包括可变电阻材料的非易失存储器制造技术

本发明专利技术提供了一种包括可变电阻材料的非易失存储器，其包括：下电极；中间层，由选自ＨｆＯ、ＺｎＯ、ＩｎＺｎＯ和ＩＴＯ中的一种材料形成；可变电阻材料层，形成在中间层上；以及上电极，形成在可变电阻材料层上。可以容易地提供具有根据尺寸的多级双极性开关性质的存储器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种非易失存储器，更特别地，本专利技术涉及通过在上电极和下电极之间$!入氧化铟锡(ITO )层和Ni氧化物层而可以在多级情形下工作 以具有稳定的双极性开关性质的非易失存储器。
技术介绍
希望半导体存储器件具有高速操作性能以及单位面积具有大量的存储 单元，即具有高的集成度，并且可以低功耗地工作。因此，已经对半导体存 储器件进行了很多的研究。代表性的半导体存储器的动态随机存取存储器(DRAM)的情形中， 一个单 位存储单元包括一个开关和一个电容器。DRAM具有高集成度和快工作速度 的优点，但是具有存储的所有数据在断电之后丢失的缺点。闪存是存储的数据即使在断电之后也可得到保留的非易失存储器的代 表。闪存具有非易失性，与易失性存储器不同。但是，闪存具有低集成度和 慢操作速度的缺点。现在已经对非易失存储器进行了许多的研究，这些非易失存储器包括磁 随机存取存储器(MRAM)、铁电随机存取存储器(FRAM)、相变随机存取 存储器(PRAM)和电阻随机存取存储器(RRAM)。上述非易失存储器中的RRAM使用这样一种性质(可变电阻性)，其中 电阻主要根据过渡金属氧化物(TMO)的电压而变化。图1图示了使用可变电阻材料的传统的RRAM器件。通常使用4丐钛矿 基材料或过渡金属氧化物(TMO)作为可变电阻材料。具体而言，使用4丐钛 矿基材料的存储器显示出了双极性开关性质。参考图1, RRAM器件包括顺序形成在下电极10上的可变电阻材料层 11和上电极12。这里，下电极10和上电极12由通常的导电材料形成，主 要是金属。可变电阻材料层11由具有可变电阻性的4丐钛矿基材料STO(SrTi03)或PCMO ( Pr03Ca07MnO3)形成。这里，为了沉积用于形成可变电阻材料层11的钙钛矿基材料需要高温 工艺和外延甚至。特别是难于调整形成三元氧化物的成分。因此，制造成本 增加，工艺也不再简单，导致产率下降。
技术实现思路
本专利技术提供了具有改进的电极结构的可变电阻非易失存储器，其制造简 单且具有好的集成度以及稳定的双极性开关性质。根据本专利技术的一个方面，提供了 一种包括可变电阻材料的非易失存储 器，其包括下电极；中间层，由选自HfO、 ZnO、 InZnO和ITO中的一种 材料形成；可变电阻材料层，形成在中间层上；以及上电极，形成在可变电 阻材料层上。可变电阻材料层可以包括Ni氧化物。下电才及可以由选自Pt、 Ru、 Ir、 Ni、 Co、 Cr、 W、 Cu或其合金中的一 种材料形成。上电极可以由选自Pt、 Ru、 Ir、 Ni、 Co、 Cr、 W、 Cu或其合金中的一 种材料形成。中间层可以形成为l-50nm的厚度。 可变电阻材料层可以形成为l-100nm的厚度。附图说明参考附图，通过说明本专利技术的示范性实施例，本专利技术的上述以及其它方面将变得更加清楚，在附图中图1图示了包括可变电阻材料的传统的非易失存储器。图2图示了根据本专利技术实施例的包括可变电阻材料的非易失存储器。图3是示出如图2所示的包括可变电阻材料的非易失存储器的双极性开关性质的图。图4是根据如图2所示的包括可变电阻材料的非易失存储器的尺寸的双 极性开关性质的图5是示出包括可变电阻材料的非易失存储器的电特性的图。具体实施例方式下面将参考示出本专利技术示范性实施例的附图对本专利技术进行更加全面的说明。在附图中，层和区域的厚度和宽度为了清楚器件而被放大了。图2图示了根据本专利技术实施例的包括可变电阻材料的非易失存储器。参考图2,该包括可变电阻材料的非易失存储器包括下电极21;中间层22, 使用选自HfD、 ZnO、 InZnO和ITO中的一种材料形成在下电极21上；可 变电阻材料层23,形成在中间层22上；上电极24,形成在可变电阻材料层 23上。在本专利技术中，下电极21和上电极24是使用用于传统半导体存储器的电 极的导电材料形成的。具体而言，下电极21和上电极24可以由选自Pt、Ru、 Ir、 Ni、 Co、 Cr、 W、 Cu或它们的合金中的一种材料形成。中间层22可以由其中容易进行电荷陷入的材料形成。具体而言，中间 层22可以由选自HfO、 ZnO、 InZnO和ITO中的一种材料形成。特别地，ITO 由铟、锡和氧化物组成。中间层22的厚度可以是l-50nm但不限于此。可变电阻材料层23由Ni氧化物形成。这里，当通常形成Ni氧化物时， Ni氧化物的性质根据腔体中氧分压来确定。当氧分压通常小于5%时，形成 了具有金属性质的Ni氧化物。当氧分压在5 %和15 %之间时，形成了具有 存储器开关性质的Ni氧化物。而且，当氧分压等于或大于15%时，形成了 具有阈值开关性质的Ni氧化物。本专利技术的特征在于，通过应用氧分压等于 或大于15。/。的状态下的Ni氧化物来形成可变电阻材料层23。具体而言，可 变电阻材料层23可以在大约30%的氧分压下形成。这里，可变电阻材料层 23的厚度可以但不限于l-100nm。如图2所示的包括可变电阻材料的非易失存储器可以使用半导体器件制 造工艺，比如包括賊射和原子层沉积的物理气相沉积(PVD)或CVD。如 图1所示，在使用STO基材料的双极性开关器件的情形中，用于形成双极 性开关器件所需的温度等于或大于大约700°C。但是，在图2所示的非易失 性存储器中，用于形成该非易失性存储器所需的温度等于或小于大约350°C, 且该非易失性存储器可以在相对低的温度下形成。如图2所示的包括可变电阻材料的非易失存储器可以连接到比如晶体管 或二极管的开关器件。具体而言，例如栅极结构形成在包括源极区和漏极区 的半导体衬底上，而源极区或漏极区可以连接到如图2所示的包括可变电阻材料的非易失存储器的下电极。此外，源极区或漏极区可以连接到二极管结 构，且可以形成为交叉点型存储器。如图2所示的包括可变电阻材料的非易失存储器具有双极性开关性质， 且将在下面参考图3进4亍-说明。图3是示出如图2所示的包括可变电阻材料的非易失存储器的双极性开 关性质的图。在图3的图中，下电极21和上电极24由Pt形成，中间层22 由ITO形成，可变电阻材料层23由在大约30%的氧分压下沉积的Ni氧化 物形成，而且测量了长度和宽度均为大约100微米的样品。参考图3,如图在初始状态中电压逐渐从0V减小到负值，则流经可变 电阻材料层23的电流逐渐增加。如果施加的电压组件减小到负值，则电流 沿着图3的线1增加。这里，示出了施加电压一直到-4V。接下来，当施加 的电压再次增加时，如图所示直到-2V为止电流与线1的电流相似。但是， 当施加的电压从-2V增加到0V时，如图所示电流的变化沿与线1不同的线2。 因此，施加的相同的电压具有两个电阻值。而且，如果电压逐渐从OV增加到正值，则流经可变电阻材料层23的电 流逐渐增加。如果施加的电压逐渐增加到正值，则电流沿着图3的线3增力口。 图3中，示出了施加电压一直到3V。接下来，如果施加的电压再次减小时， 如图所示电流与线3的电流相似。但是，如果施加的电压持续减小时，则电 流沿着线4减小，这表示电流的变化不同于线3。因此即使施加正的电压也 具有两个电阻值。参考图3,当对如图2所示的非易失性可变电阻存储器施加正电压和负 电压时，该电压具有两个阻值。显示出双极性开关性质的可变电阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包括可变电阻材料的非易失存储器，包括：下电极；中间层，由选自ＨｆＯ、ＺｎＯ、ＩｎＺｎＯ和ＩＴＯ中的一种材料形成；可变电阻材料层，形成在所述中间层上；以及上电极，形成在所述可变电阻材料层上。

【技术特征摘要】
KR 2006-7-10 64457/061、一种包括可变电阻材料的非易失存储器，包括下电极；中间层，由选自HfO、ZnO、InZnO和ITO中的一种材料形成；可变电阻材料层，形成在所述中间层上；以及上电极，形成在所述可变电阻材料层上。2、 根据权利要求1的存储器，其中所述可变电阻材料层包括Ni氧化物。3、 根据权利要求l的存储器，其中所...

【专利技术属性】
技术研发人员：安承彦，李明宰，金东彻，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]