极元件隔开；包覆结构，其延伸至该上电极元件与该下电极元件之间，包括：侧壁隔离元件，其具有定义大致漏斗状的中央凹洞的内表面，其结束于终端边 缘以定义中央孔；拱腹元件，其位于该侧壁隔离元件与该下电极元件之间，其具有定义热绝缘单元的内表面，该拱腹内壁呈辐射状隔开于该侧壁隔离终端边缘，使得该侧壁隔离终端边缘从该拱腹元件内壁辐射状向内凸起；电阻随机存取存储器元件延伸至该 下电极元件与该上电极元件之间，占据至少一部分侧壁隔离元件的中央凹洞，并从该侧壁隔离终端边缘突出并接触至该下电极元件；其中该拱腹元件内表面与该电阻随机存取存储元件隔开，以定义热绝缘单元。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：赖二琨，何家骅，谢光宇，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]